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TE1819-02-PCresuelto.

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Tecnología Electrónica

2º Grado en Ingeniería en Electrónica y Automática Industrial

Escuela Politécnica Superior


Universidad de Alcalá

Reservados todos los derechos.


No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA, UAH
Grado en Ingeniería Electrónica y Automática Industrial
600012 – Tecnología Electrónica

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
Prueba: Prueba de Conjunto (PC) Fecha: 14 mayo 2019

Apellidos: - RESOLUCIONES - Nombre:

¡Atención!: No se admitirán respuestas no justificadas adecuadamente Número:

Ejercicio 1.-(25 puntos) El transistor de la figura está polarizado 10 V


con una IC =2 mA, y tiene una beta de 200.
Otros datos son:
R2
R1 = 600Ω; R2 = 430 kΩ; R3 = 2,5 kΩ
a) Obtenga la expresión de la ganancia de tensión GV = (vo/vi) en
función de la frecuencia y realice un diagrama de Bode

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R1 C V0
simplificado del módulo y fase de la misma.
Vi
b) Hallar el valor de C que situaría al polo en baja frecuencia de la R3
ganancia de tensión en 20 rad/s

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Ejercicio 2.-(10 puntos) En la figura 1 se muestra esquemáticamente un amplificador lineal de potencia, cuya
curva de rendimiento en función de la potencia en la carga se acompaña en el gráfico adjunto, figura 2.
Figura 1: Figura 2:
Rendimiento en función de la Pot. en la carga
80

70
VCC = 24V
60
Rendimiento (%)

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50
RL = 4Ω
ve (t) Amplificador 40
Lineal de
30
Señal de Potencia
entrada 20
Altavoz
10

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Potencia en la carga (W)

Si en la carga se mide una tensión eficaz de 14V, determine: potencia media en la carga, rendimiento del
amplificador, potencia entregada por las alimentaciones y potencia disipada en el amplificador.

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Ejercicio 3.-(25 puntos) Diseñe un amplificador en puente, con una ganancia de tensión total de 6, que
proporcione una potencia máxima de 45W sobre una carga de 4Ω. Los operacionales se consideran ideales salvo
en que la tensión en su salida no puede exceder, en módulo, del valor |VCC -3|V.
a) Dibuje el esquema correspondiente con los valores de resistencias apropiados. Utilice para las resistencias
valores mayores a 10 kΩ.
b) Calcule justificadamente el valor mínimo necesario para la alimentación de los AO.
c) Suponga para este apartado que VCC = 15V. La potencia en la carga es la misma, igual a 45W. Determine con
estas condiciones la potencia disipada por cada AO y el rendimiento del circuito.

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d) Cambiamos ahora las condiciones de trabajo; se sabe que cada operacional está en un encapsulado aparte y
disipando una potencia de 15W. Siendo TA =25ºC, halle la SA del radiador para que la temperatura de la unión
sea menor que 180ºC. Datos adicionales: JC =2,3K/W y CS =0,2ºC/W

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Ejercicio 4.-(25 puntos) El circuito de la figura representa la
salida de un pin de comunicaciones de un Procesador Digital; VDD VDD
internamente, este pin se compone de un NMOS (elemento R1 Rp
activo, de datos Ron =100Ω y Roff →) y de un resistor de pull-

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up interno de valor R1 = 22kΩ.
M1 vo
Se sabe que la señal vi (interna) es cuadrada con un ciclo de vi
trabajo D=50% y hace conmutar al M1 entre ON y OFF en un Cin=5pF
tiempo despreciable. La salida vo del pin del Procesador ataca a
una puerta externa cuya capacidad de entrada vale Cin=5pF.
Procesador digital
NOTA: al hallar las tensiones y taus de sus circuitos puede
hacer aproximaciones razonables en sus cálculos.
Para los apartados (a) y (b) suponga desconectada la R de pull-up externa Rp.
a) Suponga que el valor final se adquiere en un tiempo 5·tau. Determine la frecuencia máxima que podría tener la
señal Vi para que se pueda alcanzar el valor final en cada semiciclo de la señal.
b) Determine el tiempo de retardo máximo entre la entrada Vi y la salida en el pin Vo. Tome como criterio de
transición HL o LH (según corresponda) el paso por el 50% del valor de VCC.
En los apartados (c) y (d) incluimos la R de pull-up externa Rp.
c) Determine el valor necesario de la R de pull-up externa (Rp) para que la frecuencia máxima pueda ser de
10MHz.
d) Conteste a la misma pregunta del apartado (b) pero supuesta conectada una Rp =3kΩ. Compare en este caso el
retardo obtenido usando esta R externa y el obtenido en el apartado (b), sin usarla. ¿Se obtiene algún beneficio
al usar esta R externa?

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Ejercicio 5.-(15 puntos) En la figura 1 se Figura 1:


muestra un montaje de laboratorio con un
amplificador diferencial y una etapa de
salida, sobre el que se toman con el
osciloscopio diversas medidas en ac en los
puntos indicados.
Las correspondientes imágenes de dichas
señales se han representado en las figuras
2 a 4.

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El generador se ha configurado para que vg
sea una señal senoidal de 800mV pico a
pico.
Con estos datos y las medidas realizables
sobre las figuras, responda razonadamente
a las cuestiones siguientes (a – d):

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Figura 2. Señal va. Figura 3. Señal vb. Figura 4. Señal vo.

a) ¿Cuál es el valor de la impedancia de entrada diferencial Ze (sin incluir Ra ni Rb)?


b) Obténgase la ganancia de tensión GV = (vo/va) del amplificador.
c) Obténgase el valor de rπ en pequeña señal que corresponde a Q1. Considere Re muy grande.
d) ¿Qué tipo de configuración de amplificador corresponde a Q3? ¿Qué características corresponden a este tipo de
configuración en cuanto a ganancias e impedancias?

va -vb v -v 40mV  30mV Circuito equivalente en la entrada del amplificador:


a) Z e   a b   4k 
ie vb / Rb 30mV /12k 

vo 3V V 
b) Gv    75  
va 40mV V 
c) Si Re , entonces: Ze  r 1  r 2  2  r 1  4k
4k 
 Por tanto: r 1   2k 
2

d) Q3 está montado en colector común (seguidor de emisor). Esta configuración, en términos relativos (frente
a las otras configuraciones básicas) posee una elevada ganancia de corriente, mientras que su ganancia de
tensión es inferior (o cercana) a la unidad. Su impedancia de entrada es elevada y la de salida es reducida.

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