INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TEHUACÁN

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

MATERIA

Física de Semiconductores

TAREA

Transistor de efecto de campo

ALUMNO

Carvajal Muñiz Marco Antonio

DOCENTE

Ing. Alberto Cortés

Objetivo: Distinguir las principales características y aplicaciones de los transistores de efecto de campo.

Desarrollo:
El transistor de efecto de campo (abreviado FET), es un dispositivo de tres terminales conocidas como fuente,
drenaje y puerta, controla la corriente entre drenaje y fuente a través de un campo eléctrico que se genera o
establece con la tensión que se le aplique a la terminal puerta. Debido a que solo transporta un solo tipo de carga
se le conoce también como transistor unipolar, su símbolo se muestra en la imagen 1° (S = Fuente y G = Puerta).

Imagen 1°: Símbolo de

transistor FET
La composición de un FET típico se conforma de 3 zonas semiconductoras dopadas a conveniencia de la
aplicación, ya sea con exceso de donadores o portadores, tenemos FET tipo N y tipo P como se muestra en la
imagen 2° e imagen 3° respectivamente (Surtidor = Fuente).

Imagen 2°: Transistor FET Imagen 3°: Transistor FET

N P
Tenemos dos zonas de funcionamiento del transistor FET, una de ellas en la zona óhmica en la cual, el transistor
se comporta como una resistencia variable y la zona de saturación en donde el transistor como sus homólogos,
amplifica y se comporta como una fuente de corriente.
Se pueden clasificar los transistores de efecto de campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta,
Algunos de estos se muestran en la imagen 4°:

Imagen 4°: Transistores FET.

Podemos encontrar muchas variedades de transistores tipo FET a parte de los mostrados en la imagen como lo
son los IGBT, FREDFET, DNAFET, TFT, HEMT entre otros que algunos de ellos son usados para casos muy
particulares, como ejemplo tenemos el transistor DNAFET que se usa como biosensor usando una puerta fabricada
de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.
▪ IGBT
Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por
un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
▪ FREDET
Transistor de efecto de campo creado para dar una recuperación casi instantánea del transistor.
▪ DNAFET
Como ya se mencionó en un FET muy especial, utiliza el efecto de campo generado por las cargas parciales de
las moléculas de ADN para actuar como un biosensor. La estructura de este es parecida a la de un MOSFET,
pero con la diferencia de que la puerta es reemplazada por una capa de moléculas de cadenas sencillas de AND
que actúan como receptores. Un uso de estos es como detectores de polimorfismos de nucleótido simple (que
pueden causar varias enfermedades hereditarias).
▪ TFT
O por sus siglas en inglés Thin-film transistor (transistor de películas finas) es una clase de transistor FET que se
crea depositando finas películas de un SC activo como una capa de material dieléctrico y contactos metálicos
sobre un sustrato como el vidrio.
Una de sus aplicaciones de este tipo de transistores de efecto de campo son las pantallas de cristal líquido a
diferencia de un transistor convencional que usan silicio.
▪ HEMT
O por sus siglas en inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones) son un tipo
de transistor de efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas
prohibidas, una hetero unión, como canal de conducción en vez de una región dopada como es generalmente el
caso de los MOSFET.
▪ MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor o por sus siglas MOSFET es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es unos de los transistores más usados en el sector industrial de
la microelectrónica tanto en circuitos analógicos y digitales. Su estructura se muestra en la imagen 5°.

Imagen 5°: Estructura Metal-

óxido-semiconductor construida
con un sustrato de silicio tipo p.
Las características de los transistores de efecto de campo son:
▪ Son menos ruidosos.
▪ Son altamente sensibles.
▪ Pueden operarse con el propósito de proporcionar una mayor estabilidad térmica.
▪ Son inmunes a la radiación hasta cierto momento.
▪ Su voltaje de unión es nulo cuando se utiliza como interruptor.
▪ Tiene una impedancia muy elevada (aproximadamente 100MΩ).
Los transistores FET los podemos encontrar en varias aplicaciones, algunas de ellas se encuentran en la tabla 1°:
Uso Aplicación
Aislador (Buffer) Uso general, equipo de medida, receptores
Amplificador de RF Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
Mezclador Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
Amplificador Instrumentos de medición, equipos de prueba
Troceador Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección
Resistor variable por voltaje Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono
Amplificador de baja frecuencia Audífonos para sordera, transductores inductivos
Oscilador Generadores de frecuencia patrón, receptores
Tabla 1°: Principales aplicaciones y uso de los transistores tipo FET.

Los transistores FET se rigen por la ecuación de Shockley ya que su corriente se presenta de forma exponencial,
en internet podemos encontrar infinidad de analogías hidráulicas de los transistores, por ejemplo, para el transistor
JFET se suele representar como una llave (Imagen 6°) donde la manija representa la puerta es decir, dependiendo
de la manija dependerá el flujo del agua ( la corriente) que proviene de la fuente con dirección al drenaje, nos
podemos apoyar en estas analogías para poder entender mejor el funcionamiento de los transistores que ya
muchas veces solemos ver abstractamente su uso sin entender completamente su funcionamiento.

Imagen 6°: Analogía de un

transistor JFET.
 Conclusión

Los transistores FET realizan la función de controlar la corriente eléctrica como los demás transistores por ser la
característica básica de todos estos, mediante la tensión aplicada en una de las terminales, estas constituidos por
uniones semiconductoras ya sean tipo N o tipo P que une dos de las 3 terminales como se mostró en la imagen 2°
y 3°.
El comportamiento de estos transistores efecto de campo se representa con sus curvas características en las que
se representa la corriente que entra y sale de cada una de las terminales, estas gráficas se nos muestran en las
hojas de características de los fabricantes, los transistores FET pueden funcionar como una fuente de corriente
controlada por voltaje, los transistores son un elemento que nos han facilitado de muchas maneras al momento de
querer diseñar circuitos electrónicos ya que en casi todos los aparatos electrónicos mínimo encontraremos un
transistor inmerso. Los niveles de fermi, dopaje, temperatura, voltaje etc. Están presentes en estos componentes y
debemos tener en cuenta para la utilización de los transistores FET ya sean tipo N o tipo P, debido a que se
componen de semiconductores estos parámetros siempre estarán relacionados con los componentes electrónicos
y se deben tener los conocimientos para manejarlos ya que son primordiales para crear un circuito de buena forma.
Al haber infinidad de transistores FET debemos probar estos al momento que los queramos usar en un circuito
electrónico ya que al ser de un uso particular cada uno hay que tener sumo cuidado al momento de manejarlos, la
invención de estos componentes ha evolucionado su composición para que cada vez sean más precisos y fiables
al momento de quererlos usar en nuestro respectivos aparatos, las analogías hidráulicas de estos dispositivos han
sido creadas para obtener un mejor entendimiento de estos dispositivos cuando se nos dificulta poder comprender
por qué los vamos a usar y el propósito que tiene cada uno y cada una de sus tres terminales.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente comparado con el transistor bipolar. El terminal de drenaje
se polariza positivamente respecto a la terminal de fuente, a mayor voltaje será más angosto el canal y a
consecuencia más difícil para que la corriente circule del terminal drenaje a la fuente.

Marco Antonio Carvajal Muñiz