ECUACIONES DEL MOSFET

Independientemente del tipo de transistor y de la región de operación, siempre se cumple IG = 0

NMOS PMOS

ID ID
D D

G G

S S

Región de corte:  Región de corte: 

VGS  VT   VGS  VT  

ID  0   ID  0  

Región lineal:  Región lineal: 

VGS  VT ; VDS  (VGS  VT )   VGS  VT ; VDS  (VGS  VT )  

 V2   V2 
I D  k (VGS  VT )VDS  DS    I D  k (VGS  VT )VDS  DS   
 2   2 

Región de saturación:  Región de saturación: 

VGS  VT ; VDS  (VGS  VT )   VGS  VT ; VDS  (VGS  VT )  

k k
ID  (VGS  VT ) 2   I D   (VGS  VT ) 2  
2 2

W
k  Cox
L
µ = Movilidad de los portadores en el canal de conducción.
Cox = Capacidad por unidad de área del aislante de puerta
W = Anchura del canal
L = Longitud del canal
VT = Tensión umbral. Para NMOS de enriquecimiento (enhancement), VT es positiva. Para
llegar a la conducción VGS debe ser superior.
Para PMOS de enriquecimiento (enhancement), VT es negativa. Para llegar a la conducción
VGS debe ser más negativa. Obsérvese por lo tanto que en las regiones lineal y de saturación VGS - VT
también será negativo. En saturación VDS será más negativo que VGS - VT.