Fundamentos de Electricidad y Electrónica (FEE)

Curso 2021-2022

Tema IV: Dispositivos de unión de dos terminales

Basado en material elaborado por Álvaro del Prado Raúl González Jiménez
Millán (APM) y Margarita Sánchez Balmaseda, Dpto. Grupo de Física Nuclear
EMFTEL, UCM. Figuras elaboradas por APM, salvo Dpto. EMFTEL
que se indique lo contrario. raugon06@ucm.es

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 Fundamentos de Electricidad y Electrónica (FEE)

Tema IV: Dispositivos de unión de dos terminales

1. Introducción a los semiconductores

2. Unión p-n

3. El diodo como elemento de un circuito

4. Dispositivos optoelectrónicos

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 Tema IV: Dispositivos de unión de dos terminales
1. Introducción a los semiconductores

2. Unión p-n

3. El diodo como elemento de un circuito

4. Dispositivos optoelectrónicos

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 Tema IV: Dispositivos de unión de dos terminales
1. Introducción a los semiconductores
1.1. Conductores, aislantes y semiconductores

2. Unión p-n

3. El diodo como elemento de un circuito

4. Dispositivos optoelectrónicos

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CONDUCCIÓN ELÉCTRICA
La clasificación de los materiales en conductores, aislantes y semiconductores obedece a sus
propiedades de conducción eléctrica.

¿Qué es la conducción eléctrica?

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CONDUCCIÓN ELÉCTRICA
La clasificación de los materiales en conductores, aislantes y semiconductores obedece a sus
propiedades de conducción eléctrica.

¿Qué es la conducción eléctrica?

La conducción eléctrica es la propiedad de un material que hace que al aplicar un campo
eléctrico sobre él se induzca una corriente eléctrica en su seno.

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¿Qué se necesita para que en un material haya corriente eléctrica al aplicar un campo?

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¿Qué se necesita para que en un material haya corriente eléctrica al aplicar un campo?
+ Que haya una concentración apreciable de electrones.
+ Que esos electrones se puedan mover.

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¿Qué se necesita para que en un material haya corriente eléctrica al aplicar un campo?
+ Que haya una concentración apreciable de electrones.
+ Que esos electrones se puedan mover.

Cuando decimos que los e- se puedan mover nos referimos a que puedan responder al campo eléctrico.

Aplicar un campo significa aplicar una fuerza; por lo tanto estamos hablando de que se aceleren.

En otras palabras, tienen que poder cambiar su velocidad.

Cambiar su velocidad significa cambiar su energía.

Pero… la Física Cuántica nos dice que la energía de los e- en los átomos está cuantizada (los e- ocupan
niveles de energía).

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¿Qué se necesita para que en un material haya corriente eléctrica al aplicar un campo?
+ Que haya una concentración apreciable de electrones.
+ Que esos electrones se puedan mover.

Cuando decimos que los e- se puedan mover nos referimos a que puedan responder al campo eléctrico.

Aplicar un campo significa aplicar una fuerza; por lo tanto estamos hablando de que se aceleren.

En otras palabras, tienen que poder cambiar su velocidad.

Cambiar su velocidad significa cambiar su energía.

Pero… la Física Cuántica nos dice que la energía de los e- en los átomos está cuantizada (los e- ocupan
niveles de energía).

Entonces ¿por qué los e- se mueven bajo la acción de un campo eléctrico?

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 Resumen:
e- libre Hablemos del átomo de hidrógeno.

El e- ocupa niveles de energía

determinada (orbitales).

Es posible transicionar entre

orbitales mediante la emisión o
absorción de energía (fotones).

1 (Recuerda, para los fotones:

E∝ 2 E = hn = hc/l:
n Mayor energía => menor longitud
de onda l<=> mayor frecuencia n)

Si la energía transferida es
suficiente podemos “arrancar” el
electrón, que será libre (dejará de
formar parte del átomo).

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 Resumen:
e- libre Hablemos de un átomo con más
de un protón (más de un electrón).

Los e- ocupan niveles de energía

determinada (orbitales).

Principio de Exclusión de Pauli:

en un sistema físico (en nuestro
caso, un átomo) no puede haber
1 dos partículas (en nuestro caso,
E∝ 2 electrones) con idénticos números
n cuánticos.

Números cuánticos (son como

‘etiquetas’ que definen a cada
partícula): principal (n), momento
angular (l y ml) y espín (s y ms).

En cada nivel caben 2e- (capa s),

6e- (capa p), 10e- (capa d), 14e-
(capa f),… (ver diagrama de
llenado).
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 Diagrama de llenado

Imagen:
Imagen: https://misuperclase.com/configuracion-electronica-de-los-elementos/ http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina2.htm

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 https://es.wikipedia.org/wiki/Tabla_peri%C3%B3dica_de_los_elementos
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Dos átomos aislados Enlace de dos átomos
Resumen:
Los átomos comparten electrones de
las últimas capas.

Al formarse un enlace, los niveles de

energía de los átomos aislados se
desdoblan en dos niveles.

Los electrones pasan a ocupar el

nivel de energía más bajo.

Desdoblamiento de los niveles

energéticos (para cumplir con el
P.E. Pauli).

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Si en vez de 2 átomos, unimos… 10,
¿qué pasaría?
Resumen:
El nivel atómico se desdobla en 10 niveles
distintos, cada uno con posibilidad de albergar
2 electrones.

Es decir, en total habría 20 estados.

Cada átomo aportaría un electrón. Tendríamos

10 electrones ocupando los estados de menor
energía.

Y 10 estados de mayor energía desocupados.

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Si en vez de 2 átomos, unimos… 10,
¿qué pasaría?
Resumen:
Los niveles totalmente ocupados también se
desdoblan.

En este caso todos los estados estarían

ocupados.

¿Y qué pasa con los niveles que no tienen

ningún electrón?

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Si en vez de 2 átomos, unimos… 10,
¿qué pasaría?
Resumen:
Los niveles vacíos también se desdoblan.

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 En un solido cristalino como el Si, la densidad atómica es del orden de 5×10 22 átomo/cm3.

Como consecuencia, cada nivel atómico se desdobla en un número altísimo de estados, dando lugar a
prácticamente un continuo de estados permitidos que llamamos banda de energía permitida.

Las bandas pueden estar totalmente llenas, totalmente vacías o parcialmente llenas, dependiendo de los
niveles de los que proceden y de la ocupación de estos niveles en los átomos aislados.

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¿Cómo tiene que ser una banda para que pueda haber conducción?

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¿Cómo tiene que ser una banda para que pueda haber conducción?

Tiene que haber electrones que puedan responder al campo; es decir, cambiar de
estado de energía (que es equivalente a cambiar su velocidad).

Una banda vacía no contribuye a la conducción. No tiene electrones.

Una banda totalmente llena, no contribuye a la conducción. Tiene muchos electrones,

pero como no hay estados libres, no pueden responder al campo.

Una banda semillena es lo ideal. Hay muchos electrones y muchos estados libres que
permiten que los electrones puedan cambiar su energía y, por tanto, responder al
campo.

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 (Notación: BC: Banda de conducción. BV: Banda de valencia.)

METAL: última banda ocupada está

E parcialmente llena.
BC Conductividades muy altas:
Cu 5,96×107 Ω-1 m-1
Al 3,78×107 Ω-1m-1
Au 4,55×107 Ω-1m-1
EG Ag 6,30×107 Ω-1m-1.

AISLANTE: En el estado
fundamental (0 K) la última banda
BV ocupada está completamente llena.
Conductividad casi nula :
Vidrio: 10-11 a 10-14 Ω-1m-1
Teflón: < 10-13 Ω-1m-1
Metal o Aislante Cuarzo: 1,33×10-18 Ω-1m-1
Conductor (¿¿por qué casi nula??)

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 (Notación: BC: Banda de conducción. BV: Banda de valencia.)

E
BC
BC

EG EG
BV
BV
Semiconductor
Metal o Aislante T = 0 K aislante
Conductor

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 (Notación: BC: Banda de conducción. BV: Banda de valencia.)

E
BC
BC

EG EG
BV
BV
Semiconductor
Metal o Aislante T = 0 K aislante
Conductor
T > 0 conducción:
electrones y huecos
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 Resumen:
En el estado fundamental (T = 0 K) es un aislante.
El gap energético EG entre la BC y la BV es relativamente
pequeño, de forma que al aumentar la temperatura, e- de la BV
tienen energía suficiente para pasar a la BC.
A T > 0 K existe una cierta concentración de e- en la BC.

Importante: En la BV se han creado huecos (estados libres)

que permiten a los e- de ésta BV responder al campo
(ocupando los huecos) ==> huecos en la BV y electrones en la
BC pueden responder a un campo eléctrico.

¿Sabrías responder ahora por qué en un aislante la

Semiconductor conductividad es muy pequeña pero mayor que cero?
T = 0 K aislante
T > 0 K conducción:
electrones y huecos
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 Resumen:
En el estado fundamental (T = 0 K) es un aislante.
El gap energético EG entre la BC y la BV es relativamente
pequeño, de forma que al aumentar la temperatura, e- de la BV
tienen energía suficiente para pasar a la BC.
A T > 0 K existe una cierta concentración de e- en la BC.

Importante: En la BV se han creado huecos (estados libres)

que permiten a los e- de ésta BV responder al campo
(ocupando los huecos) ==> huecos en la BV y electrones en la
BC pueden responder a un campo eléctrico.
En un aislante ocurre lo mismo que en un semiconductor, pero
la probabilidad de poblar la BC es mucho menor debido a la
mayor anchura del gap.
Semiconductor
T = 0 K aislante
T > 0 K conducción:
electrones y huecos
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Curso 2020-2021

Tema IV: Dispositivos de unión de dos terminales

1. Introducción a los semiconductores
1.1. Conductores, aislantes y semiconductores
1.2. Semiconductores extrínsecos

2. Unión p-n

3. El diodo como elemento de un circuito

4. Dispositivos optoelectrónicos

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 Semiconductor intrínseco
Semiconductores puros, es decir, que en su estructura
cristalina no tienen impurezas.

Ejemplos: Si, Ge, GaAs, InGaAs, etc.

Todos los e- de la BC proceden de la BV, por tanto:

n = p = ni
n = concentración de e- (en la BC)
p = concentración de h+ (en la BV)
ni = concentración intrínseca

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 Semiconductor intrínseco
Semiconductores puros, es decir, que en su estructura
cristalina no tienen impurezas.

Ejemplos: Si, Ge, GaAs, InGaAs, etc.

Todos los e- de la BC proceden de la BV, por tanto:

n = p = ni
n = concentración de e- (en la BC)
p = concentración de h+ (en la BV)
ni = concentración intrínseca

ni dependerá de las características del material (energía

del gap y densidad de estados en las bandas) y de la
temperatura:

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 Semiconductor intrínseco
Semiconductores puros, es decir, que en su estructura
cristalina no tienen impurezas.

Ejemplos: Si, Ge, GaAs, InGaAs, etc.

Todos los e- de la BC proceden de la BV, por tanto:

n = p = ni
n = concentración de e- (en la BC)
p = concentración de h+ (en la BV)
ni = concentración intrínseca

Muy importante. Ley de acción de masas: en

equilibrio siempre se cumple la siguiente ecuación:

n x p = ni2

(Esta ecuación es válida para intrínsecos y extrínsecos.)

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 Semiconductor extrínseco

En los semiconductores extrínsecos se consigue alterar las concentraciones de e- en la BC y de h+ en

la BV con respecto a la concentración intrínseca.
¿Para qué?
1. Para mejorar sus propiedades de conducción, gracias a una mayor concentración (órdenes de
magnitud) de portadores de carga libre (e- y h+).
2. Gracias a la combinación de semiconductores extrínsecos (tipo n y tipo p) se pueden fabricar
dispositivos electrónicos, que a su vez permiten fabricar: fuentes de alimentación, procesadores,
memorias... en definitiva, toda la tecnología cotidiana que nos rodea.

Hay dos tipos de semiconductores extrínsecos:

Tipo n: concentración de e- elevada (mucho mayor que la concentración intrínseca) y una
concentración de h+ muy pequeña: n >> p; n >> ni
Tipo p: concentración de h+ elevada (mucho mayor que la concentración intrínseca) y una
concentración de e- muy pequeña: p >> n; p >> ni

¿Cómo se consigue obtener semiconductores extrínsecos?

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 Semiconductor extrínseco Tipo n

Resumen:

Impurezas donadoras sustituyen

a algunos átomos de la red.

Las impurezas donadoras son

átomos que en su capa más
externa tienen más e- que los
átomos de la red.

Por ejemplo, el P tiene 5e- en su

última capa, el Si tiene 4e-. (Ver
tabla periódica y diagrama de
llenado.)

El e- que “sobra” no forma parte

de los enlaces.

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 Semiconductor extrínseco Tipo n

Resumen:

Los e- de los enlaces

llenan la BV.

Los e- adicionales de
las impurezas se
sitúan en un nivel de
energía cercano a la
banda de conducción.

T=0K

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 Resumen:
Semiconductor extrínseco Tipo n
A T ambiente, los e- de las impurezas
donoras tienen energía tal que lo más
probable es que se encuentren en la
BC.
Las impurezas quedan ionizadas
positivamente: ND+ ≈ ND
ND = conc. de impurezas donadoras.
ND+ = conc. de impurezas donadoras
ionizadas.
Conviene recordar que, como en los
intrínsecos, los e- de la BV pueden
saltar a la BC, pero la probabilidad de
que esto ocurra es pequeña.
Se llega a lo siguiente:

n = concentración de e- en la BC
p = concentración de h+ en la BV

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 Resumen:
Semiconductor extrínseco Tipo n
A T ambiente, los e- de las impurezas
donoras tienen energía tal que lo más
probable es que se encuentren en la
BC.
Las impurezas quedan ionizadas
positivamente: ND+ ≈ ND
ND = conc. de impurezas donadoras.
ND+ = conc. de impurezas donadoras
Muy importante. Ley de acción de masas: en ionizadas.
equilibrio siempre se cumple la siguiente ecuación: Conviene recordar que, como en los
intrínsecos, los e- de la BV pueden
n x p = ni2 saltar a la BC, pero la probabilidad de
que esto ocurra es pequeña.
(Esta ecuación es válida para intrínsecos y extrínsecos.) Se llega a lo siguiente:

n = concentración de e- en la BC
p = concentración de h+ en la BV

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 Semiconductor extrínseco Tipo n

Recapitulemos. Tenemos las siguientes ecuaciones:

n >> p n x p = ni2 ND+ + p = n

Ejercicio:
Calcula las concentraciones de electrones y huecos, a T ambiente, en un cristal de Si dopado con
una concentración de fósforo (impureza donora) de: N D = 1014 cm-3.
(Dato: Concentración intrínseca para el Si a T ambiente: n i = 1010 cm-3.)
a) Considera las aproximaciones ND ≈ ND+ y n ≈ ND.
b) No consideres la aproximación n ≈ ND.
c) Compara los resultados que obtienes.

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 Dependencia de la concentración de portadores con T en
un semiconductor extrínseco

Es muy importante
que entiendas este
gráfico, dedica el tiempo
necesario a pensar
sobre él.

T(K)

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 Semiconductor extrínseco Tipo p Resumen:

Impurezas aceptoras sustituyen

a algunos átomos de la red.

Las impurezas aceptoras son

átomos que en su capa más
externa tienen menos e- que los
átomos de la red.

Por ejemplo el B tiene 3e- en su

última capa, el Si tiene 4e-. (Ver
tabla periódica y diagrama de
llenado.)

Los huevos creados en la red se

traducen en la creación de un
nuevo nivel permitido (vacío),
cerca de la BV.

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 Resumen:
Semiconductor extrínseco Tipo p
A T ambiente, los e- de la BV tienen
energía suficiente para poblar el
nuevo nivel permitido. Creandose así
h+ en la BV.
Las impurezas quedan ionizadas
negativamente: NA- ≈ NA
NA = conc. de impurezas aceptoras.
NA- = conc. de impurezas aceptoras
ionizadas.
Conviene recordar que, como en los
intrínsecos, los e- de la BV pueden
saltar a la BC, pero la probabilidad de
que esto ocurra es pequeña.
Se llega a lo siguiente:

n = concentración de e- en la BC
p = concentración de h+ en la BV

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 Tema IV: Dispositivos de unión de dos terminales
1. Introducción a los semiconductores
1.1. Conductores, aislantes y semiconductores
1.2. Semiconductores extrínsecos
1.3. Conductividad eléctrica en semiconductores

2. Unión p-n

3. El diodo como elemento de un circuito

4. Dispositivos optoelectrónicos

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La corriente eléctrica se debe al movimiento de partículas con carga.

Las partículas que se mueven en los semiconductores siempre son los electrones. Los
núcleos de los átomos (incluidas las impurezas), están fijos (salvo agitación térmica) en
la red y no se desplazan.

En un semiconductor pueden contribuir a la corriente:

• Los electrones de la banda de conducción (BC).

• Los electrones de la banda de valencia (BV), siempre que haya estados vacíos.

Al calcular la contribución a la corriente de los electrones de la BV, resulta mucho más

cómodo hacer el cálculo teniendo en cuenta no los electrones que hay, sino los estados
vacíos que han quedado (los huecos).

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A efectos de cálculo de corrientes, podemos describir el comportamiento de la BV como si
hubiera unas partículas que llamamos huecos (h+):

• Por cada estado vacío hay un h+.

• El hueco tiene la misma carga que el electrón, pero positiva.

Entonces, a efectos prácticos decimos que en un semiconductor pueden contribuir a la

corriente:

• Los e- de la BC.

• Los h+ de la BV.

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 Véanse transparencias adicionales sobre:

+ Corriente eléctrica (repaso).

+ Corriente de arrastre y de difusión.

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 Corriente de ARRASTRE

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 Corriente de DIFUSIÓN

Además de por efecto de un campo, en un semiconductor, los portadores pueden

moverse debido al fenómeno de difusión.

La difusión consiste en que, debido al movimiento aleatorio de las partículas como

consecuencia de la energía que tienen en función de la temperatura, se produce un flujo
neto de partículas desde donde la concentración es mayor hasta donde la concentración
es menor.

Así, si en un semiconductor existe una diferencia de concentración de portadores en

distintas zonas, se producirán corrientes de difusión.

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1. Introducción a los semiconductores
1.1. Conductores, aislantes y semiconductores
1.2. Semiconductores extrínsecos
1.3. Conductividad eléctrica en semiconductores
1.4. Generación y recombinación. Aplicaciones

2. Unión p-n

3. El diodo como elemento de un circuito

4. Dispositivos optoelectrónicos

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 GENERACIÓN

Consiste en el aumento de la concentración de portadores debido a que los electrones de la

banda de valencia reciben suficiente energía como para saltar a la banda de conducción.

Se generan pares electrón-hueco (el electrón que salta a la banda de conducción deja un estado
vacío en la banda de valencia).

La generación ocurre por:

1. Incremento de la temperatura (ya discutido).

2. Irradiación con luz.

La energía de los fotones debe ser mayor o igual que el gap: E g = hυ ≥ EG
Por ejemplo, en las células solares la energía solar (radiación EM) se convierte en energía
eléctrica.

En general, en cualquier situación en la que la concentración de portadores sea menor que la de

equilibrio habrá generación de portadores. Es decir,

Si n×p < ni2 ====> generación

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 RECOMBINACIÓN

Proceso por el cual un e- de la BC pierde energía y pasa a ocupar un estado (vacío) de la BV.

Se pierde un electrón y un hueco.

La recombinación puede ser

a) Radiativa: la energía que pierde el electrón se emite en forma de luz. Por ejemplo,
principio en el que se basan los LED.

b) No radiativa: la energía se transmite a los átomos que constituyen la red cristalina, en

forma de calor.

En general, en cualquier situación en la que la concentración de portadores sea mayor que la de

equilibrio habrá recombinación. Es decir,

Si n×p > ni2 ====> recombinación

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 APLICACIONES

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