FUNDAMENTOS DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA Curso 2022-2023

RELACIÓN DE PROBLEMAS Y CUESTIONES DEL TEMA V

1. Considera un transistor NMOS fabricado sobre Si tal que el óxido de puerta tiene un espesor de 15 nm.
El óxido de puerta es SiO2, con una permitividad relativa εr = 3,9. La movilidad de electrones en el
canal es µn = 550 cm2V−1s−1. La relación entre la anchura del canal y la longitud del canal es W / L = 20.
La tensión umbral es VT = 2,3 V.
a) Determina el valor de VGS necesario para que el transistor opere en saturación con ID = 0,2 mA.
b) ¿Para qué rango de la tensión VDS el transistor operará en las condiciones especificadas en el apartado
anterior?
c) Determina la corriente ID para VDS = 20 mV. Compruebe la validez de la aproximación lineal en este
caso.
Dato adicional: permitividad del vacío ε0 = 8,854×10−14 Fcm−1.

2. El transistor del circuito de la figura 2 está caracterizado por VT = –3 V y k = 0,05 AV−2. Determina en
qué región opera el transistor y calcula VGS, VDS e ID para las siguientes tensiones de alimentación:
a) V1 = 2 V; V2 = 5 V.
b) V1 = 3,5 V; V2 = 4 V.
c) V1 = 5 V; V2 = 1 V.

4,4 kΩ
20 kΩ
1 µA
V2 50 kΩ
12 V
5V
V1

10 kΩ 400 Ω
Fig. 2
(a)
Fig. 3 (b)

3. Para los dos circuitos de la figura 3 determina en qué región opera el transistor y los valores de VGS,
VDS e ID. Parámetros del transistor: VT = 2,5 V y k = 10 mAV−2.

4. El transistor del circuito de la figura 4 se caracteriza por: VT = −3 V y k = 3 mAV−2. Determina en qué

región opera y los valores de VGS, VDS e ID para RD = 800 Ω y RD = 25 kΩ.

5V 5V
50 kΩ
16 kΩ

Vout
10 V Vin Vout
Vin
50 kΩ RD

Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6

Relación 5: Transistores 1
5. Los parámetros del transistor de la figura 5 son: VT = 2,5 V y k = 4×10−4 AV−2.
a) Determina la tensión de salida Vout para las entradas Vin = 0 y Vin = 5 V. (Observe que el circuito
opera como un inversor lógico).
b) Calcula el rango de valores de R que garantiza que Vout ≤ 0,5 V, cuando Vin = 5 V.

6. El circuito de la figura 6 corresponde a un inversor CMOS. Calcula Vout para Vin = 0 y Vin = 5 V.
Considera que para los dos transistores |VT| = 2,5 V y k = 84×10−4 AV−2.

7. El transistor del circuito de la figura 7 tiene los siguientes parámetros: VT = 1 V, k = 2 mAV−2.

Determina en que región de operación se encuentra el transistor, la corriente ID y las tensiones VGS y
VDS.

8. El transistor del circuito de la figura 8 tiene los siguientes parámetros: VT = −0,3 V; k = 0,6 mAV−2.
a) Demuestra que si VIN = VDD entonces VOUT = 0.
b) Calcula el rango de valores de RD que garantiza que cuando VIN = 0 se cumple VOUT ≥ 1,1 V.
(Sugerencia: ayúdate dibujando la recta de carga sobre unas supuestas características del transistor).

VDD = 1,2 V
500 Ω

VIN
100 Ω 20 V
VOUT

5V
RD

Fig. 7 Fig. 8

9. Dadas las siguientes curvas características de un

transistor MOSFET de canal N, calcula el valor
de la tensión umbral (VT) y el del parámetro de
transconductancia (k) del transistor.

CUESTIONES
1. Justifica por qué la corriente de puerta de un MOSFET es prácticamente nula.
2. Define o explica qué es la tensión umbral de un MOSFET.
3. ¿Qué cambia en la estructura física entre un transistor NMOS y un transistor PMOS? ¿Y qué cambia
en la manera de crear el canal de conducción?
4. ¿Cómo cambiarían las curvas características del ejercicio 9 si el transistor MOSFET fuera de canal P?

Relación 5: Transistores 2