TEMA V F E T ( Field Effectt Transistor )

Transistor de Efecto de Campo ( eléctrico ).

JFET

FET de AGOTAMIENTO o
(canal DECREMENTAL
N y MOSFET
canal
P) de BAJA POTENCIA
de ENRIQUECIMIENTO o
de ALTA POTENCIA
INCREMENTAL
o FET-V o V-FET

CMOS

JFET.- JUNCTION FIELD EFFECTT TRANSISTOR

Transistor de unión de Efecto de Campo (eléctrico)

p
D
Source Drain
N G

Fuente Drenaje
S
p

CANAL N
Gate
Compuerta

n D

G
S D
P

S
n

CANAL P
G

Equivalencias entre terminales CIRCUITO EQUIVALENTE

y sus reglas de polarización.del DE TODOS LOS FET´s
BJT  JFET
VGS
E ( pol. dir. )  S ( pol. dir. )
C ( pol. inv.)  D ( pol. inv. ) S D
B (pol. dir. )  G ( pol. inv. )
El principio de operación de un JFET se basa en polarizar de forma inversa a la
compuerta G para que no haya corriente por ella, IG = 0. Además de controlar la
magnitud de la corriente entre fuente y drenaje.

El JFET al igual que el BJT, tiene 3 configuraciones: Compuerta Común ( GC ) ,

Fuente Común ( SC ) y Drenaje Común ( DC ). Y en cada una de ellas se tienen
Curvas de Entrada y de Salida.
Configuración FUENTE COMUN.
ID = IDS

G D

VDD
VGG VGS S VDS

VDD
0V
-1V
VDD -2V
-3V
0V .
1V .15
2V
,
.
.
15 V

VGS
0V
-1V
-2V
-3V
.
.
VGSOFF = VP

ID mA ID
Canal P Canal N

VGS = 0 V
IDSS
VGS= -1 V ó = +1 V

VGS= -2 V ó = +2 V

VGS VGSOFF = VP

VGSOFF=VP …+ 3 + 2 +1 0 0 + 5 + 10 …..
VDS
15………
VGSOFF=VP = Voltaje - Canal N + Canal N
de ahorcamiento ó + Canal P - Canal P
estrangulamiento ú
oclusión
ECUACIONES DE PARAMETROS DEL JFET

Corriente de Drenaje
donde IDSS = corriente drenaje-fuente de saturación
2
IDID == IDSS
IDSS[ [11- - VVGS__
GS__] ]2
VGS off = VP = voltaje de ESTRANGULAMIENTO
VGS off
o AHORCAMIENTO u OCLUSION u OBSTRUCION
** Estos datos los proporciona el fabricante. Y en los
cálculos se tomarán sus valores constantes.
Transconductancia Mutua ( ganancia híbrida)

g m = I DS_ = dD_ = dIDSS [ 1 - VGS__ ] 2 )

VGS dVGS dVGS VGS off

= IDSS ( 2 [ 1 - VGS__ ] ) ( 0 - 1__ dVGS_ ) g m = 2 IDSS [ 1 - VGS__ ]

VGS off VGS off dVGS / VGS off / VGS off

ID
Resistencia Directa
R D = VDS_
ID

VDS

Resistencia de C.A. ID2

r d = VDS_
ID1
 I D

r d = VDS2 - VDS1_
I D2 - I D1 VDS1 VDS2

Factor de Amplificación ( de voltaje )

= VDS_ = VDS_ I D_  = r d g m

VGS I DVGS

Nota: Esta ecuación se aplica si r d y g m se calculan al mismo VGS

Ejemplo Numérico.- De las siguientes curvas de un JFET, determine:

IDS = ID

mA I = 0.12 mA

VGS VDS

Volts 4.5 2 0 0 -4 -7 - 12 Volts

a) Tipo de canal
b) ID para el punto A
c) gm para el punto A
d) RD para el punto C G  + = pol. inv.  material N y
e) rD para los puntos B y D el canal será P
f) 

D  - = pol. inv.  material P y el canal será P

b) ID = IDSS [ 1 - VGS__ ] 2 = 6 mA (1- 2 V )2 = 1.85 mA

VGS off 4.5 V

c) g m = 2 IDSS [ 1 - VGS__ ] = 2(6 mA) [ 1- 2V ] = 1.48 mMhos

/ VGS off / VGS off 4.5 V 4.5 V con Vgs = 2 V

d) R D = VDS_ = 7 V = 1.106 K

ID 6 mA

e) r d = VDS2 - VDS1_ = 12 V – 4 V = 66.667 Kcon Vgs = 0 V

I D2 - I D1 6.06 – 5.94 mA

f= r d g m = 66.667 K(2.667 mMhos) = 177.8

g m = 2 IDSS [ 1 - VGS__ ] = 2(6 mA) [ 1- 0 V ] = 2.667 mMhos

/ VGS off / VGS off 4.5 V 4.5 V con Vgs = 0 V

MOSFET.- Metal Oxide Semiconductor or Sustrate FET

Transistor de Efecto de Campo ( con capas ) de Metal, Óxido ( aislante )
y Sustrato de semiconductor.

**Nota: Son llamados también Transistores de Compuerta Aislada.

MOSFET de AGOTAMIENTO o DECREMENTAL ó EMPOBRECIMIENTO

S G D Metal
( Contactos )
D
Óxido
( Aislante SiO2)
Sus-
trato
P
N Sustrato
(Semiconductor)
G S
P

CANAL N

S G D Metal
( Contactos )
D
Oxido
( Aislante SiO2)
Sus-
trato
N
P Sustrato
(Semiconductor)
G S
N

CANAL P

El principio de operación de este tipo de transistores se basa en la forma en que

funciona un capacitor normal. Esto es, a través de la polarización de las moléculas del
dieléctrico ó aislante.
Conectamos una de las placas metálicas de un capacitor a una terminal de una fuente de
alimentación y la otra terminal del capacitor se deja volando, dicha placa conectada
transmite a su “superficie exterior”, la carga que polariza las moléculas del dieléctrico
sucesivamente hasta que los polos de las moléculas que quedan en la parte inferior
atraen las cargas y las concentran en la superficie de la otra placa que queda en contacto
con el dieléctrico.
Aplicamos este principio a los Mosfet’s, y la regla de polarización que se establece será
para controlar la corriente entre fuente y drenaje, no por estrangulamiento del canal y
evitando tener la corriente de compuerta IG. Por el contrario debido a que por
construcción es imposible tener la corriente de compuerta IG entonces el control de la
corriente fuente- drenaje se hará “agotando” el canal.

S G D
Polarización:

S  directa

D  inversa

G  Polarización = N
al Tipo de Canal
P

También los Mosfet’s de agotamiento presenta las 3 configuraciones, de las cuales la

más usual es la de Fuente Común.

Configuración Fuente Común.

 ID = IDS

VDD

VGG

VGS VDS

ID (mA)

VGS = 0 V
IDSS
VGS = + 1 V

VGS = + 2 V

VGS VGSOFF = VP

(Volts) VGSOFF +2 +1 0 0 +5 + 10 + 15 + 20 VDS (Volts)

- Canal N + Canal N
+ Canal P - Canal P

En vista de que las curvas del Mosfet de agotamiento son idénticas a las del JFET,
todos los parámetros y variables del JFET, son los mismos para el Mosfet. De tal
manera que las fórmulas son las mismas, y el problema propuesto para el JFET podría
haber sido también para el Mosfet. Pero podría entonces haberse planteado como sigue:

Ejemplo numérico: De las siguientes curvas de un FET, determine:

a) Tipo de FET S G D
b) Tipo de canal
c) ID para el punto A
d) gm para el punto A
e) RD para el punto C
f) rD para los puntos B y D
g) S G D

En resumen:
 Los Mosfet’s de agotamiento poseen un canal físico entre fuente S y
drenaje D (continuidad de material)
 La polarización de la compuerta G, será para “agotar” el canal.

MOSFET de ENRIQUECIMIENTO o INCREMENTAL.

S G D Metal
( Contactos )
D
Oxido
( Aislante SiO2)
Sus-
trato
P
Sustrato
(Semiconductor)
G S

CANAL N

S G D Metal
( Contactos )
D
Oxido
( Aislante SiO2)
Sus-
trato
N
Sustrato
(Semiconductor)
G S

CANAL P

El principio de operación de este tipo de Mosfet es similar al Mosfet de agotamiento

solo que, en este no hay canal que agotar. Por tanto su funcionamiento será con la
siguiente regla de polarización para “crear” un canal entre fuente S y drenaje D.
En resumen:
 Los Mosfet’s de enriquecimiento NO poseen un canal físico entre fuente S y
drenaje D
 La polarización de la compuerta G, será para “crear” el canal

S G D

Polarización:

S  directa

D  inversa

G  Polarización
contraria al Tipo de
Canal

También con este dispositivo se tienen las 3 configuraciones de trabajo, Fuente Común
SC, Drenaje Común DC y Compuerta Común GC. De las cuales se explicará la más
usual, la de Fuente Común.

Configuración Fuente Común.

ID = IDS

VDD

VGG

VGS VDS
 ID (mA)

VGS > > >VT

VGS > > VT

VGS > VT

VGS < VT

0 VT VGS 0 +5 + 10 + 15 + 20 VDS
(Volts) (Volts)

+ Canal N + Canal N
- Canal P - Canal P

En vista de que las curva de Entrada cambió, la ecuación para determinar la corriente de
drenaje ID también debe hacerlo, así como la Transconductancia Mutua gm .

ECUACIONES DE PARAMETROS DEL MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO.

Corriente de Drenaje

ID = K [ VGS - VT ]2 * solo si / VGS / > / VT /

si / VGS / < / VT /  ID = 0

donde K = es dato del fabricante, pero si no lo proporciona, entonces se asume:

K = 0.3 mA = valor de default
V2
VT = VOLTAJE DE UMBRAL =dato de fabricante

Transconductancia Mutua

g m = I DS_ = dD_ = d K [ VGS - VT ] 2 )

VGS dVGS dVGS

= K ( 2 [ VGS - VT ] 2-1 ) ( dVGS - 0 )

dVGS

g m = 2 K / VGS - VT / * solo si / VGS / > / VT /

si / VGS / < / VT /  g m = 0
 ID
Resistencia Directa

R D = VDS_
ID

VDS

Resistencia de C.A.
ID2
r d = VDS_
 I D ID1

r d = VDS2 - VDS1_
I D2 - I D1
VDS1 VDS2

Factor de Amplificación ( de voltaje )

= VDS_ = VDS_ I D_  = r d g m

VGS I DVGS

Nota: Esta ecuación se aplica si r d y g m se calculan al mismo VGS

Ejemplo numérico.- Se dán las siguientes curvas de un FET, determine:

ID = IDS ( mA )

ID = 0.075 mA

C
B E
D
A VT

VGS VDS
-1 -2 -3 -3.5 -5 -12 -19

a) Tipo de FET
b) Tipo de canal
c) ID para C
d) g m para A
e) RD para C
f) r d para el intervalo D - E
g) 
a) Por tener un VT = Voltaje de umbral que es exclusivo de los Mosfet de
Enriquecimiento (ME), concluiremos que es un MOSFET de ENRIQUECIMIENTO

b) Tomando la curva de entrada se observa que VGS = - que corresponderá a G, si la

regla de polarización de los ME dice que G se polariza de forma contraria al tipo de
canal, se tendrá entonces que el Tipo de Canal deberá ser P.

Si tomamos la curva de salida veremos que VDS = - que corresponde a D, y la regla de

polarización de los ME establece que D se polariza en forma inversa al material que es.
Por tanto, el Tipo de Canal es P.

c) ID para el punto C  Vgs = -3.5 V

ID = K [ VGS - VT ] 2 * solo si / VGS / > / VT /

El punto C tiene una VGS = - 3.5 V entonces /-3V/ > /-2V/  SI

ID = 0.3 mA ( -3.5V- (-2V))2  ID = 0.675 mA

V2

d) g m para A  Vgs = -1 V

g m = 2 K / VGS - VT / * solo si / VGS / > / VT /

El punto A tiene Vgs = -1 V entonces / -1 V / > / -2 V /  NO

Entonces si / VGS / < / VT /

/ -1V / < / -2 V /  SI por tanto g m = 0

e) RD para C

R D = VDS_ = 12 V  R D = 17.77 K

ID 0.675 mA

f) r d para el intervalo D – E

r d = VDS2 - VDS1 = 19 – 5 V_________ = 14 V__  rd =186.66 K

I D2 - I D1 (0.675 + 0.075 ) – (0.675 – 0.075) 0.075 mA con Vgs = - 3.5 V
2 2
g) 
= rd g m se requiere que ambos valores estén calculados al mismo VGS 

entonces calculamos gm con VGS = - 3.5 V y preguntamos si / - 3.5 V/ > /- 2 V/  SI

Entonces g m = 2 K / VGS - VT / = 2 (0.3 mA) / -3.5 V – (-2V) /  g m = 0.9 mMhos

V2
= rd g m = 186.66 KmMhos) = 167.99  = 168
FET-V ó V-FET

El FET-V es un Mosfet de enriquecimiento de alta potencia o gran corriente que opera

con flujos de corriente vertical, esto es, para permitir que un mayor volumen del cuerpo
participe y asegure las corrientes altas.

Un método de aumentar la capacidad de conducción es tener varios cortes, aunque éstos

deben ser en un número conveniente.

Este Mosfet de enriquecimiento cumple todas los parámetros y variables de los de

potencia baja.

S G

N N

N+

** NOTA Los Mosfet’s de Enriquecimiento no se pueden tocar directamente sin

dañarlos. Se recomienda usar una pulsera de cobre “aterrizada” o unas
pinzas antiestáticas.
C MOS.- Complementary MOS
Conexión Complementaria de Mosfet’s de Enriquecimiento.

Conexión Complementaria de cualquier dispositivo = conexión de los 2 tipos de

dispositivos que existan. Ejemplo: los 2 BJT’s, el NPN y el PNP ó 2 FET’s, el
CANAL N y el CANAL P.

Las denominaciones de MOSFET de ENRIQUECIMIENTO se pueden abreviar con

los respectivos tipos de canal, así tenemos: el p-mos ( MOSFET de
ENRIQUECIMIENTO CANAL P ), y el n-mos ( MOSFET de
ENRIQUECIMIENTO CANAL N ).

+ VSS = +5 V

_ p-mos

Vi Vo
+5V -=0V
-=0V n-mos +5V

-=0V

Este circuito CMOS se puede aplicar como una compuerta digital lógica cuya función
sería:
Compuerta: Inversora ó Negadora ó NOT

Existen en la Electrónica Digital tecnologías p-mos en donde todos los circuitos son
solo mosfet de enriquecimiento canal P. También en la tecnología n-mos todos los
circuitos son mosfet de enriquecimiento canal N. Y por último. En la tecnología CMOS,
todos los transistores son mosfet de enriquecimiento tanto canal N como canal P.