0 calificaciones0% encontró este documento útil (0 votos)
10 vistas1 página
El documento habla sobre los transistores JFET y MOSFET, explicando que cuando hay saturación entre la terminal de drenaje y la fuente, el canal se estrecha o estrangula al aumentar la tensión, lo que lleva a un aumento de la resistencia y menor incremento de la corriente ante la misma tensión.
El documento habla sobre los transistores JFET y MOSFET, explicando que cuando hay saturación entre la terminal de drenaje y la fuente, el canal se estrecha o estrangula al aumentar la tensión, lo que lleva a un aumento de la resistencia y menor incremento de la corriente ante la misma tensión.
El documento habla sobre los transistores JFET y MOSFET, explicando que cuando hay saturación entre la terminal de drenaje y la fuente, el canal se estrecha o estrangula al aumentar la tensión, lo que lleva a un aumento de la resistencia y menor incremento de la corriente ante la misma tensión.
El día de hoy se realizó una introducción a los transistores JFET y MOSFET, al
hablar de ello no podemos dejar de lado lo que ocurre, que es llamado estrangulamiento, esto sucede cuando hay saturación en la terminal de drenaje y la fuente, al continuar aumentando la tensión DS, el canal se vuelve más estrecho o angosto a medida que avanza, más que nada cerca de la zona del drenador, hasta llegar al punto donde ambas zonas de reflexión se tocan. El estrechamiento es muy importante por lo cual lleva un aumento de la resistencia y por lo tanto un menor incremento en la corriente ante el mismo incremento de la tensión.