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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE ALTAMIRA

Proyecto:
“PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES”

Tema:
DESCRIBIR LAS ESTRUCTURAS BÁSICAS DE UNIONES PN (P-N)

Asignatura:
ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

Altamira, Tamaulipas

Diciembre, 2022
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ÍNDICE

Unión PN………………………………………………………………………………………….3
Bandas…………………………………………………………………………………………… 5 ……

Unión NPN y PNP, transistor BJT………………………………………………………… …… …..

8
Transistor BJT………………………………………………………………………… . ……….

….8
Unión
NPN………………………………………………………………………………….9
Elaboración del transistor NPN……………………… …..

………………………....9
Unión PNP………………………………………………… …………………………. ……….

….11
Fabricación del transistor PNP………………………………………...………
11
Esquema NPN y PNP…………………………………… ……………………….. ……

…….12
Comparación entre transistores NPN y PNP………… ….

……………………………….12
NPN……………………………………………… ………………………………12 ..

PNP………………………… ………………………………………….………..13
………

Unión Al, SiO2, P, Transistor JFET, MOSFET……………………………………… .……… ……..

15
Transistor JFET………………………………………………………………… …..…… ….

15
Transistor MOSFET………………………………………………………………..
…….16
Unión Al ………………………………………………………………………… ……..

………..18
 3

Unión SiO2…………………………………………………………………………..
…….18
Unión P………………………………………………………………………… ……... ….

….19

Unión PNPN: Tiristores……………………………………………………………… .

………...21
Tiristores………………………………………………………………………… ………..21 .

Unión PNPN…………………………………………………………………… ………… ….

22
Activación del Tiristor………………………………………………………… ..

………….24
Tipos de Tiristores…………………………………………………………… ……. ..

…….25
Modos de error……………………………………………………………… …….. ……..

…….25
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DESCRIBIR LAS ESTRUCTURAS BÁSICAS DE UNIONES PN (P - N)

Un semiconductor extrínseco es aquel al que se le añade átomos de impurezas para

modificar su conductividad eléctrica. A este hecho se le denomina “dopar” un
semiconductor, por lo que un semiconductor extrínseco es lo mismo que un
semiconductor dopado. Se puede dopar un semiconductor para que tenga un exceso
de electrones o huecos, por lo que existen dos tipos de semiconductores dopados.

Los semiconductores extrínsecos del tipo N están formados por átomos de material
semiconductor, Silicio o Germanio, al que se le añade impurezas con átomos de otro
material con 5 electrones de valencia. Como los átomos del material semiconductor
tienen 4 electrones de valencia y los átomos de las impurezas 5, se pueden formar 4
enlaces covalentes y sobrará un electrón por cada átomo de impureza que quedará
libre. Este electrón libre será el portador de electricidad. En los semiconductores del tipo
N los electrones son los portadores de electricidad.

Los semiconductores extrínsecos del tipo P son material semiconductor a los que se les
añade átomos de impurezas con 3 electrones de valencia. En este caso cada átomo del
material semiconductor solo podrá formar 3 enlaces con los átomos de impurezas. Los
átomos semiconductores tienen un hueco esperando a que llegue un electrón para
formar el enlace que le faltará. En este tipo de semiconductores los huecos serán los
portadores para la conducción.

Unión PN
Se podría pensar que la unión se puede formar simplemente pegando un material
semiconductor N con otro P, pero esto no es así, además de estar en contacto, deben
tener contacto eléctrico. Lógicamente, la suma de las cargas de los dos cristales antes
de la unión, será neutra.

En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en espera de

ser rellenados por electrones. Si ahora los unimos, los electrones del material N, que
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están más cerca de la franja de la unión, serán atraídos por los huecos de la zona P
que están también más cerca de la unión. Estos electrones pasarán a rellenar los
huecos de las impurezas más cercanos a la franja de unión.

Un átomo de impureza de la zona P que era neutro, ahora tiene un electrón más
llegado de la zona N para formar enlace en el hueco que tenía. Este átomo de impureza
ahora quedará cargado negativamente (un electrón más) y se convertirá un anión o ión
negativo.

Así mismo un átomo de impureza de la zona N quedará cargado positivamente porque

se le ha ido un electrón y se convertirá un catión o ion positivo. Esto provoca que en la
franja de la unión PN tengamos por un lado carga negativa y por el otro positiva,
negativa en la zona P que antes de la unión era neutra y positiva en la zona N que
antes también era neutra. La franja con cationes y aniones se llama región de
agotamiento o zona de difusión, tal como se muestra en la Figura 1.

Figura 1.
Región de

Llega un momento que un nuevo electrón de la zona N intente pasar a la zona P y se

encontrará con la carga negativa de la región de agotamiento en P (los iones negativos
formados), que le impedirán el paso (cargas iguales se repelen). En este momento se
acabará la recombinación electrón-hueco y no habrá más conducción eléctrica.

Además, la zona N que antes era neutra ahora tendrá carga positiva ya que se han ido
de ella electrones, y la zona P, que antes también era neutra, ahora será negativa, ya
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que ha recogido los electrones que abandonaron la otra zona, tal como se muestra en
la Figura 2. La unión PN deja de ser eléctricamente neutra.

Figura 2.
Cargas de

Aun así, la parte N, fuera de la región de agotamiento, seguirá teniendo electrones

libres que no formar enlaces con átomos de semiconductor puro, y la parte P seguirá
teniendo huecos. Por eso en la Figura 2 se observa el signo - en la zona N como el más
abundante y el signo + en la P como más abundante (portadores mayoritarios).

Importante mencionar que en la región de agotamiento habrá cationes y aniones, es

decir un potencial positivo a un lado y un potencial negativo al otro, por lo que entre N y
P habrá una diferencia de potencial (d.d.p.) o tensión ya que la unión ahora ya no es
eléctricamente neutra.

Bandas

Cada átomo o molécula en un gas está a una distancia muy grande de sus vecinos, de

modo que puede ser tratado, (desde el punto de vista de los niveles de energía) como
aislado de sus alrededores.

De manera similar a los átomos aislados de gas, podemos tratar a unos pocos átomos
de un material (el cuál se presenta como impurezas de átomos) los cuáles son
añadidos a un medio sólido homogéneo de otra sustancia.

En contraste con los niveles de energía separados de un gas, o de un pequeño número

de átomos como impurezas en un medio sólido, los electrones en un semiconductor
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están en bandas amplias de energía, las cuales están compuestas de un gran número
de niveles de energía agrupados por efectos cuánticos (esto proviene de una
simulación).

Estas bandas de energía pertenecen al material completo y no están asociadas con un

único átomo. La anchura de la banda aumenta conforme disminuye la distancia entre
los átomos, y la interacción entre vecinos aumenta.

Las bandas de energía en un semiconductor se dividen en dos grupos:

 Banda de Valencia: Los electrones en la banda de valencia están ligados a los
átomos del semiconductor.
 Banda de Conducción: Los electrones en la banda de conducción están libres y
pueden moverse por el semiconductor.

La separación entre la banda de valencia y la de conducción es llamada Separación de

Energía, y en esta región no hay niveles de energía de los electrones. Si un electrón de
la banda de valencia tiene suficiente energía, puede "saltar" a la banda de conducción
superando la diferencia de energía entre las dos bandas.

Las bandas de energía llenas son los niveles de energía de los electrones internos, los

cuales están ligados al átomo, y no participan en los enlaces entre los átomos del
sólido. Para que el sólido tenga conductividad eléctrica, los electrones han de moverse
en el sólido.
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FUENTES DE INFORMACIÓN

 https://www.um.es/LEQ/laser/Ch-6/F6s3p3.htm#:~:text=Las%20bandas%20de
%20energ%C3%ADa%20en,pueden%20moverse%20por%20el
%20semiconductor.

 https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/07/18/semiconductor-
extrinseco-n-y-p/#:~:text=Un%20semiconductor%20extr
%C3%ADnseco%20es%20aquel,mismo%20que%20un
%20semiconductor%20dopado.
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a) UNIÓN NPN Y PNP, TRANSISTOR BJT

TRANSISTOR BJT

Un transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que suelen utilizarse para

amplificar o como un interruptor electrónico. Posee la capacidad de amplificar una señal
dada en su entrada o también como medio de conmutación de cargas; utilizando como
acción una pequeña señal de voltaje por uno lo hace muy útil en el campo de la
electrónica. Tenemos 2 tipos de transistores básicos, el transistor de unión bipolar
conocido como BJT y el transistor de efecto de campo conocido como FET.

El transistor de unión bipolar (BJT) tiene 3 áreas semiconductoras que están dopadas

de manera diferente. Estas 3 zonas que están acopladas de maneras diferentes tienen
los nombres de base (B), colector (C) y emisor (E), tal como se muestra en la Figura 3.

Figura 3.
Representa
 
 La zona E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona encargada de
“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
 La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor.
Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por
el emisor hacia el colector.
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 La zona de C (colector), es encargada de recoger o “recolectar” los portadores

inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la
zona con un nivel de dopado inferior a las tres.
El área destinada para la base está ligeramente más delgada en comparación con las
otras 2 (colector y emisor). La región colectora está moderadamente dopada mientras
que la región emisora está fuertemente dopada. Los transistores de unión bipolar
pueden ser de tipo NPN o PNP.

Independientemente del tipo, un BJT tiene dos uniones PN que deben polarizarse
correctamente con un voltaje de CC externo para funcionar correctamente. Una de
estas uniones se llama unión base-emisor, que conecta las regiones base y emisor y la
otra es la unión base-colector, que conecta las regiones base y colector.

UNIÓN NPN
La primera letra N indica una capa del material con carga negativa y una P indica una
capa con carga positiva. Estos transistores tienen un área positiva que se encuentra
entre dos capas negativas. 

Los transistores NPN se utilizan generalmente en circuitos de conmutación,

amplificando las señales eléctricas que pasan a través de ellos. Estos transistores están
compuestos por 3 terminales (base, colector y emisor) y por medio de estos terminales
o conductores se conecta el transistor a la placa o circuito electrónico. Cuando una
corriente fluye a través del transistor NPN, el terminal de la base del transistor recibe la
señal eléctrica, el colector genera una corriente eléctrica más fuerte que la que pasa por
la base y por el emisor pasa esta corriente más fuerte al resto del circuito.

Este tipo de transistor se usa generalmente gracias a su facilidad de producir. Para que

el transistor NPN funcione correctamente, debe de estar constituido por un
material semiconductor, que es el que permite pasar algo de corriente eléctrica, no de la
misma cantidad que lo harían otros materiales conductores como los metales.
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Elaboración del transistor NPN

El voltaje en el terminal de la base es positivo y negativo en el terminal para un
transistor NPN. El terminal de la base siempre es positivo con respecto al terminal del
emisor, pero también el voltaje de alimentación del colector es positivo con respecto al
terminal del emisor. En el transistor NPN, el colector está conectado al VCC a través de
la resistencia de carga RL. Esta resistencia de carga limita la corriente que fluye a
través de la corriente base máxima. 

La característica principal de la acción del transistor es el vínculo entre los circuitos de

entrada y salida. Para las propiedades de amplificación del transistor provienen del
control que consigue que la base emplea sobre la corriente del colector al emisor. El
transistor es un dispositivo que funciona con corriente. Cuando opera el transistor, la
corriente IC fluye entre el colector y el emisor dentro del transistor como se muestra en
la Figura 4. Sin embargo, esto solo ocurre cuando una pequeña corriente de
polarización Ib fluye a través del terminal base del transistor. 

Figura 4.
Configuraci

Es un transistor NPN bipolar; la corriente es la relación de estas dos corrientes (Ic / Ib),
la cual es denominada ganancia de corriente continua del dispositivo y se denota con el
símbolo “hfe” o actualmente beta. El valor de beta puede ser bastante hasta unos 200
para transistores estándares, esta relación entre Ic e Ib es lo que hace que el transistor
sea un amplificador muy útil en la electrónica. Cuando este transistor NPN se usa en
 12

una región activa, Ib proporciona la entrada e Ic proporciona la salida. Beta no tiene

unidades, ya que es una proporción.

La ganancia de corriente del transistor desde el colector al emisor se llama alfa, es decir
Ic / Ie es una función del transistor mismo. Como la corriente del emisor Ie es la suma
de una corriente pequeña en base y una corriente grande en el colector, el valor de alfa
está muy cerca de la unidad y para un transistor de señal de baja potencia típico, este
valor varía en aproximadamente 0,950 a 0,999.

UNIÓN PNP

El PNP, la primera letra P indica la polaridad del voltaje requerido para el terminal del
emisor; la segunda letra la N indica la polaridad del terminal para la base. El
funcionamiento del transistor del tipo PNP es exactamente opuesto al del transistor
NPN. También tenemos que este tipo de transistor los mayores portadores de cargas
son huecos. 

Los materiales que son utilizados para construir los terminales del emisor, la base y del
colector en el transistor PNP son muy diferentes de los que se utilizan en el transistor
NPN. La configuración de polarización del transistor PNP se muestra en la Figura
5. Encontraremos en los terminales del colector a base del transistor PNP siempre
tienen polarización inversa, luego se debe usar el voltaje negativo para el colector.

Figura 5.
Configuraci
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Fabricación del Transistor PNP

Las características de fabricación de los transistores PNP y NPN son similares, excepto
que la polarización de las direcciones de voltaje y corriente se invierte para cualquiera
de las tres configuraciones posibles, como una base común (CB), un emisor común
(CE) y un colector común (CC). El voltaje entre la base y el terminal del emisor VBE es
negativo en el terminal de la base y positivo en el terminal del emisor porque para un
transistor PNP, el terminal de la base siempre está polarizado en negativo con respecto
al emisor. Además, el voltaje del emisor es positivo con respecto al colector (VCE).

Las fuentes de voltaje conectadas a un transistor PNP, el emisor está conectado a Vcc
con el RL, esta resistencia que posee limita la corriente máxima que fluye a través del
dispositivo, que está conectado al terminal del colector. El voltaje base VB está
conectado a la resistencia base RB, que está polarizada negativamente con respecto al
emisor. Para hacer que la corriente base fluya durante un transistor PNP, el terminal
base debe ser más negativo que el terminal emisor en un aproximado de
unos 0,7v(voltios) o un dispositivo de Si.

ESQUEMA NPN Y PNP

Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, se debe identificar la
terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En la Figura
6 y la Figura 7 se muestra un esquemático del transistor tipo NPN–PNP y se puede
observar que la única diferencia es la orientación de la flecha.

Figura 6. Cuando la flecha del Figura 7. Cuando la flecha

emisor apunta a la terminal apunta a la terminal emisor, es
base es un transistor tipo PNP un transistor tipo NPN
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COMPARACIÓN ENTRE TRANSISTORES NPN Y PNP

NPN
 En esto están presentes la mayoría de tipo N.
 La mayoría de las concentraciones de los portadores son electrones.
 Si la base del terminal se alimenta con la mayor cantidad de corriente, el
transistor pasa al modo encendido o conmutado.
 En el transistor NPN, el flujo de corriente será desde el colector hasta el terminal
del emisor.
 En este transistor, la flecha apunta hacia afuera.

PNP
 Están presentes la mayoría de los materiales de tipo P.
 La mayoría de las concentraciones de los portadores en este tipo de transistores
son huecos.
 Para los valores bajos de las corrientes, el transistor está encendido o
conmutado. De lo contrario, para valores altos de transistores de corriente, está
apagado o abierto.
 En el transistor PNP, el flujo de corriente se puede ver desde los terminales del
emisor al colector.
 En este transistor, la indicación de la flecha siempre apunta hacia adentro.
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FUENTES DE INFORMACIÓN

 https://concepto.de/transistor/#ixzz7mjbZzUP7
 https://transistores.info/transistor-de-union-bipolar-bjt/
 https://uelectronics.com/transistores-bjt/
 https://transistores.info/transistores-npn-y-transistores-pnp/
 https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/transistor-pnp
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b) UNIÓN Al, SiO2, P, TRANSISTOR JFET, MOSFET

TRANSISTOR JFET
También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del
acrónimo inglés Junction Field Effect Transistor. es un dispositivo semiconductor que
controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo
eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor JFET está
compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
impurezas tipo P llamadas compuerta (Gate) y que están unidas entre sí.

La principal característica de este tipo de transistores es que prácticamente no

requieren de corriente de entrada en su terminal de control. Permite el paso, o no, de
corriente entre sus terminales Source (Fuente) y Drain (Drenador) mediante la
aplicación de voltaje en su terminal Gate (Puerta), ver Figura 8. La región que existe
entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama

“canal”.

La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S), tal como se muestra en la Figura 9.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar o BJT. El
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y
la compuerta o se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

Figura 8.
Terminales
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A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del
terminal drenador o Drain al terminal fuente o Source. La tensión -Vgg para la que el
canal queda cerrado se llama “punch-off” y es diferente para cada JFET.

Figura 9.
Estructura

Al no necesitar corrientes de polarización, se puede reducir el número de componentes

externos necesarios para hacerlo funcionar. Consiguen velocidades de
conmutación (tiempo de paso de conducción a no conducción y viceversa) mayores que
los transistores bipolares, por lo que se usan preferentemente en Electrónica Digital.

La magnitud de la corriente que fluye a través del canal entre los terminales de drenaje
y fuente se controla mediante un voltaje aplicado al terminal de puerta, que tiene
polarización inversa. En un JFET de canal N, este voltaje de puerta es negativo,
mientras que para un JFET de canal P, el voltaje de puerta es positivo.

La principal diferencia entre el JFET y un dispositivo BJT es que cuando la unión JFET
tiene polarización inversa, la corriente de la puerta es prácticamente cero, mientras que
la corriente base del BJT siempre tiene un valor mayor que cero.

TRANSISTOR MOSFET
Es un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN, como el transistor
bipolar, ya que, en éste, el movimiento de carga se produce exclusivamente por la
existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo.
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El transistor MOSFET está basado en la estructura MOS. En los MOSFET

de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la puerta y el
sustrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias
al efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en
la región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de inversión.

La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de

silicio, puro o poco dopado P o N, sobre el cual se genera una capa de SiO2 que, posee
características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada.
Por último, sobre esta, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en
contacto con la cápsula, como se ve en la Figura 10.

Figura 10.
Estructura

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el que G y B

son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando V GB=0, la carga
acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.

Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de Puerta y sustrato.
La región semiconductora P responde creando una región de empobrecimiento de
cargas libres P + (zona de deplexión), al igual que ocurriera en la región P de una
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unión PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta región de iones negativos, se

incrementa con VGB.

Al llegar a la región de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de

empobrecimiento, no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca la
acumulación de cargas negativas libres (e–) atraídos por el terminal positivo. Se dice
entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión débil a inversión fuerte.

El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del sustrato, debajo de

la región de puerta. En inversión fuerte, se forma así un CANAL de e– libres, en las
proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p+ en el extremo de la puerta.

La intensidad de Puerta I G, es cero puesto que, en continua se comporta como un

condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la puerta al
sustrato es prácticamente infinita e IG=0 siempre en estática. Básicamente, la
estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres suficiente para
sustentar una corriente eléctrica.

UNIÓN Al
La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de
silicio, puro o poco dopado P o N, sobre el cual se genera una capa de SiO2 que, posee
características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada.
Por último, sobre esta, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras, tal como la Figura 11.

Figura 11.
Estructura
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UNIÓN SiO2
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2). El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky. Los FREDFET es un FET
(transistor de efecto) especializado diseñado para otorgar una recuperación ultrarrápida
del transistor. Es decir, cuando el aislante utilizado es dióxido de Silicio (SiO 2) el
dispositivo se denomina MOSFET.

UNIÓN P
Los MOSFET avanzados se pueden clasificar en dos tipos según el tipo de sustrato
dopado utilizado (tipo N o tipo P) es como la clasificación que tienen los transistores de
tipo PNP y NPN.
 MOSFET de tipo saturación de canal N.
 MOSFET de saturación tipo canal P.

En el de tipo P se tienen las siguientes características:

 El sustrato de tipo N ligeramente dopado forma el cuerpo del dispositivo, S y el D
están fuertemente dopados con impurezas de tipo P.
 El canal P tiene agujeros como portadores primarios.
 Tiene una capacitancia interna más alta y una movilidad de orificio baja, lo que
hace que funcione a una velocidad de conmutación más baja en comparación
con el tipo N.
 El voltaje de G aplicado es negativo (-) para encender el dispositivo, ver Figura
12.
 Mayor resistencia al agua en comparación con el tipo N.
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Figura 12.
MOSFET

Los MOSFET de canal N se denominan NMOS y los de canal P se denominan PMOS.

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FUENTES DE INFORMACIÓN

 https://tallerelectronica.com/transistor-jfet/
 https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet
 https://usuaris.tinet.cat/fbd/electronica/tiristor/tiristor/tiristores.html
 https://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor#Tiristores_de_carburo_de_silicio
 https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html
 https://respuestasrapidas.com.mx/que-es-union-al-sio2-p-jfet-mosfet/
 https://transistores.info/principios-y-funcionamientos-del-mosfet/
 http://conocimientosfet.blogspot.com/2010/03/fabricacion-de-jfet.html
 https://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_5.html

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c) UNIÓN PNPN: TIRISTORES

TIRISTORES
El tiristor es un semiconductor de potencia que se utiliza como interruptor, ver Figura
13, ya sea para conducir o interrumpir la corriente eléctrica, a este componente se le
conoce como de potencia por que se utilizan para manejar grandes cantidades de
corriente y voltaje, a comparación de los otros semiconductores que manejan
cantidades relativamente bajas.

Figura 13.
Símbolo

Cuando se habla de tiristores comúnmente se cataloga al tiristor como un SRC (silicon

controlled rectifier), pero esto no es del todo correcto ya que este tipo es el más popular
y conocido, pero no es el único que existe.

Los tiristores están conformados por 3 terminales (Ver Figura 14) un ánodo, un cátodo y
una compuerta o mejor conocida “gate”, su funcionamiento se asemeja al de un
relevador o un interruptor mecánico, Ya que cuando aplicas una corriente a la terminal
gate este se activa y obtiene la característica de dejar pasar a la electricidad, es decir,
está formado por elementos que utilizan la realimentación interna para producir la
conmutación de corriente y, según la temperatura de trabajo, podrán ser de diferentes
materiales, así como servir de aislantes o conductores.

Figura 14.
Component
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El tiristor es el equivalente a un interruptor mecánico, salvo que en términos

electrónicos. Por lo tanto, puede dejar pasar o bloquear el paso de corriente eléctrica.
Cuando recibe un pulso momentáneo en su terminal de control (impulso eléctrico), el
tiristor pasa a encendido y cuando se interrumpe la fuente de tensión, o sea que abre
el circuito eléctrico, es cuando es apagado. Se debe tener en cuenta que cada tipo de
tiristor tiene su capacidad máxima, por lo que debe operar en dichos rangos para evitar
que se dañen los circuitos que lo contienen.

UNIÓN PNPN
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura PNPN con tres
uniones PN tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La Figura 15 muestra el
símbolo del tiristor y una sección recta de tres uniones PN. Los tiristores se fabrican por
difusión.

Figura 15.
Símbolo

Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J 1 y
J3 tienen polarización directa o positiva. La unión J 2 tiene polarización inversa, y solo
fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el
tiristor está en condición de bloqueo directo o en estado desactivado llamándose a la
corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo al cátodo VAK se
incrementa a un valor lo suficientemente grande la unión J 2 polarizada inversamente
entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa V BO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarización directa, habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres
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uniones que provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el
dispositivo está en estado de conducción o activado.
La caída de voltaje se deberá a la caída óhmica de las cuatro capas y será pequeña,
por lo común 1V. En el estado activo, la corriente del ánodo está limitada por una
impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la Figura 16.
La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través de
la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje del ánodo al cátodo, el dispositivo
regresará a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del
ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción
inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la
compuerta. En la Figura 16 aparece una gráfica característica V-i común de un tiristor.  

Figura 16.
Circuito

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y ya no

hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión J 2 no
existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin
embargo, si se reduce la corriente directa del ánodo por debajo de un nivel conocido
como corriente de mantenimiento I H, se genera una región de agotamiento alrededor de
la unión J2 debido al número reducido de portadores; el tiristor estará entonces en
estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es
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menor que la corriente de enganche, I L. Esto significa que IL>IH. La corriente de

mantenimiento IH es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en estado
de régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de
enganche.
Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, la unión J 2 tiene
polarización directa, pero las unioneJ 1 y J3 tienen polarización inversa. Esto es similar a
dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará
en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente
de fuga inversa IR, fluirá a través del dispositivo.

ACTIVACIÓN DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.
 Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en el número
de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este aumento
en las corrientes hará que 1 y 2 aumentan. Debido a la acción regenerativa (1+2)
puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activación
puede causar una fuga térmica que por lo general se evita.

 Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los
pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La activación de tiristores por
luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.

 Alto voltaje. Si el voltaje directo ánodo al cátodo es mayor que el voltaje de

ruptura directo vbo, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una
activación regenerativa. Esta activación puede resultar destructiva por lo que
debe evitarse.

 Dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente

de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor.
Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor por lo que el dispositivo
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debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt máximo
permisible de los tiristores.

 Corriente de compuerta. Si un tiristor está polarizado en directa, la inyección de

una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la
compuerta y las terminales del cátodo activará al tiristor. Conforme aumenta la
corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo.

TIPOS DE TIRISTORES
 Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el
punto más cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar
el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación,
los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la
construcción física y del comportamiento de activación y desactivación, en general los
tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:
1) Tiristores de control de fase (SCR)
2) Tiristores de conmutación rápida (SCR)
3) Tiristores de desactivación por compuerta (GTO)
4) Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC)
5) Tiristores de conducción inversa (RTC)
6) Tiristores de inducción estática (SITH)
7) Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9) Tiristores controlados por MOS (MCT)

MODOS DE ERROR
Los fabricantes de tiristores generalmente especifican una región de potencia segura
que define los niveles aceptables de voltaje y corriente para una
determinada temperatura de funcionamiento. El límite de esta región está determinado
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en parte por el requisito de que no se exceda la potencia de puerta máxima permitida

(PG), especificada para una duración de pulso de potencia determinada.

Además de los modos de error habituales debido al exceso de voltaje, corriente o

potencia nominal, los tiristores tienen sus propios modos de error particulares, que
incluyen:
 Activación di/dt: en el que la tasa de aumento de la corriente de estado después
de la activación es mayor que la que puede soportar la velocidad de propagación
del área de conducción activa (SCR y triac).
 Conmutación forzada: en la que la corriente de recuperación inversa máxima
transitoria provoca una caída de voltaje tan alta en la región del subcátodo que
excede el voltaje de ruptura inversa de la unión del diodo del cátodo de la puerta
(solo SCR).
 Encendida dv/dt: el tiristor puede emprenderse de manera espuria sin emprender
desde la puerta si la tasa de aumento de voltaje de ánodo al cátodo es
demasiado grande.
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FUENTES DE INFORMACIÓN

 https://www.ingmecafenix.com/electronica/que-es-un-tiristor-y-como-funciona/
 http://dte_recursos.webs.uvigo.es/recursos/multimedia/potencia/dc-ac/
tiristor.htm#:~:text=Un%20tiristor%20es%20un%20dispositivo,tiristores%20se
%20fabrican%20por%20difusi%C3%B3n.
 https://usuaris.tinet.cat/fbd/electronica/tiristor/tiristor/tiristores.html