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3.1 Teora de los semiconductores.

Semiconductores impurificados

Semiconductores del tipo "n": La impurificacin consiste en agregar al semiconductor tomos de otros elementos, hablamos de una contaminacin de un tomo contaminante por cada 10 8 tomos de la red. Una de las impurezas usadas es el Arsnico que tiene 5 electrones en la ltima capa, necesitando 3 para lograr la configuracin estable de 8 electrones. Poniendo en condiciones adecuadas de presin y temperatura cristales de Ge en presencia de As, el mismo desplaza a los tomos de Ge y con 4 de sus electrones forma 4 covalencias compartiendo electrones con otros cuatro tomos de Ge logrando 8 en la ltima capa a expensas de liberar el quinto a la red. El electrn libre que se incorpora al slido mejora la conductividad del mismo porque se aumenta dentro del slido el nmero de portadores de corriente.

Semiconductores del tipo "p" El Ge se puede contaminar tambin con otras impurezas como el Boro o el Indio. Tanto uno como el otro tienen 3 electrones de valencia en la ltima capa y tambin en condiciones adecuadas de presin y temperatura estos pueden sustituir a un tomo de Ge de la red, pero al hacer esto en las covalencias vecinas faltara un electrn generando un

hueco positivo llamado laguna. sta genera estabilidades y tiende a ser llenada con electrones de covalencias vecinas pasando el hueco o la laguna (+) alternativamente entre los tomos de la red, es decir contrariamente a lo que haca el Arsnico , el Boro deja lagunas libres forzando a los electrones a ocuparlas y haciendo que estos queden en minora resultando como portadoras mayoritarias las lagunas. Este nuevo semiconductor se denomina del tipo "p" y a la impureza, "aceptora".

Unin p-n Una unin p-n se obtiene por la unin de un semiconductor tipo "p" y uno "n". En el tipo "p" los portadores mayoritarios son lagunas y tratarn de difundirse hacia el "n" por lo contrario los portadores mayoritarios del "n" que son los electrones tratarn de difundirse ocupando parte de "p". Pero tanto uno como otro semiconductor son neutros, cada electrn que deja el "n" y pasa al "p" carga negativamente al "p" y positivamente al "n" y cada laguna que pase del "p" al "n" aumenta tambin la positividad de "n" y la negatividad de "p". Al principio los primeros electrones y lagunas que difunden cerca de la juntura no encuentran resistencia de ningn campo elctrico pero a medida que van cruzando la unin van dejando una zona sin portadores y creando un potencial elctrico intenso que acta en contra del movimiento de otros portadores que quieren intentar el mismo camino. Llega un momento que los portadores que no han cruzado la unin, si quieren hacerlo necesitan energa extra para vencer el potencial y pasar la zona deprimida que es del orden de un micrn.

El ancho de la zona deprimida depende de la concentracin de los portadores mayoritarios. El dispositivo que venimos analizando constituye lo que se llama un diodo semiconductor de estado slido. Cuando al diodo se le aplica externamente una diferencia de potencial como si estuviera en paralelo con una pila imaginaria que form el potencial de la unin, los electrones del lado n no pueden pasar al lado p porque la pila con su lado positivo refuerza la barrera de potencial.

Por la misma razn las lagunas tampoco pueden pasar al lado n porque el potencial negativo de la pila refuerza la barrera de potencial de la unin. En forma no muy rigurosa podemos decir que un diodo polarizado directamente se comporta como un interruptor cerrado mientras que inversamente polarizado como uno abierto. El signo que se utiliza para individualizar a un diodo en un circuito es el siguiente:

A veces el ctodo viene marcado con un punto rojo sobre la cpsula del diodo y otras con una banda negra prxima al extremo que hace al ctodo. La relacin que existe entre la tensin aplicada a un diodo y la corriente no sigue la ley de ohm, sino que tiene una dependencia no lineal como muestra la siguiente grfica. La tensin de polarizacin directa que vence la barrera de potencial natural del diodo se denomina tensin de umbral y es menor en los diodos de germanio que en los de silicio. Pasada esta tensin se pueden lograr grandes cantidades de corriente como muy pocas cadas de potencial debido a la resistencia interna del diodo (aprox. 1 V).

3.2 Diodos y transistores Diodo Vamos a empezar viendo el semiconductor ms bsico de todos: el diodo. El diodo es un semiconductor formado por la asociacin de dos semiconductores extrnsecos, uno tipo P y otro Tipo N, tal y como puedes ver en la figura:

El smbolo de un diodo es el siguiente:

Funcionamiento de un diodo Vamos a ver qu ocurre cuando conectamos una fuente de tensin continua, una resistencia, un diodo y una lmpara en serie:

En este caso la bombilla no se iluminar, el diodo se opondr al paso de corriente, debido a que el polo positivo de la pila est enfrentado con el ctodo (parte positiva del diodo), por lo tanto, el diodo impedir el paso de corriente. Veamos ahora que ocurre si cambiamos de posicin el diodo:

Observa que ahora el positivo de la pila se encuentra con el nodo (parte negativa del diodo), por lo tanto va a facilitar el paso de corriente y la bombilla se iluminar.

Tipos de diodos Podemos diferenciar los siguientes tipos de diodos: Diodo de unin: es el diodo que has estudiado anteriormente, consiste en la unin de dos materiales extrnsecos, uno de tipo P y otro de tipo N, que dependiendo de cmo estn conectados, permitir o impedir el paso de corriente. Diodo Zener: es un diodo especial, su principal caracterstica es que trabaja en su zona inversa, esto quiere decir que, si aplicamos una corriente de ctodo a nodo, la respuesta del diodo no va a ser impedir el paso de corriente, sino fijar el valor de una tensin, que denominaremos tensin Zener. Su smbolo es el siguiente:

Vamos a ver con un ejemplo grfico, como funciona un diodo zener:

Fotodiodo: es un diodo sensible a la accin de la luz.

Su smbolo es el siguiente:

Diodo emisor de luz (LED): es un diodo que emite luz cuando circula una corriente a travs de l. Su smbolo es el siguiente:

Transistor Un transistor va a estar constituido por tres materiales semiconductores, dos de tipo P y uno de tipo N, o bien dos de tipo N y uno de tipo P, por lo tanto tendremos dos posibles combinaciones PNP y NPN. Estas uniones van a dar lugar a tres zonas que vamos a denominar de la siguiente forma:

Regin Emisor: se encarga de enviar electrones hacia la zona central, que llamaremos base. Regin Base: va a ser la zona de control del transistor. Regin Colector: recibe los electrones que mayoritariamente han sido enviados por el emisor.

Estados de funcionamiento Dependiendo de las tensiones e intensidades que apliquemos sobre el transistor, vamos a tener tres formas de trabajo:

Corte: esta situacin se va a dar cuando e son nulas, por lo que el transistor estar bloqueado, el hecho de que ambas tensiones sean nulas provocar que el valor de sea nulo. Saturacin: en esta situacin, la y la van a ser mximas, va a existir una avalancha de corriente. Activa: en esta situacin, el transistor se va a comportar de acuerdo con la frmula: .

3.3 Amplificadores operacionales El amplificador operacional ideal. Los fundamentos bsicos del amplificador operacional ideal son relativamente fciles. Quizs, lo mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u otros cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en trminos generales y considere el amplificador como una caja con sus terminales de entrada y salida. Trataremos, entonces, el amplificador en ese sentido ideal, e ignoraremos qu hay dentro de la caja. La tensin de entrada diferencial es nula. Tambin, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearn repetidamente en el anlisis y diseo del circuito del AO. Una vez entendidas estas propiedades, se pude,

lgicamente, deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales. Configuraciones bsicas del amplificador operacional Los amplificadores operacionales se pueden conectar segn dos circuitos amplificadores bsicos: las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. Casi todos los dems circuitos con amplificadores operacionales estn basados, de alguna forma, en estas dos configuraciones bsicas. Adems, existen variaciones estrechamente relacionadas de estos dos circuitos, ms otro circuito bsico que es una combinacin de los dos primeros: el amplificador diferencial.

El amplificador inversor

La primera configuracin bsica del AO. El amplificador inversor. En este circuito, la entrada (+) est a masa, y la seal se aplica a la entrada (-) a travs de R1, con realimentacin desde la salida a travs de R2.

El amplificador no inversor

La segunda configuracin bsica del AO ideal es el amplificador no inversor, mostrado en la figura 3. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3.

El amplificador diferencial.Una tercera configuracin del AO conocida como el amplificador diferencial, es una combinacin de las dos configuraciones anteriores. Aunque est basado en los otros dos circuitos, el amplificador diferencial tiene caractersticas nicas. Este circuito, tiene aplicadas seales en ambos terminales de entrada, y utiliza la amplificacin diferencial natural del amplificador operacional.

El sumador inversor Utilizando la caracterstica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador inversor, se obtiene una til modificacin, el sumador inversor.

El integrador Se ha visto que ambas configuraciones bsicas del AO actan para mantener constantemente la corriente de realimentacin, IF igual a IIN.

El diferenciador Una segunda modificacin del amplificador inversor, que tambin aprovecha la corriente en un condensador es el diferenciador mostrado en la.

3.4 Osciladores controlados por voltaje y Lazo de amarre de fase.

Qu es un oscilador controlado por voltaje o como ms comnmente se conoce un VCO? Cul es su propsito? Ejemplo prctico Aqu voy a utilizar un ejemplo muy prctico cuando uno de mis lectores tiene un requisito de funcionamiento del oscilador de voltaje controlado en 1,8 a 2,0 Mhz (banda de radioaficionados de 160 millones). Esto es para ser parte de un sintetizador de frecuencia, a pesar de un VCO no siempre se asocia con un sintetizador de frecuencia. Los requerimientos de diseo solicitado fueron los siguientes: (A) cobertura de frecuencia de 1,8 a 2,0 Mhz (B) de voltaje controlado por un sintetizador de frecuencia con un nivel de produccin suficiente para alimentar la entrada de un Phase Locked Loop (PLL) (C) una salida ms protegido de una lectura digital de la frecuencia. (D) otros en el tampn puesto para conducir sucesivas etapas del amplificador. Diodo del varactor Aqu Cv el condensador variable, podra ser sustituido por un diodo varactor adecuado como un diodo de ajuste y, en realidad, nuestro lector tiene a mano un varactor MVAM115 Motorola. Creo que esto es casi similar a mi diodo BB112 Philips. As que vamos a refrito de la figura anterior para dar cabida a un ajuste del diodo varactor en lugar de utilizar una variable condensador convencional. DIODOS BACK-TO-BACK Se le nota que tiene dos diodos espalda con espalda en serie en la figura 2. Aunque este efecto se divide en capacidad total del diodo varactor por dos que elimina el efecto

desagradable de la presente rf en el circuito tanque de la conduccin de un solo diodo en la conduccin en los picos que aumentar la tensin de polarizacin, esto tambin da lugar a los armnicos. CLCULO DE CAPACIDAD NET Se trata de un simple problema. En este caso podemos utilizar la frmula = C2 [(Ca * Cb) / (Ca - Cb)] donde C = Ca existentes o en este caso 236 pF y Cb = deseada C o 98 pF. Ahora bien, esto no es muy exacta, pero que terminar en el parque de pelota. Al conectar los nmeros en nuestras sumas nos C2 = [(235 * 98) / (236 - 98)] o 23030 137 / = 168 pF.

AJUSTE DE TENSIN del DIODO Por un sintetizador de frecuencia de la tensin de ajuste se deriva del filtro de paso bajo del PLL y no es necesario que te preocupes por eso. Por otro lado, cuando usted tiene una solicitud de sustitucin de un condensador variable de ajuste de forma manual y con, por ejemplo un potencimetro a su vez diez tienes que ser muy cuidadoso acerca de la "calidad" de la tensin. Debe ser limpio.

Sistema de agarre de fase (PLL) Un Sistema Enganchado en Fase (PLL) es un circuito realimentado que mantiene una diferencia de fase constante entre una seal de referencia y la salida de un oscilador.Se muestra un diagrama en bloques bsico de un PLL. Un detector de fase compara la fase de la salida de un VCO, con la fase de una seal de referencia Fref. Un detector de fase provee como salida un pulso proporcional a la diferencia de fase. Este pulso es pasado a travs de un filtro, que entrega una componente de corriente continua que es aplicada a la entrada del VCO, que cambiar su frecuencia y disminuir la diferencia de fase con la referencia. Con esto se lograr que frecuencia y fase sean las mismas: f osc = fref y faseosc = faseref, de manera que frecuencia y fase del VCO y el generador de seal de referencia estn enganchados.-

Anlisis de un PLL como un Sistema Realimentado de Control Un anlisis puede ser realizado utilizando el diagrama en bloques de la figura 2:

Sintetizador de Frecuencias El PLL es muy utilizado como Sintetizador de Frecuencias, generando frecuencias a partir de una seal de referencia que puede ser por ejemplo la que proviene de un oscilador a cristal. Un diagrama en bloques de un sintetizador de frecuencias es el que se muestra en la siguiente figura: