5.1.1.- Describa el modelo clásico de conducción eléctrica en metales.

Los electrones de valencia se consideran completamente libres para

moverse entre los iones positivos (átomos sin los electrones de valencia) de
la red metálica. A temperatura ambiente los iones positivos poseen energía
cinética y vibraciones en torno a sus posiciones de equilibrio en la red. Al
aumentar la temperatura estos iones vibran con amplitudes crecientes y hay
un intercambio continuo de energía entre los iones positivos y los electrones
de valencia.
5.1.4.- ¿Cuál es la relación numérica entre conductividad eléctrica y resistividad
eléctrica?
𝐼 𝐴
𝑅 = 𝜌∗𝐴 ó ρ=𝑅∗ La conductividad eléctrica 𝜎-1 es la inversa de la
𝐼
𝐼
resistividad eléctrica. 𝜎=
ρ

5.1.12.- ¿Qué defectos estructurales contribuyen al componente residual de la

resistividad eléctrica de un metal puro?
Dislocaciones, Límites de Grano e impurezas atómicas que dispersan
electrones

5.1.13.- ¿Qué efecto producen los elementos formadores de soluciones solidas

sobre la resistividad eléctrica de metales puros?
Dispersan los electrones de conducción y reducen las trayectorias libres
medias y los tiempos de relajación entre colisiones, así que conforme la
temperatura aumenta las resistividades eléctricas de los metales puros
aumentan.

5.2.4.- ¿Cómo justifica la buena conductividad eléctrica del magnesio y del

aluminio a pesar de que estos dos metales tienen completas sus bandas de
energía 3s?
En el magnesio metal los estados 3s están llenos. Sin embargo, la banda
3s se superpone con la 3p creándose una banda combinada 3sp parciales
ocupada. Por tanto, a pesar que la banda es en el magnesio está llena, el
magnesio es un buen conductor.
El aluminio es también un buen conductor por que la banda 3p
parcialmente ocupada se superpone se superpone a la banda 3s llana.

5.4.1.- Defina semiconductores extrínsecos de silicio tipo n y tipo p.

 Semiconductores de tipo silicio o germanio que contienen átomos de
impurezas del grupo VA se denominan semiconductores extrínsecos de tipo
n (tipo negativo) porque la mayoría de los portadores de carga son
electrones. Puesto que la mayoría de los electrones de carga en estos
semiconductores extrínsecos son huecos en la estructura de enlace de
valencia, se denominan semiconductores extrínsecos de tipo p (tipo positivo).

5.4.5.- ¿Qué entendemos por dopantes al hablar de semiconductores?

El proceso de añadir a silicio pequeñas cantidades de átomos como
impurezas sustanciales para producir un maternal semiconductor de silicio
se llama dopado, mientras que los átomos utilizados como impurezas se
denominan dopantes.

5.5.2.- Describa el movimiento de portadores mayoritarios y minoritarios en un

diodo de unión pn en el equilibrio.
En el material de tipo n los portadores mayoritarios próximos a la unión se
difunden a través de la misma y se recombinan. Región de agotamiento:
cuando los iones que permanecen inmóviles en la unión permanecen en una
zona agotada.

5.5.3.- Describa el movimiento de portadores mayoritarios y minoritarios en un

diodo de unión pn bajo polarización inversa.
Los portadores mayoritarios son atraídos hacia el terminal positivo de la
batería desde la unión. Los portadores minoritarios generados térmicamente
se dirigirán hacia la unión y así pueden combinarse y crear un pequeño flujo
bajo condiciones de polarización inversa.

5.5.4.- Describa el movimiento de portadores mayoritarios y minoritarios en un

diodo de unión pn bajo polarización directa.
El material del tipo n de la unión está conectado a la terminal negativa de
una batería externa u otra fuente eléctrica y si el material de tipo p está
conectado al terminal positivo. Los electrones son repelidos desde el
terminal negativo de la batería hacia la unión y los huecos son repelidos
desde el terminal positivo hacia la unión.
5.5.5.- Describa como un diodo de unión pn puede actuar como rectificador de
corriente.
Convierte corriente alterna en corriente continua.

5.5.6.- ¿Qué es un diodo de avalancha? ¿Cómo funciona este dispositivo?

Describa un mecanismo que justifique su funcionamiento.
R/ (Diodos zener) Son rectificadores de silicio en los que la corriente
inversa (corriente de fuga) es pequeña , y entonces con sólo un ligero
aumento de tensión inversamente polarizada se tiene una tensión de
avalancha con lo que la corriente inversa aumenta muy rápidamente. En la
así llamada ruptura zener, el campo eléctrico en el diodo llega a ser lo
suficientemente fuerte como para atraer electrones directamente fuera
delenlace covalente de la red cristalina. Los pares electrones-huecos
producen entonces una corriente inversa muy fuerte. Una teoría para
explicar el efecto de avalancha es que los electrones ganan suficiente
energía en las colisiones para golpear a más electrones delos enlaces
covalentes los cuales pueden alcanzar energías suficientemente altas para
conducir electricidad. Estos diodos pueden hacerse utilizando tensiones de
ruptura de unos pocos a varios cientos de voltios y se utilizan en
aplicaciones como la limitación de tensiones y para estabilización de
tensiones en situación de amplias variaciones de corriente. (pag.171).

5.5.10.- ¿Por qué un transistor bipolar de unión se denomina bipolar?

R/ Porque ambos tipos de portadores de carga (electrones y huecos) están
involucrados en su funcionamiento.

5.6.2.- Describa como un transistor bipolar planar puede actuar como amplificador
de corriente.
La unión base emisor está polarizada directamente y la unión base – colector
inversamente, así cuando los electrones provenientes se inyectan en la base, la
mayor parte de ellos entran en el colector y sólo un pequeño porcentaje (entre
un 1 y un 5%) se combinan en los huecos del terminal de la base.
El transistor bipolar planar en microelectrónica puede actuar como amplificador
de la corriente de igual modo que el transistor bipolar individual en la macro
electrónica.
5.6.4.- Describa las posibilidades de función como amplificador de corriente de un
NMOS
EL MOSFET, igual que el transistor bipolar, es capaz de amplificar la corriente.
La amplificación de los dispositivos MOSFET se mide habitualmente en términos
de relaciones de corriente, como en el transistor bipolar. Los MOSEFT tipo p con
huecos para portadores mayoritarios se pueden construir de modo muy similar,
utilizando islas tipo p para la fuente y drenaje en un sustrato tipo n. Los
dispositivos NMOS y PMOS se conocen como dispositivos portadores de carga
mayoritarios, al ser portadores de portadores de corriente en uno y otro caso
electrones y huecos.