TECNOLÓGICO NACIONAL DE

MÉXICO
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE
TUXTEPEC
Unidad ii
2.4 SÍNTESIS.

NOMBRE DE LA ASIGNATURA:
Tecnología De Los Materiales.
CARRERA:
Ingeniería Electromecánica.

NOMBRE DEL ALUMNO:

Bravo Baltazar Juan Daniel.

SEMESTRE: 2 GRUPO: B

DOCENTE
Dr. Martín Julián Fernández Cueto.
SAN JUAN BAUTISTA TUXTEPEC, OAX.
INDICE
2.4 PROPIEDADES ELÉCTRICAS.................................................................................
14.1 CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN METALES................................................................
14.1.2 LEY DE OHM.................................................................................................................
14.1.3 VELOCIDAD DE ARRASTRE DE ELECTRONES EN UN METAL
CONDUCTOR............................................................................................................................
14.1.4 RESISTIVIDAD ELÉCTRICA DE METALES.............................................................
14.2 MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA PARA LA CONDUCCIÓN ELÉCTRICA......
14.2.2 MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA PARA AISLANTES.....................................
14.3 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS........................................................................
14.3.2 TRANSPORTE DE CARGA ELÉCTRICA EN LA RED CRISTALINA DE
SILICIO PURO...........................................................................................................................
14.3.3 DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGÍA PARA SEMICONDUCTORES
ELEMENTALES INTRÍNSECOS.............................................................................................
14.3.4 RELACIONES CUANTITATIVAS PARA LA CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN
SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS ELEMENTALES...................................................
14.3.5 EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA SEMICONDUCTIVIDAD
INTRÍNSECA..............................................................................................................................
14.4 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS.......................................................................
14.4.1 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N (TIPO NEGATIVO)...................
14.4.2 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P (TIPO POSITIVO).....................
14.4.3 IMPURIFICACIÓN DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICIO
EXTRÍNSECO............................................................................................................................
14.4.3 IMPURIFICACIÓN DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICIO
EXTRÍNSECO............................................................................................................................
14.4.4 EFECTO DE LA IMPURIFICACIÓN EN CONCENTRACIONES DE
PORTADORES EN SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS.............................................
14.4.5 EFECTO DE LA CONCENTRACIÓN DE IMPUREZAS IONIZADAS TOTAL
EN LA MOVILIDAD DE PORTADORES DE CARGA EN SILICIO A
TEMPERATURA AMBIENTE...................................................................................................
 2.4 PROPIEDADES ELÉCTRICAS
Los investigadores constantemente están tratando de descubrir formas
de fabricar chips de computadora con dimensiones más pequeñas y
más dispositivos. La industria actual se enfoca en desarrollar la
nanotecnología que se requiere para fabricar dispositivos electrónicos
en un nanoalambre con un diámetro de, aproximadamente, 100 nm.

14.1 CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN METALES

En sólidos metálicos los átomos están distribuidos en una estructura
cristalina (por ejemplo, FCC, BCC y HCP) y están ligados mediante
sus electrones de valencia exteriores por medio de enlace metálico.

14.1.2 LEY DE OHM

Considérese una longitud de alambre de cobre cuyos extremos están
conectados a una batería. Si se aplica una diferencia de potencial V,
fluirá una corriente i que es proporcional a la resistencia R del alambre.
De acuerdo con la ley de Ohm, el flujo de corriente eléctrica i es
proporcional al voltaje aplicado e inversamente proporcional a la
resistencia del alambre.

14.1.3 VELOCIDAD DE ARRASTRE DE ELECTRONES EN

UN METAL CONDUCTOR
A temperatura ambiente los núcleos de iones positivos en la red
cristalina de un conductor metálico vibran alrededor de posiciones
neutras y por ello poseen energía cinética. Los electrones libres
intercambian continuamente energía con los iones de la retícula
mediante colisiones elásticas e inelásticas.
14.1.4 RESISTIVIDAD ELÉCTRICA DE METALES
La resistividad eléctrica de un metal puro puede aproximarse mediante
la suma de dos términos, un componente térmico ρT y un componente
residual ρr: ρ = + t o t a l ρ T ρr
El componente térmico surge de las vibraciones de los núcleos de
iones positivos alrededor de sus posiciones de equilibrio en la red
cristalina metálica. Conforme aumenta la temperatura, los núcleos de
iones vibran más y más, y un gran número de ondas elásticas
excitadas térmicamente (llamadas fonones) dispersan a los electrones
de conducción y disminuyen el recorrido libre medio y los tiempos de
relajación entre colisiones.

14.2 MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA PARA LA

CONDUCCIÓN ELÉCTRICA
Se considerará ahora el modelo de bandas de energía para electrones
y metales sólidos puesto que ello ayudará a comprender el mecanismo
de la conducción eléctrica en metales. Se recurre al sodio metálico
para explicar el modelo de bandas de energía puesto que el átomo de
sodio tiene una estructura electrónica relativamente simple.

14.2.2 MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA PARA

AISLANTES
En los aislantes, los electrones están ligados firmemente a sus átomos
de enlace mediante enlaces iónicos o covalentes y no tienen “libertad”
para conducir electricidad a menos que se energicen en forma
considerable. El modelo de bandas de energía para aislantes consiste
en una banda de valencia llena inferior y una banda de conducción
vacía superior. Estas bandas están separadas por una brecha de
energía relativamente grande Eg.
14.3 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Los semiconductores son materiales cuyas conductividades eléctricas
están entre las de metales altamente conductores y aisladores con
una conducción pobre. Los semiconductores intrínsecos son
semiconductores puros cuya conductividad eléctrica se determina
mediante sus propiedades conductivas inherentes. El silicio y el
germanio puros elementales son materiales semiconductores
intrínsecos.

14.3.2 TRANSPORTE DE CARGA ELÉCTRICA EN LA RED

CRISTALINA DE SILICIO PURO
En el proceso de conducción eléctrica en un semiconductor como el
silicio o el germanio puros, tanto los electrones como los huecos son
portadores de carga y se mueven en el campo eléctrico aplicado. Los
electrones de conducción tienen una carga negativa y son atraídos
hacia la terminal positiva de un circuito eléctrico.

14.3.3 DIAGRAMA DE BANDAS DE ENERGÍA PARA

SEMICONDUCTORES ELEMENTALES INTRÍNSECOS
Los diagramas de bandas de energía son otro método para describir la
excitación de electrones de valencia que se vuelven electrones de
conducción en los semiconductores. En esta representación sólo está
implicada la energía que se requiere para el proceso, y no se señala
ninguna imagen física de los electrones que se mueven en la retícula
cristalina. En el diagrama de bandas de energía para semiconductores
elementales intrínsecos.

14.3.4 RELACIONES CUANTITATIVAS PARA LA

CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS ELEMENTALES
Durante la conducción eléctrica en semiconductores intrínsecos, la
densidad de corriente J es igual a la suma de la conducción debida
tanto a electrones como a huecos. Empleando la ecuación 14 . 6, J = n
qv + p q n * vp * (14.9) donde n = número de electrones de conducción
por volumen unitario p = número de huecos de conducción por
volumen unitario q = valor absoluto de la carge del electrón o de los
huecos, 1.60 × C 10 − 19 vn, vp = velocidades de arrastre de
electrones y huecos, respectivamente.

14.3.5 EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA

SEMICONDUCTIVIDAD INTRÍNSECA
A 0 K las bandas de valencia de semiconductores intrínsecos tales
como el silicio y el germanio, están completamente llenas y sus
bandas de conducción completamente vacías. A temperaturas por
arriba de 0 K, algunos de los electrones de valencia se activan y
excitan en forma térmica a través de la brecha de energía hacia la
banda de conducción, creando pares electrón-hueco.

14.4 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Los semiconductores extrínsecos son soluciones sólidas
sustitucionales muy diluidas en las cuales los átomos de impureza del
soluto tienen diferentes características de valencia respecto de la red
atómica del disolvente. Las concentraciones de los átomos de
impurezas agregados en estos semiconductores suelen encontrarse
en el intervalo de 100 a 1 000 partes por millón (ppm).

14.4.1 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N (TIPO

NEGATIVO)
Considérese el modelo de enlace covalente bidimensional para la red
cristalina de silicio. Si un átomo de impureza de un elemento del grupo
V-A, tal como el fósforo, sustituye al átomo de silicio, que es un
elemento del grupo IV-A, existirá un exceso de electrones por arriba
de los cuatro que se necesitan para el enlace covalente tetraédrico en
la retícula de silicio. Este electrón adicional sólo está ligado débilmente
al núcleo de fósforo con carga positiva y tiene una energía de enlace
de 0.044 eV a 27°C. Esta energía es casi 5 por ciento de la que se
requiere para que un electrón de conducción brinque la brecha de
energía de 1.1 eV de silicio puro. Esto es, sólo se requiere 0.044 eV
de energía para eliminar el electrón de exceso de su núcleo de
manera que pueda participar en la conducción eléctrica.

14.4.2 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO P (TIPO

POSITIVO)
Cuando un elemento trivalente del grupo III-A, como el boro, se
introduce en forma sustitucional en la retícula del silicio ligada
tetraédricamente, se pierde uno de los orbitales de enlace, y existe un
hueco en la estructura de enlace del silicio. Si se aplica un campo
eléctrico externo al cristal de silicio, uno de los electrones vecinos de
otro enlace tetraédrico puede alcanzar suficiente energía para
desprenderse de su enlace y moverse hacia el enlace faltante (hueco)
del átomo de boro. Cuando el hueco asociado con el átomo de boro se
llena mediante un electrón del átomo de silicio vecino, el átomo de
boro se ioniza y adquiere una carga negativa de −1.

14.4.3 IMPURIFICACIÓN DE MATERIAL SEMICONDUCTOR

DE SILICIO EXTRÍNSECO
El proceso de agregar pequeñas cantidades de átomos de impureza
sustitucionales al silicio para producir material semiconductor de silicio
extrínseco se denomina impurificación, en tanto que los propios
átomos de impurezas reciben el nombre de impurificadores. El método
de impurificación de semiconductores de silicio que se usa más
comúnmente es el proceso de plano. En éste, los átomos
impurificadores se introducen en áreas seleccionadas de silicio desde
una superficie para formar regiones de material tipo p o tipo n.
14.4.3 IMPURIFICACIÓN DE MATERIAL SEMICONDUCTOR
DE SILICIO EXTRÍNSECO
El proceso de agregar pequeñas cantidades de átomos de impureza
sustitucionales al silicio para producir material semiconductor de silicio
extrínseco se denomina impurificación, en tanto que los propios
átomos de impurezas reciben el nombre de impurificadores. El método
de impurificación de semiconductores de silicio que se usa más
comúnmente es el proceso de plano. En éste, los átomos
impurificadores se introducen en áreas seleccionadas de silicio desde
una superficie para formar regiones de material tipo p o tipo n.

14.4.4 EFECTO DE LA IMPURIFICACIÓN EN

CONCENTRACIONES DE PORTADORES EN
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
La ley acción de masas En semiconductores como el silicio y el
germanio, los electrones y huecos móviles se generan y recombinan
de manera constante. A temperatura constante en condiciones de
equilibrio el producto de los electrones libres negativos y las
concentraciones de huecos positivos es una constante. La relación
general es n p = ni 2

14.4.5 EFECTO DE LA CONCENTRACIÓN DE IMPUREZAS

IONIZADAS TOTAL EN LA MOVILIDAD DE PORTADORES
DE CARGA EN SILICIO A TEMPERATURA AMBIENTE
Que las movilidades de electrones y huecos en silicio a temperatura
ambiente están en un máximo a bajas concentraciones de impurezas y
que luego disminuyen con la concentración de impurezas, llegando al
valor mínimo a concentraciones elevadas. El problema muestra cómo
neutralizando un tipo de portador de carga con otro lleva a una
movilidad inferior de los portadores mayoritarios.