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TECNOLOGÍAS DE NANOFABRICACIÓN: AVANCES Y OPORTUNIDADES

Documento de sesión· Enero 2009

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yan wang
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Asociación Internacional para la Gestión de la Tecnología
Actas de IAMOT 2009

TECNOLOGÍAS DE NANOFABRICACIÓN: AVANCES Y OPORTUNIDADES

yan wang
Universidad de Florida Central
Orlando, FL 32816, EE. UU.
wangyan@mail.ucf.edu

Las nanotecnologías han atraído amplios intereses y evolucionado rápidamente en las últimas dos décadas. Se espera que tengan impactos
transformadores en la salud, el medio ambiente, la energía y muchos otros aspectos de nuestra sociedad. Sin embargo, sus aplicaciones hasta ahora se
ven gravemente obstaculizadas por la falta de tecnologías de fabricación maduras y asequibles para realizar sistemas a gran escala en los que se
ensamblan millones de elementos a nanoescala para formar productos comerciales. En este documento, brindamos una breve descripción general del
estado actual de las diferentes tecnologías de nanofabricación, incluidos los enfoques de arriba hacia abajo, como la litografía de sonda de escaneo, el
haz enfocado, la litografía de nanoimpresión y suave, así como los enfoques de abajo hacia arriba como la deposición de vapor y la inmersión.
-Nanolitografía de pluma. Esos métodos se desarrollaron para materiales como el carbono, el silicio, y polímeros en diversas industrias. Analizamos las
oportunidades y desafíos futuros de estas tecnologías.

Palabras clave: nanotecnología; nanofabricación

Introducción
La nanotecnología es la comprensión y el control de la materia en dimensiones entre 1 y 100 nanómetros. Los materiales
a estas escalas suelen exhibir características únicas y pueden proporcionar avances técnicos y económicos significativos
con aplicaciones novedosas. En el dominio de la energía, las aplicaciones previstas incluyen iluminación de estado sólido,
pantallas de bajo consumo, celdas de combustible, almacenamiento de hidrógeno, materiales para baterías, energía
solar, catálisis, etc. En el dominio del medio ambiente, las nanotecnologías pueden revolucionar la detección, la
remediación, la reducción de emisiones, separaciones de membrana, revestimiento, contención de residuos radiactivos,
etc. La importancia de la nanotecnología ha sido reconocida por los gobiernos. En los EE. UU., se estableció en 2001 una
iniciativa nacional de nanotecnología (NNI) que coordina las actividades federales de investigación y desarrollo a
nanoescala entre diferentes agencias. Desde entonces,

Aunque prometedora, la mayor parte de la investigación en nanotecnología solo se enfoca en docenas a unos pocos cientos de partículas o
moléculas. Para realizar dispositivos a gran escala y productos comercializables, se necesitan técnicas de ensamblaje masivas con una
producción de alto volumen y alta velocidad. Esto plantea un gran desafío para la comunidad de investigación de nanofabricación. En este
documento, resumimos un estudio de encuesta de las técnicas actuales de nanofabricación.

El artículo de revisión escrito por Xia et al. (1999) y dos libros recientemente publicados editados por Busnaina
(2007) y Tseng (2008), que contienen artículos de investigadores de nanofabricación de todo el mundo, pueden
servir como buenas referencias iniciales para las técnicas de nanofabricación, aunque estas revisiones no son
exhaustivas. En general, las técnicas de nanofabricación se clasifican como de arriba hacia abajo o de abajo hacia
arriba. En los enfoques de arriba hacia abajo, los materiales se eliminan en pequeños volúmenes y tamaños
hasta la escala de decenas de nanómetros. En los enfoques de abajo hacia arriba, los materiales se ensamblan
bajo la guía de plantillas a escala nanométrica, ya sea física o químicamente. Algunas de esas técnicas se heredan
y se extienden de las técnicas tradicionales de fabricación de semiconductores, como la litografía de
nanoimpresión y la deposición de vapor.

El objetivo de este artículo es dar una visión general de varias técnicas de nanofabricación que están relativamente bien
desarrolladas y son prometedoras para su comercialización en un futuro próximo. Los métodos se presentan de tal manera que
los lectores pueden tener una visión general de las capacidades de nanofabricación existentes. Se pueden encontrar más detalles
y variaciones de estos métodos en las referencias enumeradas. En el resto del documento, los enfoques de arriba hacia abajo y
de abajo hacia arriba se describen en las Secciones 2 y 3 respectivamente. En la Sección 4, analizamos las ventajas y desventajas
de estos métodos, así como el futuro de la nanofabricación.
Wang

Enfoques de arriba hacia abajo

La mayoría de las nanofabricaciones de arriba hacia abajo son para patrones de superficie. Mediante el modelado de regiones superficiales
locales de un sustrato sólido con características a nanoescala, el sustrato tiene la capacidad de reconocer nanoestructuras específicas. Por
ejemplo, cuando el sustrato se coloca en una solución, millones de nanoestructuras pueden autoensamblarse en paralelo. Algunos
métodos de creación de patrones se desarrollan para escribir características a nanoescala, otros son para replicar. Los métodos de creación
de patrones bien desarrollados incluyen litografía de sonda de barrido, litografía de haz enfocado, litografía suave y litografía de
nanoimpresión.

Litografía con sonda de escaneo

Las técnicas de litografía con sonda de exploración (SPL) (Tseng et al., 2005) son enfoques mecánicos para realizar patrones. Por
lo general, se utilizan puntas o sondas pequeñas (<50 nm) para escanear cerca de la superficie de una muestra. Aunque las
sondas de escaneo se diseñaron originalmente para fines de imagen, también se pueden usar para realizar litografías
sofisticadas. Las puntas se pueden utilizar para alterar la estructura de los materiales. Se han desarrollado diferentes
configuraciones, como el microscopio de túnel de barrido (STM) (Binnig y Rohrer, 1985), el microscopio de fuerza atómica (AFM)
(Binnig et al., 1986) y el microscopio electroquímico de barrido (SECM) (Bard et al., 1989). En particular, las litografías STM y AFM
pueden proporcionar resoluciones nanométricas y se han utilizado ampliamente.

En STM, se aplica una polarización de voltaje entre la punta afilada y una superficie eléctricamente conductora (típicamente metales y semiconductores) como se ilustra en la Fig. 1. La distancia entre la punta y la muestra es de

solo unos pocos diámetros atómicos, y se produce el transporte de electrones. debido al efecto túnel. En función de la corriente de tunelización medida al escanear a través de la superficie de la muestra, la distancia se puede

determinar a la resolución atómica. El STM necesita un entorno de vacío para garantizar la precisión de la medición. Cuando se utiliza con fines de fabricación, al aplicar un voltaje más alto, las propiedades químicas de la

superficie de la muestra se pueden modificar localmente. Por ejemplo, una superficie de Si puede oxidarse localmente en condiciones ambientales al aire libre con el campo eléctrico desorbiendo la pasivación de hidrógeno

(Dagata et al., 1990). STM se puede utilizar para la deposición directa de material mediante la cual la punta recubierta de metal o semiconductor actúa como una fuente de emisión en miniatura en un entorno de vacío (Rauscher

et al., 1997; Fujita et al., 2003). La remoción selectiva de material con STM también ha sido demostrada por descomposición térmica a altas temperaturas (Li et al., 1999), por grabado electroquímico bajo varias soluciones

químicas (Kaneshiro y Okumura, 1997), o incluso sin la presencia de soluciones químicas perforando directamente agujeros (Lebreton y Wang, 1998). Mediante la aplicación de pulsos de tunelización de bajo voltaje, los átomos

individuales en las superficies de la muestra se pueden extraer y depositar en diferentes ubicaciones (Eigler y Schweizer, 1990; Hla et al., 2003). La remoción selectiva de material con STM también ha sido demostrada por

descomposición térmica a altas temperaturas (Li et al., 1999), por grabado electroquímico bajo varias soluciones químicas (Kaneshiro y Okumura, 1997), o incluso sin la presencia de soluciones químicas perforando

directamente agujeros (Lebreton y Wang, 1998). Mediante la aplicación de pulsos de tunelización de bajo voltaje, los átomos individuales en las superficies de la muestra se pueden extraer y depositar en diferentes ubicaciones

(Eigler y Schweizer, 1990; Hla et al., 2003). La remoción selectiva de material con STM también ha sido demostrada por descomposición térmica a altas temperaturas (Li et al., 1999), por grabado electroquímico bajo varias

soluciones químicas (Kaneshiro y Okumura, 1997), o incluso sin la presencia de soluciones químicas perforando directamente agujeros (Lebreton y Wang, 1998). Mediante la aplicación de pulsos de tunelización de bajo voltaje,

los átomos individuales en las superficies de la muestra se pueden extraer y depositar en diferentes ubicaciones (Eigler y Schweizer, 1990; Hla et al., 2003).

Fig. 1. Litografía de microscopía de túnel escaneado (Dagata, 1995)

El AFM es similar a un STM, excepto que la punta de túnel se reemplaza por un sensor de fuerza de escala atómica conocido
como voladizo para medir las fuerzas de atracción o repulsión entre la punta y la muestra. El funcionamiento de AFM es menos
restrictivo que el de STM. Puede funcionar a temperatura ambiente para cualquier tipo de material sin necesidad de un entorno
de vacío. AFM tiene una velocidad de escaneo más alta pero una resolución más baja que STM. De manera similar a la litografía
STM, se puede aplicar un voltaje entre la punta del AFM sin contacto y la muestra para que la superficie de la muestra pueda
modelarse mediante la exposición a la resistencia (Wilder et al., 1998), oxidación local (Keyser et al., 2000), y deposición de
material (Lee et al., 2004). Al calentar la punta del AFM a 170 ºC con pulsos eléctricos, la superficie del sustrato también se puede
modificar para lograr una escritura termomecánica (Mamin, 1996). La punta AFM también se puede emplear para el modelado
mecánico mediante la aplicación de cierta cantidad de fuerza para 'rayar' la superficie del sustrato, incluidos metales,
semiconductores o materiales blandos (Notargiacomo et al., 1999). Se han elegido varios materiales y técnicas para aumentar la
vida útil de las sondas y evitar daños en el sustrato.
 Tecnologías de nanofabricación: avances y oportunidades

La ventaja obvia de las técnicas SPL es la alta resolución o precisión. Son capaces de crear características a nivel atómico. Sin
embargo, no proporcionan una fabricación de alto rendimiento, aunque se han realizado investigaciones para aumentar la
velocidad modificando las puntas y aumentando las frecuencias de resonancia con elementos piezoeléctricos. Es probable que las
técnicas SPL sean más adecuadas para herramientas rápidas para producir maestros o máscaras.

Litografía de haz enfocado

La litografía de haz enfocado es el proceso de escanear un haz de electrones o iones a través de la superficie de la resistencia y generar
patrones exponiendo y eliminando selectivamente la resistencia. Esto se puede hacer en un microscopio electrónico modificado. En la
litografía por haz de electrones (e-beam), se utiliza un haz de electrones de alta energía para formar nanoestructuras estampadas en una
película resistente sensible a los electrones como el polimetilmetacrilato (PMMA) con una resolución inferior a 10 nm. Por ejemplo, el haz
de electrones se puede utilizar para crear distancias entre electrodos de 3~4 nm con una dosis y un tiempo de desarrollo elegidos
correctamente (Liu et al., 2002). Además, el haz de electrones de alta energía también se puede utilizar para la deposición de materiales
(Mitsuishi et al., 2003; van Dorp et al., 2005).

La litografía de haz de iones enfocados (FIB) (Phaneuf, 1999) es otro método de creación de patrones de alta resolución en el que
se utiliza un haz de iones. Se ha utilizado en la industria de los semiconductores principalmente para la reparación de máscaras,
la modificación y el análisis de dispositivos. En comparación con el haz de electrones, FIB tiene una mayor sensibilidad a la
exposición de la resistencia y tiene una dispersión de iones insignificante en la resistencia y una retrodispersión baja en el
sustrato. Dado que el impulso de los iones se transfiere directamente a los átomos en la superficie y subsuperficie de la muestra,
los iones de alta energía tienden a dañar la superficie de la muestra. Por lo tanto, FIB se puede utilizar como herramienta de
molienda de iones precisa (Tseng, 2004; Cabrini et al., 2005). Con el área escaneada expuesta simultáneamente a moléculas de
gas reactivo, como el cloro, la FIB se puede utilizar para grabado asistido por gas (Young et al., 1993; Lee y Kuo, 2008) con mayor
selectividad y velocidad más rápida que la pulverización catódica.

Litografía blanda

Las litografías blandas (Xia y Whitesides, 1998; Rogers y Nuzzo, 2005) son técnicas para fabricar o replicar estructuras
mediante sellos, moldes y fotomáscaras conformables hechas de materiales elastoméricos, en particular
polidimetilsiloxano (PDMS). El primer método de litografía blanda (Xia y Whitesides, 1998) representa una forma de
impresión por contacto que utiliza un sello elastomérico de alta resolución con una tinta química capaz de formar una
monocapa autoensamblada (SAM) sobre un sustrato de destino. Esta monocapa puede guiar la deposición o eliminación
de material del sustrato para producir patrones. El interés radica en su capacidad para formar estructuras con
dimensiones profundas en las escalas de longitud submicrónica utilizando algún aparato de laboratorio químico
ordinario sin instalaciones costosas.

En el proceso de dos pasos, los elementos elastoméricos se derivan primero de los maestros, que tienen estructuras de resistencia bien
definidas y se pueden fabricar con precisión mediante técnicas como la litografía AFM. Luego, los elementos elastoméricos se utilizan para
modelar características. Con materiales elastoméricos optimizados, este proceso puede producir un relieve con profundidades y anchos
nanométricos. Tanto las tintas moleculares como las sólidas se pueden utilizar para estampar. En casos sólidos, las superficies adaptadas
químicamente con capas interfaciales de 'pegamento' y 'liberación' ayudan a controlar la transferencia de tinta de los sellos a los sustratos.

En lugar de sellos o moldes, recientemente se utilizaron elementos PDMS como componentes ópticos para modelar estructuras
en polímeros fotosensibles (Jeon et al., 2004). Los elementos PDMS funcionan como máscaras de fase, crean distribuciones
intensivas de luz ultravioleta (UV) para curar el fotopolímero y ayudan a construir estructuras porosas 3D.

Litografía de nanoimpresión
La litografía de nanoimpresión (NIL) (Sotomayor Torres et al., 2003; Guo, 2004) es capaz de replicar patrones de menos de 10 nm
con un alto rendimiento. A diferencia de la litografía blanda, NIL utiliza un molde duro (por ejemplo, Si, SiO2, y SiC) que contiene
características a nanoescala para grabar en relieve en materiales poliméricos y fundir en el sustrato bajo
Wang

condiciones de temperatura y presión controladas, que pueden transferirse aún más a través de la capa de protección mediante
procesos de grabado. Desde sus inicios, NIL ha llamado mucho la atención y se ha aplicado en diversos materiales, como diodos
orgánicos emisores de luz (OLED) (Wang et al., 1999), cristales fotónicos (Belotti et al., 2006), sensores biológicos (Hoff et al. al.,
2004; Truskett et al., 2006), y otros. Investigaciones recientes también están en la búsqueda de nuevos materiales, como vidrios
metálicos (Kumar et al., 2009), para mejorar la durabilidad de los moldes.

Enfoques de abajo hacia arriba

En los enfoques ascendentes, las estructuras a nanoescala se sintetizan mediante autoensamblaje con guía física o química. El
autoensamblaje es un proceso paralelo en la naturaleza. Sin embargo, es más difícil lograr una alta precisión controlable en
comparación con los enfoques de arriba hacia abajo.

Deposición química y física de vapor

La deposición química de vapor (CVD) (Choy, 2003) es un proceso de recubrimiento relativamente maduro que implica la
disociación y las reacciones químicas de los reactivos gaseosos en un entorno activado (calor, luz, plasma), seguido de la
formación de un producto sólido estable. Ha sido ampliamente utilizado en la industria de cerámica y semiconductores.
Un proceso de CVD involucra reacciones químicas en la fase gaseosa, en la superficie del sustrato, quimisorción y
desorción. Para estructuras a nanoescala, CVD se ha utilizado para hacer crecer conjuntos de nanotubos de carbono (Pan
et al., 1999; Lee et al., 1999) y nanocables de ZnO (Pung et al., 2008) en sustratos. Se han desarrollado varias variantes de
CVD, como el depósito de vapor asistido por pulverización electrostática (ESAVD), el depósito de vapor químico de
combustión (CCVD), el depósito de vapor químico metalorgánico (MOCVD), y deposición de vapor químico asistida por
aerosol (AACVD), para utilizar precursores más ecológicos y facilitar las reacciones químicas. Recientemente, se
demostró que se pueden fabricar nanoestructuras 3D complejas mediante CVD inducida por haces de iones enfocados
(Matsui et al., 2005).

La deposición física de vapor (PVD) (Mattox, 1998; Singh y Wolfe, 2005) es una variedad de métodos de recubrimiento de
superficies en los que los materiales se evaporan mediante un haz de electrones, un haz de iones, plasma o láser. Como se ilustra
en la Fig. 2, el material evaporante se vaporiza con la energía suministrada y se solidifica sobre la superficie del sustrato. A
diferencia de CVD, no hay reacciones químicas involucradas en PVD. Los procesos de PVD generalmente requieren un ambiente
de alto vacío, tanto para permitir que el vapor llegue al sustrato sin reaccionar con otros átomos en fase gaseosa en la cámara,
como para reducir la impureza de las películas depositadas.

sustrato

electrón /
Ión / Láser
fuente

evaporante
material

Fig. 2. Un diagrama esquemático de PVD.

Nanolitografía por inmersión

La nanolitografía por inmersión (DPN) es una técnica de nanofabricación basada en microscopía de sonda de barrido que combina de
manera única la compatibilidad de materia blanda de escritura directa con la alta resolución y el registro de AFM (Salaita et al., 2007). Utiliza
una punta AFM recubierta de 'tinta' para modelar una superficie, como se ilustra en la Fig. 3. A diferencia de los métodos SPL, DPN es una
litografía constructiva de escritura directa que permite la impresión de puntas de sonda de escaneo en una superficie con sub-50 -nm
resolución, y no se requiere modificación previa de la superficie a través de la entrega de energía (como ultravioleta, irradiación de iones o
haces de electrones y solventes no polares) antes del proceso de entrega del material. Se ha aplicado en la construcción de nanomatrices
de moléculas biológicas, el estudio de reacciones superficiales localizadas con enzimas y la creación de plantillas químicas para
ensamblajes jerárquicos.
 Tecnologías de nanofabricación: avances y oportunidades

Fig. 3. Un diagrama esquemático de la nanolitografía dip-pen (Salaita et al., 2007)

Para aumentar el rendimiento de fabricación, se han demostrado hasta 55 000 puntas DPN alineadas en paralelo, lo que puede
producir patrones de superficie sofisticados (Salaita et al., 2006). Otra ventaja de DPN es que debido a que utiliza una punta AFM
para depositar moléculas orgánicas, uno puede aprovechar la alta resolución de AFM para generar múltiples patrones de tinta
con diferentes materiales con buena alineación (Hong et al., 1999).

Discusión y Resumen
Entre las diferentes técnicas de nanofabricación, algunas han madurado y se dispone de equipos comerciales, como
AFM, FIB, CVD y PVD. Las nanotecnologías se están desarrollando a un ritmo muy rápido. Se prevé que más enfoques de
fabricación estarán disponibles comercialmente en la próxima década. En particular, la litografía de nanoimpresión ha
ganado mucha atención para la producción potencial de alto rendimiento desde su inicio a mediados de la década de
1990. Como extensión de las técnicas actuales de fabricación de semiconductores, puede aprovechar las instalaciones
existentes sin cambios significativos.

Algunos de los temas clave en la nanofabricación incluyen cómo producir y usar materiales precursores, cómo
ensamblar y caracterizar precursores, cómo diseñar e integrar estructuras en dispositivos y sistemas, así como
desarrollar la instrumentación y el equipo correspondiente (Doumanidis, 2002). El principal desafío para la
nanofabricación sigue siendo la cuestión de cómo fabricar nanoestructuras de alta precisión con tasas de alto
rendimiento. Por lo general, se requieren compensaciones para estos dos objetivos en conflicto. Es obvio que los
enfoques de arriba hacia abajo y de abajo hacia arriba son útiles y complementarios entre sí. Se requiere una
combinación de los dos para producir futuros productos comerciales a nanoescala. Otro desafío para la
nanofabricación es cómo fabricar estructuras 3D. La mayoría de las técnicas existentes se concentran en el
modelado de superficies 2D.

Agradecimientos
Este trabajo es apoyado en parte por la Fundación Nacional de Ciencias Grant CMMI-0645070. El autor agradece al Prof.
Yasser Hosni por sus discusiones.

Referencias

Bard, AJ, FRF Fan, J Kwak y O Lev (1989) Microscopía electroquímica de barrido: introducción y
principios,Química analítica,61(2), 132-138
Belotti, M, J Torres, E Roy, A Pépin, D Gerace, LC Andreani, M Galli y Y Chen (2006) Fabricación de SOI
losas de cristal fotónico por litografía de nanoimpresión ultravioleta suave,Ingeniería Microelectrónica,83(4-9), 1773- 1777

Binnig, G, CF Quate y C Gerber (1986) Microscopio de fuerza atómica,física Rev. Lett.,56, 930-933 Binnig, G y H
Rohrer (1985) Microscopía de túnel de barrido,Ciencia de la superficie,152/153(Parte I), 17-26
Wang

Busnaina, A (eds.) (2007)Manual de nanofabricación(Boca Ratón, FL: CRC Press)

Cabrini, S, A Carpentiero, R Kumar, L Businaro, P Candeloro, M Prasciolu, A Gosparini, C Andreani, M
DeVittorio, T Stomeo y E DiFabrizio (2005) Litografía de haz de iones enfocados para estructuras de matriz
bidimensional para aplicaciones fotónicas,Ingeniería Microelectrónica,78-79, 11-15
Choy, KL (2003) Deposición química de vapor de recubrimientos,Progreso en la ciencia de los materiales,48, 57-170
Dagata, JA (1995) Fabricación de dispositivos por oxidación de sonda escaneada,Ciencias,227(5242), 1625-1626
Dagata, JA, J Schneir, HH Harary, CJ Evans, MT Postek y J Bennett (1990) Modificación de hidrógeno-
silicio pasivado por un microscopio de efecto túnel que opera en el aire,aplicación física Letón.,56(20), 2001- 2003

Doumandis, H (2002) El programa de nanofabricación en la Fundación Nacional de Ciencias,

Nanotecnología,13, 248-252
Eigler, DM y EK Schweizer (1990) Posicionamiento de átomos individuales con un microscopio de túnel de barrido,Naturaleza,
344, 524-526
Fujita, D, K Onishi y T Kumakura (2003) Formación de nanoestructuras de plata en la superficie de Si(111)-(7×7) por la
punta de un microscopio de efecto túnel,Revista japonesa de física aplicada - Parte 1,42(7B), 4773-4776 Guo, LJ
(2004) Avances recientes en la tecnología de nanoimpresión y sus aplicaciones,Revista de Física D: Aplicada
Física,37(11), R123-R141
Hla, SW, KF Braun y KH Rieder (2003) Mecanismos de manipulación de un solo átomo durante un corral cuántico
construcción,Revisión física B,67, 201402(1-4)
Hoff, JD, LJ Cheng, E Meyhöfer, LJ Guo y AJ Hunt (2004) Patrón de proteínas a nanoescala por impresión
litografía,Nano letras,4(5), 853-857
Hong, S, J Zhu y CA Mirkin (1999) Nanolitografía de múltiples tintas: hacia un nano-trazador de múltiples plumas,
Ciencias,286(5439), 523-525
Jeon, S, JU Park, R Cirelli, S Yang, CE Heitzman, PV Braun, PJA Kenis y JA Rogers (2004)Actas
de la Academia Nacional de Ciencias,101(34), 12428-12433
Kaneshiro, C y T Okumura (1997) Grabado a nanoescala de superficies de GaAs en soluciones electrolíticas por orificio
inyección desde la punta de un microscopio de efecto túnel,Revista de ciencia y tecnología del vacío,B15(5),
1595-1598
Keyser, UF, HW Schumacher, U Zeitler, RJ Haug y K Eberl (2000) Fabricación de un solo electrón
transistor por oxidación local controlada por corriente de un sistema de electrones bidimensional,Letras de Física
Aplicada,76(4), 457-459
Kumar, G, HX Tang y J Schroers (2009) Nanomoldeo con metales amorfos,Naturaleza,457, 868-872 Lebreton, C y ZZ Wang
(1998) Formación de nanoagujeros en la superficie de oro usando un microscopio de túnel de barrido,
Física Aplicada A: Ciencia y Procesamiento de Materiales,66(suplemento 1), s777-s782
Lee, CJ, DW Kim, TJ Lee, YC Choi, YS Park, YH Lee, WB Choi, NS Lee, GS Park y JM Kim (1999)
Síntesis de nanotubos de carbono alineados mediante deposición de vapor químico térmico,Letras de física
química,312(5-6), 461-468
Lee, MK y KK Kuo (2008) Grabado con haz de iones enfocado asistido por gas de una película de óxido de indio y estaño,japonés
Revista de Física Aplicada,47(1), 347-350
Lee, M, R O'Hayre, FB Prinz y TM Gür (2004) Nanopatrones electroquímicos de Ag en estado sólido iónico
conductor RbAg4yo5usando microscopía de fuerza atómica,Letras de Física Aplicada,85(16), 3552-3554
Li, N, T Yoshinobu y H Iwasaki (1999) Nanofabricación en óxido de Si con microscopio de efecto túnel:
Mecanismo de la reacción estimulada por electrones de baja energía,Letras de Física Aplicada,74(11), 1621-1623
Liu, K, P Avouris, J Bucchignano, R Martel, S Sun y J Michl (2002) Esquema de fabricación simple para sub-10
distancias entre electrodos de nm mediante litografía por haz de electrones,Letras de Física Aplicada,80(5), 865-867
Mamin, HJ (1996) Escritura térmica utilizando una punta de microscopio de fuerza atómica calentada,Letras de Física Aplicada,69(3),
433-435
Matsui, S, T Kaito, J Fujita, M Komuro, K Kanda e Y Haruyama (2000) Nanoestructura tridimensional
fabricado por deposición de vapor químico de haz de iones enfocados,Revista de ciencia y tecnología del vacío, B18
(6), 3181-3184
Mattox, DM (1998)Manual de procesamiento de deposición física de vapor (PVD)(Westwood, Nueva Jersey: Noyes
Publicaciones)
 Tecnologías de nanofabricación: avances y oportunidades

Mitsuishi, K, M Shimojo, M Han y K Furuya (2003) Deposición inducida por haz de electrones usando un
sonda de tamaño subnanómetro de electrones de alta energía,Letras de Física Aplicada,83(10), 2064-2066
Notargiacomo, A, V Foglietti, E Cianci, G Capellini, M Adami, P Faraci, F Evangelisti y C Nicolini (1999)
Litografía de microscopía de fuerza atómica como técnica de desarrollo de nanodispositivos.Nanotecnología,10, 458- 463

Pan, ZW, SS Xie, BH Chang, LF Sun, WY Zhou y G Wang (1999) Crecimiento directo de carbono abierto alineado
nanotubo por deposición química de vapor,Letras de física química,299(1), 97-102
Phaneuf, MW (1999) Aplicaciones de microscopía de haz de iones enfocados a especímenes de ciencia de materiales,Micrón,
30(3), 277-288
Pung, SY, KL Choy, X Hou y C Shan (2008) Crecimiento preferencial de películas delgadas de ZnO por la capa atómica
técnica de deposición,Nanotecnología,19, 435609(1-8)
Sadki, ES, S Ooi y K Hirata (2004) Deposición inducida por haz de iones enfocados de nanocables superconductores,
Letras de Física Aplicada,85(25), 6206-6208
Rauscher, H, F Behrendt y RJ Behm (1997) Fabricación de nanoestructuras superficiales mediante túneles de exploración
deposición inducida por microscopio de SiH4y SiH2cl2,Revista de ciencia y tecnología del vacío,B15(4),
1373-1377
Rogers, JA y RG Nuzzo (2005) Avances recientes en litografía blanda,Materiales hoy,8(2), 50-56 Salaita, K, Y Wang, J
Fragala, RA Vega, CA Mirkin (2006) Nanolitografía de pluma de inmersión masivamente paralela con
Arreglos bidimensionales de 55,000 plumas,Angew. química En t. edn,45(43), 7220-7223
Salaita, K, Y Wang y CA Mirkin (2007) Aplicaciones de la nanolitografía con pluma de inmersión,Naturaleza Nanotecnología,
2, 145-155
Singh, J y DE Wolfe (2005) Revisión: Fabricación de componentes nano y macroestructurados por haz de electrones.
deposición física de vapor (EB-PVD),Revista de ciencia de materiales,40(1), 1-26
Sotomayor Torres, CM, S Zankovych, J Seekamp, AP Kam, C Clavijo Cedeño, T Hoffmann, J Ahopelto, F
Reuther, K Pfeiffer, G Bleidiessel, G Gruetzner, MV Maximov y B Heidari (2003), litografía de nanoimpresión:
un enfoque alternativo de nanofabricación,Ciencia e ingeniería de materiales C,23(1-2), 23-31 Truskett, VN y
MPC Watts (2006) Tendencias en la litografía de impresión para aplicaciones biológicas,Tendencias en
Biotecnología,24(7), 312-317
Tseng, AA (2004) Desarrollos recientes en microfresado usando tecnología de haz de iones enfocados,Diario de
Micromecánica y Microingeniería,14(4), R15-R34
Tseng, AA (eds.) (2008)Nanofabricación: Fundamentos y Aplicaciones(World Scientific Publishing) Tseng, AA, A
Notargiacomo y TP Chen (2005) Nanofabricación mediante litografía con microscopio de sonda de barrido:
Una revisión,Revista de ciencia y tecnología del vacío,B23(3), 877-894
van Dorp, WF, B van Someren, CW Hagen y P Kruit (2005) Acercándose al límite de resolución de nanómetro-
deposición inducida por haz de electrones a escala,Nano letras,5(7), 1303-1307
Wang, J, X Sun, L Chen y SY Chou (1999) Direct nanoimprint of submicron organic light-emitting
estructuras,Letras de Física Aplicada,75(18), 2767-2769
Wilder, K, CF Quate, D Adderton, R Bernstein y V Elings (1998) Nanolitografía sin contacto usando el
microscopio de fuerza atómica,Letras de Física Aplicada,73(17), 2527-2529
Xia, Y, JA Rogers, KE Paul y GM Whitesides (1999) Métodos no convencionales para fabricar y modelar
nanoestructuras,Revisiones químicas,99(7), 1823-1848
Xia, Y y GM Whitesides (1998) Litografía suave,Revisión anual de ciencia de materiales,28, 153-184 Young, RJ, JRA
Cleaver y H Ahmed (1993) Características del grabado con haz de iones enfocado asistido por gas,
Revista de ciencia y tecnología del vacío,B11(2), 234-241

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