INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR

TECNOLÓGICO PÚBLICO “REPÚBLICA

FEDERAL DE ALEMANIA”
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
ELECTRÓNICA ANALÓGICA

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Docente:
➢ Ing. Carlos Frank Mimbela Pérez

Estudiante:

➢ Hernández Damián Roger Smith

CHICLAYO, 2022
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 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
(BJT)

INDICE

Tipos de Transistor de Unión Bipolar .......................................................3

Terminales de un Transistor de Unión Bipolar .........................................4
Símbolo del Transistor de Unión Bipolar ..................................................5
Polarización del transistor ........................................................................5
Modos de trabajo .......................................................................................9
Bibliografía ..............................................................................................11

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 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
¿Qué es un Transistor de Unión Bipolar?
Un transistor de unión bipolar o BJT es un dispositivo semiconductor de tres terminales
que consta de dos uniones p-n capaces de amplificar o magnificar una señal. Es un
dispositivo controlado por corriente que puede ser utilizado para conmutar
electrónicamente un circuito. Los tres terminales del transistor BJT son: la base, el
colector y el emisor.

Tipos de Transistor de Unión Bipolar

Según la configuración de las capas de un transistor BJT, se pueden diferenciar dos
tipos:
➢ NPN

La corriente negativa entra por Colector y sale por Emisor, se regula por la base

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 ➢ PNP

La corriente positiva entra por el Emisor y sale por el colector, se regula por la
base.

Terminales de un Transistor de Unión Bipolar

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas constan de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).

➢ Emisor

La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada

de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso
de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.

➢ Base

La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se

trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por
el emisor hacia el colector.

➢ Colector

La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o

“colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de
atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

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Símbolo del Transistor de Unión Bipolar

Polarización del transistor

Se entiende por polarización del transistor las conexiones adecuadas que hay que
realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente.

➢ Transistor NPN

Corrientes de transistor

Las flechas nos indican el sentido de la corriente en este tipo de transistores. La

ecuación que relaciona las intensidades es:

𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩

Con esta ecuación recordamos a Kirchhoff y la expresión «La suma de las

intensidades de entrada es igual a la intensidad de salida».

5
Puesto que la corriente de base es muy pequeña, la corriente de colector es
aproximadamente igual a la corriente de emisor:

𝑰𝑬 ≈ 𝑰𝑪

y la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector:

𝑰𝑩 << 𝑰𝑪

Alfa

Se define como la corriente continua de colector dividida entre la corriente

continua de emisor:

𝑰𝑪
𝜶=
𝑰𝑬
Beta

Se define como la relación de la corriente continua de colector y la corriente

continua de base:
𝑰𝑪
𝜷=
𝑰𝑩

Se conoce como ganancia de corriente porque una corriente de base pequeña

controla a una corriente de colector mucho más grande.

𝑰𝑪
𝑰𝑪 = 𝜷 × 𝑰𝑩 𝑰𝑩 =
𝜷

Voltaje de transistor

La relación entre las tensiones está definida en la ecuación:

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑩 + 𝑽𝑩𝑬

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 Esta ecuación nos dice que la tensión que se encuentra entre el emisor y el
colector es igual a la tensión que hay entre el colector y la base más la tensión
que hay entre la base y el emisor.

➢ Transistor PNP

Corrientes de transistor

Las flechas nos indican el sentido de la corriente en este tipo de transistores. La

ecuación que relaciona las intensidades es:

𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩

Con esta ecuación recordamos a Kirchhoff y la expresión «La suma de las

intensidades de entrada es igual a la intensidad de salida».
Puesto que la corriente de base es muy pequeña, la corriente de colector es
aproximadamente igual a la corriente de emisor:

𝑰𝑬 ≈ 𝑰𝑪

7
y la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector:

𝑰𝑩 << 𝑰𝑪

Alfa

Se define como la corriente continua de colector dividida entre la corriente

continua de emisor:

𝑰𝑪
𝜶=
𝑰𝑬
Beta

Se define como la relación de la corriente continua de colector y la corriente

continua de base:
𝑰𝑪
𝜷=
𝑰𝑩

Se conoce como ganancia de corriente porque una corriente de base pequeña

controla a una corriente de colector mucho más grande.

𝑰𝑪
𝑰𝑪 = 𝜷 × 𝑰𝑩 𝑰𝑩 =
𝜷

Voltaje de transistor

La relación entre las tensiones está definida en la ecuación:

𝑽𝑬𝑪 = 𝑽𝑬𝑩 + 𝑽𝑩𝑪

Esta ecuación nos dice que la tensión que se encuentra entre el emisor y el
colector es igual a la tensión que hay entre el colector y la base más la tensión
que hay entre la base y el emisor.

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Modos de trabajo

➢ Corte

Se llama región de corte cuando no existe tensión en la base del transistor o la

tensión de la base es muy pequeña.

Lo que ocurre cuando la tensión de la base es muy pequeña o no tiene tensión es

que entre el colector y el emisor no circulan electrones o corriente eléctrica,
entonces el transistor se comporta como si de un interruptor abierto se tratara.

𝑰𝑪 = 𝜷 × 𝑰𝑩
Como:

𝑰𝑩 = 𝟎
entonces
𝑰𝑪 = 𝑰𝑬 = 𝟎

La región de corte nos dice que el transistor no está trabajando, el transistor no

deja pasar la corriente eléctrica entre sus terminales de emisor y colector.

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝒇𝒖𝒆𝒏𝒕𝒆

➢ Activa directa

La corriente del colector al emisor es proporcional a la corriente que fluye hacia

la base.

El transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresión

𝑰𝑪 = 𝜷 × 𝑰𝑩

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 ➢ Saturación

La saturación es el modo encendido de un transistor. Un transistor en modo de

saturación actúa como un corto circuito entre el colector y el emisor.

Un transistor se encuentra en la región de saturación cuando la corriente

eléctrica circula entre 𝐸 y 𝐶 como si se tratara de un circuito cerrado.

➢ Activa inversa

Como en el modo activo, la corriente es proporcional a la corriente base, pero

fluye inversamente.

Tal como el modo de saturación es el inverso del modo de corte, el activo inverso
es el opuesto del modo activo. Un transistor en modo activo inverso conduce,
hasta amplifica, pero la corriente fluye en el sentido contrario, desde el emisor al
colector. La desventaja del modo activo inverso es que la β (βR en este caso) es
mucho más pequeña.

Relación de voltajes emisor, base y colector

RELACION DE VOLTAJES MODO EN NPN MODO EN PNP

𝑽𝑬 < 𝑽𝑩 < 𝑽𝑪 Activo Inverso
𝑽𝑬 < 𝑽𝑩 > 𝑽𝑪 Saturación Corte
𝑽𝑬 > 𝑽𝑩 < 𝑽𝑪 Corte Saturación
𝑽𝑬 > 𝑽𝑩 > 𝑽𝑪 Inverso Activo

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Tensión y corriente de trabajo en los diferentes estados

Corte Activa Saturación

𝑽𝑪𝑬 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽 𝟎 < 𝑽𝑪𝑬 < 𝑽 𝑽𝑪𝑬 ≈ 𝟎
𝑰𝑪 = 𝜷 × 𝑰𝑩
𝑰𝑪 𝑰𝑪 ≈ 𝑰𝑬 = 𝟎 𝑰𝑪 ≈ 𝑰𝑬
𝑰𝑪 ≈ 𝑰𝑬
𝑰𝑩 ≪ 𝑰𝑪 𝑰𝑩 ≈ 𝟎 𝑰𝑩 > 𝟎 𝑰𝑩 ≈ 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑜
𝑪𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒄𝒊ó𝒏 𝒅𝒆𝒍 Conduce Conduce
No conduce
𝒕𝒓𝒂𝒏𝒔𝒊𝒕𝒐𝒓 parcialmente totalmente

Bibliografía

➢ Principios de Electrónica – ALBERT MALVINO y DAVID J. BATES

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