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DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA
PRÁCTICA DE LABORATORIO 4
TEMA:
Transistor Bipolar de Juntura
CURSO:
Cuarto “A” – 1763
INTEGRANTES:
Edison Chuquiana

Fernando Toapanta

Darwin Díaz

DOCENTE:

Ing. José Varela

PERIODO:

Octubre 2017 – Febrero 2018

Latacunga, 4 Enero del 2018


1. TEMA
Transistor Bipolar de Juntura
2. OBJETIVOS
2.1. Objetivo general

Analizar el uso y comportamiento del transistor como amplificador.

2.2. Objetivo específicos


 Analizar el funcionamiento de un amplificador de voltaje usando un transistor
(NPN).
 Implementar un motor y observar sus cambios de velocidad que dependen de la
resistencia variable.
 Analizar las tensiones y corrientes presentadas en el motor, el emisor, la base y el
colector.
3. INTRODUCCIÓN

3.1.¿Qué es un transistor?
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").

Imagen 1: Tipos de transistor

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a
ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente
"transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color...
Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en
ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

3.2.Historia de los transistores


El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor invento
realizado en el siglo XX. Este dispositivo electrónico básico, de tres terminales, originó
los circuitos integrados y todos los elementos de la alta escala de integración. Son muchas
las personas y los científicos que aseguran que la era de la comunicación estableció una
base perfecta gracias al transistor.

Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un
conmutador que reemplazara a los relés y los sistemas de barras, y que se utilizara en la
telefonía. El transistor germina de la unión de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue dado
por J.P Pierce. Según Quentin Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de cristal
(que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera creado
estos transistores con las prestaciones que hoy en día le caracteriza. La patente de
invención estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera
ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a Walter
Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el año 1951 fue que
surgió el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley.
Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un
indicador de corriente, una fuente de tensión continua y dos resistencias con interruptores.
Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente entre el emisor
y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no se producirá corriente de
base, y el indicador de corriente mostrará una corriente nula. Ahora bien, para originar
una corriente de colector o de base, solamente se debe de cerrar uno de los interruptores.
Y para crear un paso de corriente mucho mayor se deberá de cerrar los dos interruptores.
Es por ello que se llega a la conclusión, de que el interruptor se comporta como si fuera
una resistencia, donde la corriente de base controla su valor completamente.

Imagen 2: Transistor CK703


EL CK703, uno de los primeros transistores comercializados (1948, 1949)

3.3.Regiones Operativas del transistor


 Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector =
corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay
corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de colector
= corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima). En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de los
resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar
que Ic = β * Ib)
 Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en
la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En
esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor).
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador.
3.4.Tipos de transistores

Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones a


las que se destinan.

Los más comunes y conocidos son:

 Transistor Bipolar de Unión (BJT)


 Transistor de efecto campo , de unión (JFET)
 Transistor de efecto campo , de metal- oxido-semiconductor (MOSFET)
 Fototransistor
3.5 TRANSISTORES BJT

Tipos de transistores de unión bipolar

3.5.1 NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base
en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

3.5.2 PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en


que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
3.6 Curva característica de los BJT

El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el


comportamiento de la unión base emisor y la segunda para definir el funcionamiento entre
colector y emisor.

Imagen 3: Curva características de los BJT

La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los niveles
de corriente ahora son muy pequeños en el orden de los µA. Por otra parte, la curva
colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de corriente de base existirá
una corriente de colector que variara dependiendo del voltaje colector emisor.

La curva de salida es probablemente la más importante de todas, sin embargo resulta a


veces demasiado confusa, es por esto que es común utilizar una formula matemática que
recibe el nombre de ganancia o factor de amplificación:

𝐼𝐶
𝛽 = 𝐻𝑓𝑒 =
𝐼𝐵

Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
4. CÁLCULOS

Imagen 4: Circuito diseñado en Simulink

𝑽𝒂𝒍𝒐𝒓 𝒅𝒆 𝒈𝒂𝒏𝒂𝒏𝒄𝒊𝒂 𝒅𝒆 𝒄𝒐𝒓𝒓𝒊𝒆𝒏𝒕𝒆 “𝑯𝒇𝒆”

𝛽 = 37

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽

𝑴á𝒙𝒊𝒎𝒂 𝑪𝒐𝒓𝒓𝒊𝒆𝒏𝒕𝒆 𝒆𝒏 𝒆𝒍 𝒄𝒐𝒍𝒆𝒄𝒕𝒐𝒓: 𝟖𝟎 𝒎𝑨

𝐼𝐶 0.08 𝐴
𝐼𝐵 = =
𝛽 37

𝐼𝐵 = 2.16𝑥10−3 𝐴

𝑪𝒂𝒍𝒄𝒖𝒍𝒐 𝒅𝒆 𝒍𝒂 𝒊𝒏𝒕𝒆𝒏𝒔𝒊𝒅𝒂𝒅 𝒆𝒏 𝑹𝑩

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵

(12 − 0.7)𝑉
𝑅𝐵 =
2.16𝑥10−3 𝐴

𝐶𝑂𝑀𝐸𝑅𝐶𝐼𝐴𝐿:

𝑅𝐵 = 5226.25 Ω → 6KΩ

𝑴í𝒏𝒊𝒎𝒂 𝑪𝒐𝒓𝒓𝒊𝒆𝒏𝒕𝒆:

𝐸𝑙 10% 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝐼𝐿

10
𝐼𝐿 = (0.08)
100

𝐼𝐿 = 0.008 𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵

(12 − 0.7)𝑉
𝑅𝐵 =
2.16𝑥10−4 𝐴

𝑅𝐵 = 52314.8 Ω

𝐶𝑂𝑀𝐸𝑅𝐶𝐼𝐴𝐿:

𝑅𝐵 = 52 𝐾Ω
5. SIMULACIÓN

Imagen 5: Implementación del circuito en Simulink, en este caso se utilizó una


resistencia de base de 6k y un potenciómetro de 52 k, un transistor NPN y un motor de
corriente continua de 12 V. En el circuito se encuentran implementados los medidores de
intensidad y de corriente, tanto en la base como en el colector.

6. RESULTADOS

Datos Calculados

Mínimo (10% max) Máximo

Hfe 30 300

Intensidad Base 2,16 × 10−4 2,16 × 10−3

Resistencia Base 522314, 8 Ω 5226, 25 Ω

Datos Medidos

Mínimo (10% max) Máximo

Hfe 37 350

Intensidad Base 2,5 × 10−4 2,1 × 10−3

Resistencia Base 52 𝐾Ω 6 KΩ
Datos Simulados

Mínimo (10% max) Máximo

Hfe 30 300

Intensidad Base 3,86 × 10−4 3,016 × 10−3

Resistencia Base 52 𝐾Ω 6 KΩ

7. CONCLUSIONES
 El voltaje que alimenta el motor está amplificado, esto depende del valor de β del
transistor.
 El valor de la intensidad varía conforme varía el valor de la resistencia variable.
 Se concluye que los datos calculados coinciden con los datos obtenidos con el
multímetro con un error mínimo, como era de esperarse el voltaje y corrientes en
las salidas del transistor fueron los esperados.
8. RECOMENDACIONES
 Al momento de calcular y medir los voltajes con el multímetro, asegúrese de
tomar en cuenta el valor de β que se lo puede encontrar en la hoja de datos del
respectivo transistor.
 Instalar adecuadamente el transistor (orientación), para que la corriente y voltaje
pueda circular de manera correcta y no actúe como un circuito abierto.
 Hay que tomar en cuenta todos los decimales al momento de calcular todos los
datos manualmente, de esta manera se acercarán mas a los datos arrojados por el
multímetro.

9. BIBLIOGRAFÍA
[1] El transistor Bipolar. URL: http://jarriako.es/Temas_ec/Eca_08a.htm

[2]El transistor bipolar com amplificador. URL: http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto


/asignaturas/EI/transparencias/EI_nociones_basicas_transistores.pdf

[3] Fundamentos de electronica analógica URL: http://books.google.com.co/books?


id=JEcgicCG8n8C&pg=PA87&lpg=PA87&dq=simulacion+emisor+comun+como+
amplificador&source=bl&ots=QvJTtyBv&sig=GU43RI4BIYVwGN4HyXoTzyTv8&hl
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