TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR

NOMBRE: GUILLERMO VARGAS NUÑEZ

MATRÍCULA: 179769
FUNDAMENTOS DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA
CLASE: 9:00 A 10:00
TRANSITORES DE UNIÓN BIPOLAR
El capítulo 10 comienza con una pequeña explicación de que es un transistor, la cual nos dice
que es un dispositivo semiconductor de tres terminales el cual puede cumplir con 2 funciones,
la amplificación y la conmutación la cual consiste en magnificar una señal transfiriéndole
energía desde una fuente externa, mientras que un interruptor transistorizado es un
dispositivo que controla entre dos terminales mediante una pequeña corriente o tensión que
se aplica en la tercera terminal.

Los transistores también pueden actuar de una

forma no lineal, es decir, como interruptores que
sean controlados por tensión o corriente, la cual
se utiliza para controlar el flujo de la corriente
entre dos de las terminales de forma que actúa
como un ON/OFF, si el interruptor está cerrado
es decir encendido la tensión o corriente de
control debe ser mayor a cero en caso de que sea
menor a cero este está apagado lo que es equivalente a estar abierto.

El transistor de unión bipolar BJT por sus siglas en ingles se forma a partir de la unión de
tres secciones de material semiconductor, cada una con una concentración de dopaje diferente
donde un super índice indica cual es el material más dopado, los BJT resultantes se
denominan transistores pnp y npn, respectivamente; pnp el transistor está formado por dos
uniones pn de manera consecutiva la unión base-emisor (BE) actúa como un diodo cuando
está polarizada hacia delante, lo que provoca el flujo correspondiente de corrientes de huecos
y electrones de la base al emisor cuando el colector está abierto y la unión BE está polarizada
hacia delante; si se invierte la polarización de la unión base-colector (BC), se produce un
fenómeno en el que lo electrones que son emitidos por el emisor con la unión BE polarizada
hacia delante alcanzan la estrecha región de la base y, tras perderse algunos en la base, la
mayoría son recogidos por el colector, esto puede ocurrir porque la región de la base se
mantiene particularmente estrecha debido a esto hay una alta probabilidad de que los
electrones se han reunido suficiente impulso del campo eléctrico para cruzar la unión
colector-base de polarización inversa y llegar al colector. La corriente de electrones que fluye
hacia el colector a través de la base es sustancialmente mayor que la que fluye hacia la base
desde el circuito externo.

La propiedad más importante del transistor bipolar es que la pequeña corriente de base
controla la cantidad de corriente de colector, que es mucho mayor.

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

Donde β es un factor de amplificación de corriente que depende de las propiedades físicas

del transistor, en donde los valores típicos de β oscilan entre 20 y 200. El funcionamiento de
un transistor pnp es completamente análogo al del dispositivo npn, con los papeles de los
portadores de carga (y por tanto los signos de las corrientes) invertidos.

Se identifican cuatro regiones en la característica del colector:

1. La región de corte, en la que ambas uniones tienen polarización inversa, la corriente
de base es muy pequeña y prácticamente no circula corriente de colector.
2. La región lineal activa, en la que el transistor puede actuar como amplificador lineal
donde la unión BE está polarizada hacia delante y la unión CB está inversa.
3. La región de saturación, en la que ambas uniones están polarizadas hacia delante.
4. La región de ruptura, que determina el límite físico de funcionamiento del dispositivo.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
 𝐼𝐶
=𝛽
𝐼𝐵
Ya que la corriente de colector está controlada por la corriente de base, cuando la corriente
de base es suficientemente grande, la tensión colector- emisor VCE alcanza su límite de
saturación y la corriente de colector deja de ser proporcional a la corriente de base.

La familia de curvas mostrada para la característica i-v del colector refleja la dependencia de
la corriente de colector con la corriente de base. Para cada valor de la corriente de base iB,
existe una curva, la corriente de base y la corriente
de colector podemos determinar el punto de
funcionamiento, o punto Q, del transistor. El punto
Q de un dispositivo es en términos de las corrientes
y tensiones de reposo (o inactivas) que están
presentes en los terminales del dispositivo cuando
se le conectan fuentes de corriente continua.
Aplicando KVL alrededor de los circuitos base-emisor y colector, obtenemos las
siguientes ecuaciones:
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝐵𝐵 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
En las propiedades de los transistores, se sugirió que, además de servir como amplificadores,
los dispositivos de tres terminales pueden utilizarse como conmutadores electrónicos en los
que un terminal controla el flujo de corriente entre los otros dos, es decir, también pueden
actuar como dispositivos de encendido/apagado.
Una señal analógica es aquella que varía de forma continua en el
tiempo, en analogía con una magnitud física, por el otro lado, una
señal digital, es una señal que sólo puede tomar un número finito de
valores.
Un diodo conduce corriente cuando está polarizado hacia delante y
que, de lo contrario, actúa como un circuito abierto, por lo tanto, el
diodo puede servir como interruptor si se emplea correctamente al
analizar los modelos de señal grande para el BJT, observamos que la
característica i-v de esta familia de dispositivos incluye una región
de corte, en la que prácticamente no circula corriente a través del
transistor, cuando se inyecta una cantidad suficiente de corriente en
la base del transistor, la corriente se detiene en la base del transistor,
un transistor bipolar alcanza la saturación y fluye una cantidad
considerable de corriente de colector, este comportamiento es muy
adecuado para el diseño de puertas e interruptores electrónicos.
Así, cuando la tensión de entrada vin es baja, el transistor está en la
región de corte y fluye poca o ninguna corriente, por lo que la salida es "lógicamente alta".
Cuando vin es lo suficientemente grande como para llevar al transistor a la región de
saturación, fluirá una cantidad sustancial de corriente de colector y la tensión colector-emisor
se reducirá al pequeño valor de saturación VCEsat, que es el valor de saturación más bajo,
se reducirá al pequeño valor de saturación VCEsat, que suele ser una fracción de voltio.

BIBLIOGRAFÍA
• Rizzoni, G. & The Ohio State University. (s. f.). Fundamentals of electrical
engineering (1.a ed.). McGraw-Hill.