Circuitos con Transistores

Ma. Eugenia Lascano* Ma. Luz Mart , nez Ricci**Alberto Scarpettini*** ,

Resumen Se estudi un transistor npn BC548, obteniendo su ganancia de corriente y curvas o caracter sticas. Luego se estudiaron diversas aplicaciones de este transistor en circuitos amplicadores basados en el circuito seguidor por emisor.

1.

Introduccin o

El transistor [1] es un componente electrnico activo, un dispositivo que puede o amplicar una corriente, produciendo una seal de salida mucho ms potente que n a la seal de entrada. Esta potencia adicional proviene de una fuente externa. Es el n ingrediente esencial de todo circuito electrnico, desde el amplicador ms sencillo o a hasta la computadora digital ms elaborada. Por ejemplo, los circuitos integrados son a circuitos construidos con transistores y otros componentes sobre una pequea pastilla n de material semiconductor. Un transistor [2] es un dispositivo de 3 terminales, disponible en dos variedades: npn y pnp. En la gura 1 se observan los s mbolos que representan a ambos transistores, donde B es la base, C el colector y E el emisor, y se indican el sentido de los ujos de corriente.
C IB ICE IB E B E

IEC C

Figura 1: Representacin esquemtica de un transistor npn y pnp, o a respectivamente.

En la utilizacin de un transistor npn se siguen las siguientes reglas [1]: o 1.
* **

El colector debe estar a una tensin mayor que el emisor. o

eugenia@df.uba.ar mricci@df.uba.ar *** ascarpet@df.uba.ar

2.

Los circuitos base-emisor y base-colector se comportan como diodos. Normalmente, el diodo base-emisor est polarizado en directa, y el base-colector en ina versa, es decir, contrario a la direccin de ujo de corriente. La echa en el s o mbolo del transistor indica el diodo polarizado en directa. Cada transistor tiene un valor mximo de IC , IB y VCE que no puede excederse a sin correr el riesgo de destruirlo. Hay tambin otros l e mites, como la potencia disipada IC VCE , temperatura, VBE , sealados en las hojas de datos. n Cuando se obedecen las reglas 1 a 3, la corriente IC es proporcional a IB y puede escribirse como IC = IB , (1) donde es la ganancia de corriente. Adems, a IE = IC + IB = ( + 1)IB . (2)

3.

4.

Tanto IC como IB uyen hacia el emisor, y esta ganancia proviene de una fuente conectada entre colector y emisor. Esta propiedad le da al transistor su utilidad: una corriente pequea en la base controla una corriente mucho ms grande en el n a colector. De acuerdo a la propiedad 2, si conecto los terminales base-emisor a un voltaje mayor que 0,6 a 0,8 volts, una corriente enorme circular por el transistor. Esta regla a implica que un transistor operando correctamente tendr una tensin VB VE + 0, 7V , a o donde el ultimo trmino es la ca de tensin sobre el diodo BE en directa. e da o En los casos l mites de operacin, el transistor acta como una llave de corriente. Si o u no hay corriente en la base, el transistor no deja pasar corriente entre colector y emisor, y la tensin entre esos dos terminales es mxima. Si la corriente de base es mxima, o a a tambin lo ser la corriente de colector y emisor, y la tensin entre ellos ser m e a o a nima.

2.
2.1.

Descripcin experimental y resultados o

Ganancia de corriente del transistor

Se arm el circuito de la gura 2 para obtener la ganancia de corriente de un o transistor npn BC548. Se conect la resistencia de colector RC a una fuente de tensin o o continua VCC = (12, 12 0, 07) V, y la resistencia de base RB a una fuente de tensin o senoidal Vin entre 0 y 10 volts aproximadamente (Vpp = (10, 2 0, 6) V y Vmedio = (5, 0 0, 3) V). Se calcul el valor de RC de forma tal que la corriente de colector IC o no supere el valor mximo permitido ( 10 mA). De esta manera: a RC VCC ICmax 1, 2k. (3)

La resistencia elegida fue de RC = (9877) , un valor que permite explorar corrientes levemente superiores a los valores l mites. El mismo criterio se utiliz para elegir RB , o

ya que la corriente de base IB , segn la hoja de datos, no debe superar los 100 A. Se u estim: o Vpp 0, 7V 93k, (4) RB IBmax y se eligi una RB = (98, 0 0, 7) k. Con el osciloscopio se tom la seal de entrada o o n Vin y la tensin de colector VC , obteniendo las corrientes de base y de colector mediante o IB = Vin 0, 7V , RB IC = VCC VC . RC (5)

Osciloscopio

RC

RB VCC

Vin

Figura 2: Circuito utilizado para la medicin de la ganancia de o corriente del transistor.

En la gura 3 se muestra la relacin funcional entre estas dos corrientes, y ajuso tando una recta por el mtodo de cuadrados m e nimos en la zona lineal del grco se a obtiene una ganancia de corriente = 432 2. La zona plana anterior a la zona lineal corresponde al momento en que la tensin de entrada es pequea y no alcanza a poo n larizar en directa al diodo BE, y la zona plana posterior corresponde a una corriente de colector saturada pues la fuente de tensin continua no puede entregarle ms potencia. o a Esta IC de saturacin corresponde aproximadamente al valor del cociente entre VCC y o la resistencia RC .

2.2.

Ecuacin de Ebers-Moll o

En el mismo circuito anterior de la gura 2 se tomaron con el osciloscopio las tensiones en la base VB y en el colector VC . Con esta ultima seal se calcul la corriente n o de colector IC segn la ecuacin (5) y se observ el crecimiento logar u o o tmico de VB con IC . Ajustando con una recta el grco de VB vs log IC se obtuvo un valor de pendiente a de (98 3) mV/dc, cercano al valor de tablas de 60 mV/dc. e e

2.3.

Curvas caracter sticas

Se utiliz el circuito de la gura 4 para obtener las grcas de las curvas caracter o a sticas ICE vs VCE parametrizadas para distintos valores de la corriente de base IB . Se

Figura 3: Corrientes de base y de colector en un transistor BC548. En la zona lineal se obtiene una ganancia = 432 2.
conect a la resistencia de base RB una fuente de tensin continua V0 = (5, 050, 05) V, o o y a la resistencia de colector RC una fuente de tensin alterna Vf entre 0 y 10 volts, o como la utilizada en el clculo de . Como se mencion anteriormente, se eligieron a o resistencias RC y RB de forma tal de no superar la corrientes mximas permitidas, y a en particular se utilizaron diversas RB para tener diversas corrientes de base IB y por consiguiente distintas curvas caracter sticas para cada uno de esos valores. Se eligi una resistencia RC = (987 7) y una serie de resistencias de base o enumeradas en el cuadro 1 con su correspondiente corriente de base calculadas mediante IB = V0 0, 7V . RB (6)

RB (46, 0 0, 4)k (98, 0 0, 7)k (146, 3 0, 9)k (482 7)k (1, 02 0, 01)M

IB (95 2)A (44 1)A (29, 7 0, 6)A (9, 0 0, 2)A (4, 3 0, 1)A

Cuadro 1: Resistencias de base utilizadas para la obtencin de o las curvas caracter sticas del transistor BC548, con sus correspondientes corrientes de base.

Osciloscopio

RC RB Vf

V0

Figura 4: Circuito utilizado para obtener la curva caracter stica del transistor.
La corriente ICE se calcula haciendo la diferencia entre las dos tensiones obtenidas con el osciloscopio, pinchando a la salida de la fuente de tensin alterna Vf y en el o colector del transistor VCE , es decir ICE = Vf VCE . RC (7)

Se muestran las curvas caracter sticas del transistor utilizado en la gura 5, para los distintos valores de la resistencia de base expuestos en el cuadro 1. Se observa un plateau en el caso de los mayores valores de RB , casos (d) y (e), correspondiente a la zona lineal de operacin del transistor con ganancia entre las corrientes IB e IC . La zona anterior o a este plateau, y las curvas (a), (b) y (c), corresponde a un comportamiento no lineal del transistor dado por corrientes de base excesivamente bajas. Estas curvas conuyen en el punto de corriente ICE nula, en el que el transistor acta como una llave abierta. u Aumentando la tensin en el colector puede pasarse de la zona lineal a una zona no o lineal de aumento rpido de corriente, con el riesgo de quemar el transistor por exceder a la corriente mxima permitida por el fabricante. a

2.4.

Seguidor por emisor

En la gura 6 se muestra el circuito seguidor por emisor armado en el laboratorio. El colector se alimenta con una tensin continua VCC = (12, 14 0, 07) V, y se conecta o a la resistencia de base RB una seal senoidal Vin de aproximadamente 50 Hz cuyo n valor de tensin pico a pico es de Vpp = (1, 04 0, 05) V. Las resistencias utilizadas son o RB = (268, 8 1, 6) y RE = (3, 24 0, 04)k. En un primer caso, se conecta a tierra la resistencia del emisor (VEE = 0). Se muestra en la gura 7 las seales de entrada y salida del circuito. Para poder comparar n ambas seales, se las incluye en el mismo grco, con la escala de Vin a la izquierda y n a de Vout a la derecha. Se observa a la salida una pobre rplica de la seal de entrada, e n

Figura 5: Curvas caracter sticas de un transistor BC548 para distintos valores de la corriente de base: (a) IB = 4, 3A, (b) IB = 9A, (c) IB = 30A, (d) IB = 44A, (e) IB = 95A.

VCC RB Vin Vout RE

VEE

Figura 6: Circuito seguidor por emisor.

debido a que en la mayor parte del per odo la tensin sobre la base del transistor es tan o baja que no logra polarizar el diodo BE para que circule corriente. Slo en una pequea o n fraccin de tiempo la tensin de entrada supera ese umbral, teniendo a la salida un o o seguimiento de Vin . Como Vin = IB RB + VBE + Vout , Vout = ( + 1)IB RE + VEE , (8)

y en este caso VEE = 0, la corriente de base mxima que circula es aproximadamente a IBmax = Vout (pico) ( + 1)RE 7nA, (9)

un valor claramente muy pequeo. En resumen, se tendr a la salida una seal no nula n a n slo cuando Vin > VBE . o

Figura 7: Tensiones de entrada y salida en un circuito seguidor por emisor conectando el retorno de emisor a tierra.
Por otro lado, si se conecta la resistencia del emisor a una tensin continua negativa o VEE , de forma tal que la seal de entrada sea Vin > VEE + 0, 7 V en todo instante, n entonces el diodo BE del transistor estar siempre polarizado en directa, permitiendo a tener a la salida una copia de Vin , restada en un valor dado por la ecuacin (8). En o nuestro caso, se conect RE a una tensin VEE = (11, 35 0, 07) V, y las seales de o o n entrada y salida se observan en la gura 8. Claramente el circuito es un seguidor, las seales estn en fase y tienen la misma amplitud. Para seales pequeas, se obtiene n a n n una estimacin de la corriente IB a travs de la ecuacin (8) o e o IB VEE ( + 1)RE 10A, (10)

y una estimacin de la ca sobre el diodo BE restando Vin Vout = (0, 6450, 004) V. o da

Figura 8: Tensiones de entrada y salida en un circuito seguidor por emisor conectando el retorno de emisor a -12V.

2.5. Impedancia de entrada y de salida del seguidor por emisor

Para simular una fuente de seal de impedancia moderada en el circuito seguidor n por emisor anterior, se cambi la resistencia de base baja por otra mayor de RB = o (9, 86 0, 07)k. Como se muestra en la gura 9, se conect una resistencia de carga o RL = (554 5) con un capacitor de bloqueo C = (5, 12 0, 07) F (acta como ltro u pasaaltos) a la salida para medir la impedancia de salida del circuito. Utilizando el teorema de Thevenin, se puede pensar el circuito seguidor como una fuente a circuito abierto VE (ab) con una impedancia de salida Zout en serie, que al conectarle una carga da una tensin VE (RL ). De este modo: o VE (RL ) = Iout RL = VE (ab) RL , Zout + RL (11)

y se obtiene una expresin de la impedancia de salida o Zout = [ VE (ab) 1]RL . VE (RL ) (12)

Utilizando la ecuacin (12) se calcul Zout midiendo con el osciloscopio la tensin o o o de salida en el emisor VE a circuito abierto y con la carga antes mencionada. En la gura 10 se observa el cociente entre ambas seales, dando (1, 0197 0, 0005). Con este n valor se obtiene una impedancia de salida Zout = (10, 9 0, 3). Es un valor muy bajo, que le conere ventajas importantes al circuito, como por ejemplo mantener estable la salida VE independientemente de la carga que se conecte, y ser una salida propicia para conectar circuitos que consuman potencia.

+12V

RB Vin

VB C VE RE +

RL

-12V

Figura 9: Circuito utilizado para medir la impedancia de entrada y de salida del seguidor por emisor.

Figura 10: Relacin lineal entre las tensiones en el emisor a circuito o abierto y con una resistencia de carga, utilizada para el clculo de a la impedancia de salida del circuito seguidor por emisor.

Se dene la impedancia de entrada como el cociente entre la tensin de entrada Vin o y la corriente de entrada. En este caso Zin = Vin Vin , = Iin IB (13)

y una buena aproximacin se obtiene utilizando la ecuacin (8): o o Zin RB + ( + 1)RE = (1, 41 0, 02)M . (14)

Esta impedancia de entrada alta hace que el circuito pueda tomar seales dbiles n e (corrientes bajas) sin distorsionarlas. Se mide directamente Zin adquiriendo con el osciloscopio la tensin de entrada Vin y la tensin VB sobre la base del transistor, de o o forma que Vin VB IB = . (15) RB En la gura 11 se observa que la muy pequea diferencia entre estas dos tensiones n origina una pobre estimacin de la corriente de base, por ser sta muy baja. Intentando o e de todos modos un ajuste lineal entre esas dos magnitudes se obtiene una impedancia de entrada Zin = (0, 422 0, 005)M , bastante ms baja que la esperada por la a aproximacin (14). o

Figura 11: Pobre estimacin de la impedancia de entrada del ciro cuito seguidor por emisor, utilizando la ca de tensin sobre la da o resistencia de base del transistor.
Para mejorar la estimacin de Zin , se utiliza el mismo transistor para amplicar la o corriente de entrada en un factor ( + 1), midiendo con el osciloscopio la tensin VE o sobre el emisor en lugar de la tensin VB sobre la base. De esta forma o IB = IE VE VEE = . +1 ( + 1)RE (16)

10

En la gura 12 se observa cmo mejor la linealidad entre la tensin de entrada o o o y la corriente IB , utilizando solamente la propiedad de amplicacin del transistor. o Con estos nuevos datos se obtiene una mejor estimacin de la impedancia de entrada o Zin = (1, 4163 0, 0003)M , coincidente con la aproximacin (14), y con mucha ms o a exactitud.

Figura 12: Mejor estimacin de la impedancia de entrada del ciro cuito seguidor por emisor, utilizando la ca de tensin sobre la da o resistencia de emisor del transistor.

2.6.

Seguidor con fuente de alimentacin unica o

Se arm el circuito de la gura 13, que es un circuito seguidor por emisor alimentado o unicamente por el colector a una tensin VCC = (12, 14 0, 07) V, con la resistencia de o emisor a tierra. Un capacitor a la entrada del circuito ltra la componente continua de Vin , dejando pasar solamente la componente alterna. El divisor resistivo conformado por R1 y R2 le suma a la seal una tensin continua dada por n o VBc = R2 VCC , R1 + R2 (17)

lo que origina que la seal de salida tenga una componente continua Voc = VBc 0, 7 V. n Esto permite realizar grandes excursiones de la seal antes de recortar. Si Voc es la mitad n de VCC , se logra el mayor rango dinmico del seguidor, ya que recorta simtricamente. a e En esta parte del trabajo se utilizaron resistencias RE = (6, 70 0, 05)k, R1 = (120, 80, 8)k, R2 = (146, 60, 9)k, y un capacitor C = (5, 120, 07)F. Utilizando la ecuacin (17) se obtiene una componente continua de la tensin sobre la base VBc o o 6, 7 V, lo que da una salida compuesta por una seal alterna dada por Vin sobre una n componente continua dada por Voc = VBc 0, 7 V 6 V. Este valor est a mitad de a

11

+12V

R1 C Vin +

Vout R2 RE

Figura 13: Circuito seguidor con fuente de alimentacin unica. o

camino entre VCC y tierra, permitiendo la mayor excursin posible sin recortar. En la o gura 14 se muestran las tensiones de entrada y de salida de este circuito, poniendo en evidencia las propiedades antes mencionadas.

Figura 14: Tensiones de entrada y salida en un circuito seguidor con fuente de alimentacin unica. o

2.7.

Amplicador con emisor com n u

Sobre la base del circuito anterior, se arm el circuito de la gura 15, cuya funcin o o es amplicar la seal de entrada. Se utilizaron resistencias R1 = (56, 6 0, 5)k, n R2 = (6, 70 0, 05)k, RC = (5, 66 0, 05)k, RE = (554 5), y un capacitor C =

12

(5, 120, 07)F. La seal de entrada ten un valor pico a pico de Vpp = (0, 960, 05) V n a montada sobre un oset de 20 mV.
+12V

R1 C Vin +

RC Vout

R2

RE

Figura 15: Circuito amplicador con emisor comn. u

Como en el caso anterior, el capacitor ltra la componente continua y deja pasar la alterna. El nuevo divisor resistivo compuesto por R1 y R2 le suma una continua de VBc 1, 3 V dada por la ecuacin (17). Para estimar la corriente ICE utilizo o VBc 0, 7V = ICE RE , entonces ICE = (18)

VBc 0, 7V 1mA, (19) RE lo que permite estimar la componente continua a la salida RC Voc = VCC ICE RC = VCC (VBc 0, 7V) 6V. (20) RE Pero a diferencia del circuito de la seccin anterior, es amplicada la seal alterna o n pues Vin 0, 7V Vin 0, 7V = ICE RE ICE = , (21) RE y por lo tanto se tiene a la salida una seal n RC Vout = VCC ICE RC = VCC (Vin 0, 7V), (22) RE donde llamamos amplicacin o ganancia de tensin al cociente A = RC /RE 10, 2. Se o o observa adems que la seal de salida est invertida con respecto a la seal de entrada. a n a n Se muestra en la gura 16 las tensiones de entrada y de salida obtenidas con este circuito amplicador. La seal de salida tiene un valor pico a pico de Vopp = (9, 04 0, 47) V n sumada a una continua de Voc = (5, 65 0, 37) V, arrojando una amplicacin de o A = 9, 4 0, 7. En resumen, este circuito toma la seal de entrada Vin , ltra la componente continua n y le suma una continua dada por la ecuacin (20), e invierte y amplica la componente o alterna en un factor dado por el cociente entre la resistencia de colector y de emisor.

13

Figura 16: Tensiones de entrada y salida en un circuito amplicador con emisor comn. u

2.8.

Amplicador emisor com n con capacitor de bypass u

Si se alimenta el circuito amplicador de la seccin anterior con una seal triangular o n de 10 kHz y de un poco menos de 1 V de amplitud pico a pico, se obtiene una seal n de salida invertida y amplicada en un factor A = 9, 70 0, 02, como se muestra en la gura 17. Se realiz una variante en el circuito anterior, agregndole un capacitor de bypass o a Cb = (63, 25 0, 65)F en paralelo con la resistencia de emisor RE . Sin seal de n entrada, la tensin de salida en el colector es de Vout = (5, 55 0, 37) V, similar al o valor esperado dado por la ecuacin (20). Pero cuando se excita con la seal triangular o n de 10 kHz antes mencionada, la seal de salida se redondea afectada por la carga y n descarga del capacitor en paralelo con RE . Este efecto es apreciable pues el tiempo caracter stico de la carga/descarga es de RE Cb 35 ms, mucho mayor que el per odo de la seal. En la gura 18 se muestra el efecto de este capacitor de bypass en la seal n n de salida cuando el circuito es excitado con una seal triangular de pequea amplitud. n n En cambio, en la gura 19 se muestra la salida recortada debido a una seal de n entrada de mayor amplitud. La seal de salida satura en su parte superior pues en ese n lapso Vin + VBc < 0, 7 V y no logra polarizar en directa el diodo BE (recordar que la salida est invertida con respecto de la entrada). Por consiguiente, Vout alcanza su a mximo valor (Vout a VCC 12 V pues IB 0 ICE ). Por otro lado, la seal de n salida satura en su parte inferior pues ICE es mxima, y la ca de tensin sobre las a da o dos resistencias RC y RE suman la tensin de alimentacin menos la ca del diodo o o da BE (VCC 0, 7 V). Por lo tanto, la tensin colector-emisor es m o nima (VCE 0), y Vout alcanza su m nimo valor (Vout VCC RE /(RE + RC ) + 0, 7 V 1,8 V).

14

Figura 17: Tensin de colector en un amplicador emisor comn, o u cuando es excitado con una seal triangular de 10 kHz. n

Figura 18: Tensin de colector sin recortar en un amplicador o emisor comn con capacitor de bypass, cuando es excitado con una u seal triangular de 10 kHz. n

15

Figura 19: Tensin de colector recortada en un amplicador emisor o comn con capacitor de bypass, cuando es excitado con una seal u n triangular de 10 kHz.

3.

Conclusiones

Se vericaron las propiedades del transistor npn utilizado en este trabajo. En particular, se obtuvo una ganancia de corriente = 432 2 en la zona lineal de operacin, o y se analiz su comportamiento como interruptor de corriente en las zonas no lineales. o El circuito seguidor por emisor replica la seal de entrada con la misma fase y n amplitud, pero le incorpora la ventaja de tener una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo que le conere una alta estabilidad independientemente de la carga conectada y una baja distorsin de la seal. Se obtuvieron mediciones o n muy precisas de impedancia utilizando la propiedad de amplicador de corriente del transistor. El circuito amplicador con emisor comn armado invirti y amplic la seal de u o o n entrada en un factor 10 y fue alimentado de forma tal que recorte simtricamente. Se e estudiaron distintas propiedades de este circuito, en particular el efecto distorsivo de incluir un capacitor de bypass en paralelo con la resistencia de emisor.

Referencias
[1] Paul Horowitz, Wineld Hill, The art of electronics, 2nd ed, Cambridge University Press, 1989. [2] Albert P. Malvino, Principios de electrnica, 4ta ed, McGraw-Hill, 1991. o

16