PRACTICA # 6
INTEGRANTES:
ALEX CABRERA
SANTIAGO SARMIENTO
MATERIA:
ELECTRONICA
PROFESOR:
PhD. HUGO TORRES
FECHA:
16/12/2021
CICLO:
QUINTO
Practica # 6: Polarización del transistor BJT
OBJETIVOS:
Obtener la recta de funcionamiento y el punto de trabajo de diferentes tipos de
polarización del transistor BJT.
IMPLEMENTOS:
➢ Resistencias de 62 kΩ, 3.9 kΩ, 0.68 kΩ Y 9.1 kΩ
➢ 1 multímetro
➢ 1 Protoboard
➢ Fuente de 16V
➢ Cables
➢ 1 transistor BJT 2n2222a
MARCO TEORICO:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas y puede ser tipo pnp
o npn (Boylestad, 2009)
Region de corte: en esta región las uniones base – emisor y colector – base de
un transistor se polarizan en inversa.
Region de saturación: es la región donde las regiones base – emisor y colector
– base se polarizan en directa. Para valores fijos de voltaje VCB y a medida que
se incrementa el voltaje base emisor, la corriente del emisor se incrementa de
manera similar a la del diodo.
Region activa: en esta región el voltaje de la base al emisor será de 0.7 V.
CONFIGURACION EN BASE COMUN: significa que la base es común tanto
para la entrada como para la salida y relaciona una corriente de entrada (Ie) con
un voltaje de entrada VBE para varios niveles de voltaje de salida VCB. La
polarización apropiada en base común en la región activa se determina con la
aproximación IC = IE
CONFIGURACION EN EMISOR COMUN: es la configuración mas frecuente en
la que el emisor es común o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida. En la región activa, la región de las curvas de IB son casi rectas y
equidistantes. La unión base – emisor se polariza en directa y la unión base –
colector está en inversa.
CONFIGURACION EN COLECTOR COMUN: se utiliza sobre todo para igualar
impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida. (Boylestad, 2009)
DESCRIPCION DE LA PRACTICA
• Realizar en el protoboard los siguientes circuitos de polarización del
transistor BJT de la figura 1.
Figura 1
• Medir el punto de funcionamiento del circuito de ingreso y salida
para cada tipo de polarización del transistor BJT
• Obtener matemáticamente la recta de funcionamiento y punto de
trabajo para cada uno de los circuitos
• Comparar con los valores medidos y calculados y obtener sus
respectivas conclusiones.
CIRCUITO 1
DATOS:
R1= 60.5 k Ω
R2 = 8.95 k Ω
Rc= 3.8 k Ω
Re = 0.97
Vcc = 16 V
DATOS OBTENIDOS CON EL MULTIMETRO:
Ic= 1.37 mA
Ib= 0.0078 mA
Vbb= 2 V
Vce = 9.5 V
Vcc = 16 V
CALCULOS:
B = hfe = Ic / Ib = 1.37 mA / 0.0078mA = 174.35
Vr2 = Vbb = Vcc * (R2/(R1+R2)) = 16 *(8.9 k Ω/(60.5 k Ω + 8.95 k Ω)) = 2.05
V
Vce = Vcc – Ic( Rc + Re ) = 16 V – 1.36 mA (3.8 k Ω + 0.97 k Ω) = 9.51 V
I B= (VBB-VBE)/(RB+RE(ß+1))
IB = (2.05V – 0.7V )/((60.5KΩ*8.95/(60.5+8.95))+0.97KΩ(174.35+1)
IB = 0.0076 mA
IC = IB * ß = 0.0076mA * 174.35 = 1.32 mA
ß = IC / IB = 1.32 mA / 0.0076Ma
ß = 173.68
VCC = VCE + IC (RC + RE) = 9.51V + 1.32 mA(3.8 KΩ+0.97KΩ=
VCC = 15.8 V
TABLA DE RESULTADOS
VALORES VALORES
CALCULADOS MEDIDOS DATOS
IC 1.32 mA 1,36 mA
IB 0.0076 mA 0,0078mA
Hfe (ß) 173.68 174,35
R1 60,5 KΩ
R2 8,95 KΩ
RC 3,9 KΩ
RE 0,68 KΩ
VBB 2,05 V 2V
VCE 9,5 V 9,5 V
VCC 15.8 V 16 V 16 V
CIRCUITO 2
DATOS:
RB = 473 KΩ
RC = 1KΩ
VCC = 16 V
DATOS OBTENIDOS CON EL MULTIMETRO:
IC = 6.53 mA
IB = 32.3 µA
VCE = 9.42
CALCULOS:
ß = IC/IB = 6.53 mA / 32.3 µA
ß = 202.16
VCE= VCC – IC * RC = 16 V – 6.53 mA * 1KΩ
VCE = 9.47 V
IB = (VCC – VCE)/RB = (16 V – 0.7)/473 KΩ
IB = 0.0323 mA
CONCLUSION:
De la practica podemos deducir que los valores calculados son similares a los
medidos. Además, el factor de amplificación en ambos circuitos sobrepasa a
100 el transistor está operando en zona activa de conmutación.
ANEXOS:
PRIMER CIRCUITO
SEGUNDO CIRCUITO
BIBLIOGRAFIA:
BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS. Electrónica: Teoría de
Circuitos
y Dispositivos Electrónicos. PEARSON EDUCACIÓN, México, 2009.
