ELECTRÓNICA 1

SEMANA 2

Juan perez
29-08-2022
Técnico de nivel superior en automatización y control.
DESARROLLO
1) La tabla 1 muestra los símbolos de los transistores PNP y NPN. En cada caso, explique en
qué dirección fluyen las corrientes de base y de colector una vez polarizados los mismos (3
puntos).

Transistor BJT Dirección de las corrientes

(IB e IC)
Transistor NPN. En este tipo de transistor
recibe un voltaje positivo al terminal del
colector. La corriente de base ( l B ) fluye desde
el emisor a la base.

La corriente corriente del colector (lc) fluye

desde el colector al emisor.

Transistor PNP= se da una tensión positiva al

terminal del emisor. La corriente de base IB
fluye desde el desde el emisor a la base.

La corriente del colector IC fluye desde el

emisor al colector.
 2) La empresa Electrolux desea desarrollar tres circuitos con las características listadas en la
tabla y le ha pedido seleccionar la configuración que considere más apropiada para cada caso.
Fundamente su selección (3 puntos).

CONSIDERACIONES CONFIGURACIÓN FUNDAMENTACIÓN

(gráfico)

En este tipo de circuito se utiliza una

Diseño de un amplificador
configuración de emisor común, ya que de
de sonido, con voltaje y
esta forma se obtiene mayor ganancia de
corriente de salida mayor
corriente de base IB y de la salida del colector
que el de la entrada.
Ic.

El circuito con impedancia alta de salida se

caracteriza por que los circuitos de entrada
Diseño de un circuito de
del emisor y salida del colector tienen
alta impedancia de salida.
retornos por la base del conexión de la base
del transistor.

Diseño de un amplificador
de corriente, con
capacidad de entregar Este circuito es el que mayor corriente
una gran corriente a la entrega a la salida, pero el voltaje de salida
salida y con voltaje de siempre es menor al de entrada.
salida menor que el de la
entrada.
 3) En la empresa Electrolux se desea utilizar un transistor para encender una luz señalizadora
de 0.5A y 12V y le han pedido a usted que realice el diseño respectivo. Si el transistor mostrado
tiene una ganancia β = 150, ¿qué valor debe tener la resistencia R B a utilizar en la base del
transistor? Asuma que se utilizará el circuito mostrado en la figura 1 (3 puntos).

Figura 1. Circuito

Fuente: Realización propia.

Datos:
Luz señalizadora= 0,5 A.
Vin= 12V.
Ganancia del transistor β 150

 Desarrollo con transistor de silicio.

Ib= IC / β Ib= 0,5 x 150
Ib=3,333
Rb= (Vin- 0,7) / Ib
Rb= (12 – 0,7) / Ib
Rb= (12 – 0,7) / 3,333
Rb= 3,390 kΩ

 Desarrollo con transistor de Germanio.

Ib= 0,5 / 150
Ib= 3,333
Ib= (12 -0,5) / 3,333
Ib= 3,450 KΩ.

Respuestas: - Para un transistor de Silicio la R B es de 3,390 kΩ.

- Para un transistor de Germanio la R b es de 3,450 KΩ.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
IACC (2018). El transistor BJT. Electrónica I. Semana 2.