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SEMICONDUCTOR DEVICES FOR POWER ELECTRONICS .

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE ELECTRNICA DE POTENCIA .

1
Jeisson Julin Saavedra Garca,

Universitaria de investigacin y desarrollo UD


Asignatura Electrnica de Potencia, Escuela de ingeniera electrnica y telecomunicaciones,
1
Ingeniera electrnica, Barrancabermeja, Santander, Colombia.
Tel: 6202638-6222863, fax: 6200790
1
Jeisson20saavedra@gmail.com

Abstract: This work is born with the aim of increasing knowledge of the power electronics in the
path of learning of the career of electronic engineering, in this way understand the different
semiconductor devices that are used on a daily basis in the practice and implementation of the
same, making an inquiry from its beginnings up to as they have evolved in today. And is that these
elements silicon semiconductor developed for this purpose and which, according to its internal
settings can be used in the different stages of control of industrial systems, which is why it is
important that the content of this work will focus on the teaching of the functionality and the
parameters that make up these elements power semiconductors, in order to optimize its use of
rational and effective manner to promote any industrial process. The more general objective of this
work is to know each of the elements more recognized and employees in the power electronics and
that these are considered to be the primary for the development of others.

Key words: Transistor, diode, BJT, IGBT, SCR, GTO, THYRISTOR, TRIAC, MOSFET, TRIAC,
power electronics, power, control, driving, conversely, direct, polarization.

Resumen: Este trabajo nace con el fin de incrementar los conocimientos de la electrnica de
potencia en el camino del aprendizaje de la carrera de ingeniera electrnica, de esta manera
comprender los diferentes dispositivos semiconductores que se emplean a diario en la prctica e
implementacin de la misma, haciendo una indagacin desde sus inicios hasta cmo han
evolucionado hasta el da de hoy. Y es que estos elementos semiconductores de silicio elaborados
con este fin y que segn su configuracin interna se pueden emplear en las diferentes etapas de
control de sistemas industriales. Por ello es importante que el contenido de este trabajo se enfoque
en la enseanza de la funcionalidad y de los parmetros que componen estos elementos
semiconductores de potencia, para poder optimizar su uso de forma racional y eficaz para
favorecer cualquier proceso industrial. El objetivo ms general de ese trabajo es dar a conocer
cada uno de los elementos ms reconocidos y empleados en la electrnica de potencia y que estos
se consideran como los primarios para la elaboracin de otros.

Palabras claves: transistor, diodo, BJT, IGBT, SCR, GTO, tiristor, TRIAC, MOSFET, TRIAC,
electrnica de potencia, potencia, control, conduccin, inversa, directa, polarizacin.
INTRODUCCIN: La segunda revolucin electrnica comenz
en1958, con el desarrollo del tiristor
comercial, por la General Electric company.
Desde entonces se han introducido diversas
formas de dispositivos de electrnica de
potencia, la microelectrnica nos permiti
procesar y almacenar una gigantesca
informacin a velocidades sorprendentes que
nos facilita el trabajo y la practica en el
campo industrial desde sus diferentes
aplicaciones.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
ELECTRNICA DE POTENCIA
Figura 1. Relacin entre electrnica de potencia,
potencia, electrnica y control.

La electrnica de potencia ya encontr un


lugar importante en la tecnologa moderna y
se usa ahora en una gran sin nmero de
diversidad de productos como control de
temperatura, de iluminacin, de motores,
fuentes de poder, sistemas de impulsin de
vehculos y sistemas de corriente directa en
altos voltaje.
La electrnica de potencia tiene sus inicios
en 1900 con la introduccin del rectificador
de arco de mercurio, despus se
introdujeron el rectificador de tanque
Figura 2. Aplicacin de los dispositivos de potencia.
metlico, el de tubo al vacio controlado por la
rejilla, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn
Desde que se desarrollo el primer el primer
estos dispositivos se aplicaron en el control
tiristor de CSR a finales de 1957, ha habido
de la electrnica de potencia hasta la dcada
progresos importantes en los dispositivos
de 1950.
semiconductores de potencia. Hasta 1970,
La primera revolucin electrnica comenz
los tiristores convencionales se haban
en 1948. Con la invencin del transistor de
utilizado nicamente para la aplicacin de
silicio por Bell Telephone laboratorios,
potencia en usos industriales. A partir de
Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor
1970 se desarrollaron varios tipos de
parte de las tecnologas modernas de
dispositivos semiconductores de potencia,
electrnica avanzada se puede rastrear a
que entraron al comercio. Estos dispositivos
partir de ese invento es mas la
se pueden clasificar en tres clases en forma
microelectrnica a avanzado a partir de la
general:1) diodos de potencia, 2)
creacin de estos elementos
transistores, y 3) tiristores. Tambin se
semiconductores de silicio. El siguiente
pueden dividir en general en cinco tipos: 1)
adelanto en 1956 fue la invencin del
diodos de potencia,2) tiristores,3) transistores
transistor de disparo PNPN, que se defini
de unin bipolar( BJT en sus siglas en ingles
como tiristor o rectificador controlado de
bipolar junction transistors), 4) transistores de
silicio (SCR).
efecto de campo de xido de metal 1. Parmetros en bloqueo
semiconductor (MOSFET de sus siglas en (polarizacin inversa)
ingles metal oxide semiconductor field-effect 2. Parmetros en conduccin
transistors), 5) transistores bipolares con 3. Modelo esttico
compuerta aislada (IGBT de sus siglas en Caractersticas dinmicas
ingles insulated-gate bipolar transistors) y 1. Parmetros de encendido
transistores de induccin esttica (SIT de sus 2. Parmetros de apagado
siglas en ingles static induction transistors). 3. Influencia del trr en la
conmutacin
1. DIODOS Potencia
1.1 Diodos de potencia (no controlados) 1. Potencia mxima disipable
2. Potencia media disipada
3. Potencia inversa de pico
repetitivo
4. Potencia inversa de pico no
Figura 3. Smbolo del diodo. repetitivo

Un diodo semiconductor es una estructura P- Modelos estticos


N que, dentro de sus lmites de tensin y
corriente, permite la circulacin de corriente
en un nico sentido.

Caractersticas:
Son dispositivos unidireccionales, no
puede circular corriente en direccin
contraria al de conduccin que se
hace a travs de nodo a ctodo.
El nico procedimiento de control es
invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
Activacin sin control. Figura 5. Modelos estticos del diodo.
Desactivacin sin control.
No requiere pulsos de control.
2. TIRISTORES

El nombre de Tiristor proviene de la palabra


griega , que significa una puerta. El
tiristor engloba una familia de dispositivos
semiconductores que trabajan en
conmutacin, teniendo en comn una
estructura de cuatro capas semiconductoras
en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta
un funcionamiento biestable (dos estados
estables).

La conmutacin desde el estado de bloqueo


(OFF) al estado de conduccin (ON) se
Figura 4. Curva caracterstica del diodo real. realiza normalmente por una seal de control
externa. La conmutacin desde el estado
Otras caractersticas son: ON al estado OFF se produce cuando la
Caractersticas estticas: corriente por el tiristor es ms pequea que
un determinado valor, denominada corriente
de mantenimiento, (holding current), 2.2 TRIAC
especfica para cada tiristor.

2.1 SCR (Rectificador Controlado de


Silicio)

Figura 6. Smbolo SCR Figura 8. Smbolo del TRIAC


Caractersticas:
(Triode of Alternating Current) es un tiristor
Activacin controlada
bidireccional de tres terminales. Permite el
Desactivacin sin control paso de corriente del terminal A1 al A2 y
Maneja corrientes unidireccionales viceversa, y puede ser disparado con
Requiere de un pulso de control tensiones de puerta de ambos signos.

En rgimen esttico, dependiendo de la Cuando se trabaja con corriente alterna, es


tensin aplicada entre nodo y ctodo interesante poder controlar los dos sentidos
podemos distinguir tres regiones de de circulacin de la corriente. Evidentemente,
funcionamiento: con un SCR, slo podemos controlar el paso
A. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): de corriente en un sentido. Por tanto uno de
sta condicin corresponde al estado de no los motivos por el cual los fabricantes de
conduccin en inversa, comportndose como semiconductores han diseado el TRIAC ha
un diodo. sido para evitar este inconveniente.
B. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin Simplificando su funcionamiento, podemos
disparo): El SCR se comporta como un decir que un TRIAC se comporta como dos
circuito abierto hasta alcanzar la tensin de SCR en anti paralelo (tiristor bidireccional).
ruptura directa. De esta forma, tenemos control en ambos
C. Zona de conduccin (vAK > 0 con sentidos de la circulacin de corriente.
disparo): El SCR se comporta como un
interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el Caractersticas:
disparo, por el dispositivo circula una
corriente superior a la de enclavamiento. Una Activacin controlada
vez en conduccin, se mantendr en dicho Desactivacin sin control
estado si el valor de la corriente nodo Corrientes bidireccionales
ctodo es superior a la corriente de Pulso de control
mantenimiento.
Una de las ventajas de este dispositivo es
que es muy compacto, requiriendo
nicamente un nico circuito de control, dado
que slo dispone de un terminal de puerta.
Sin embargo, tal y como est fabricado, es
un dispositivo con una capacidad de control
de potencia muy reducida. En general est
pensado para aplicaciones de pequea
potencia, con tensiones que no superan los
1000V y corrientes mximas de 15A. Es
usual el empleo de TRIAC en la fabricacin
de electrodomsticos con control electrnico
Figura 7. Curva caracterstica de disparo del SCR de velocidad de motores y aplicaciones de
iluminacin, con potencias que no superan
los 15kW. La frecuencia mxima a la que El mecanismo de disparo es parecido al del
pueden trabajar es tambin reducida, SCR: suponiendo que est directamente
normalmente los 50-60Hz de la red polarizado, cuando se le inyecta corriente a
monofsica. la puerta, circula corriente entre puerta y
ctodo.
Como la capa de la puerta es
suficientemente fina, gran parte de los
portadores se mueven hasta la capa N
adyacente, atravesando la barrera de
potencial y siendo atrados por el potencial
del nodo, dando inicio a la corriente
andica. Si sta corriente se mantiene por
encima de la corriente de mantenimiento, el
Figura 9. Curva de disparo del TRIAC dispositivo no necesita de la seal de puerta
para mantenerse en conduccin.
2.3 GTO (Gate Turn-Off Thyristor)
El funcionamiento como GTO depende, por
ejemplo, de factores como:

Facilidad de extraccin de portadores por el


terminal de puerta esto es posible debido al
uso de impurezas con alta movilidad.
Figura 10. Smbolo del GTO. Rpida desaparicin de portadores en las
capas centrales uso de impurezas con bajo
El GTO es un tiristor con capacidad externa tiempo de recombinacin. Esto indica que un
de bloqueo. La puerta permite controlar las GTO tiene una mayor cada de tensin en
dos transiciones: paso de bloqueo a conduccin, comparado a un SCR de
conduccin y viceversa. dimensiones iguales.
Soportar tensin inversa en la unin puerta-
Caractersticas: ctodo, sin entrar en avalancha menor
Activacin controlada dopado en la regin del ctodo.
Absorcin de portadores de toda la
Desactivacin controlada
superficie conductora regin de puerta-
Corrientes unidireccionales ctodo con gran rea de contacto.
Requiere de pulsos de control
La compuerta soporta voltajes 3. TRANSISTORES
bipolares y unipolares
En Electrnica de Potencia, los transistores
generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitacin
(disparo) de los transistores se disean para
que stos trabajen en la zona de saturacin
(conduccin) o en la zona de corte (bloqueo).
Esto difiere de lo que ocurre con otras
aplicaciones de los transistores, como por
ejemplo, un circuito amplificador, en el que el
transistor trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son
totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de
control de la puesta en conduccin. Los tipos
de transistores utilizados en los circuitos
Figura 11. Curva de disparo del GTO. electrnicos de potencia incluyen los
transistores BJT, los MOSFET y dispositivos
hbridos, como por ejemplo, los transistores En Electrnica de Potencia, obviamente,
de unin bipolar de puerta aislada (IGBT). A interesa trabajar en la zona de corte y en la
continuacin veremos cada uno de ellos. zona de saturacin, dado que en la zona
activa se disipa mucha potencia y en
3.1 Transistor Bipolar de Potencia (TBP) consecuencia el rendimiento del sistema
puede llegar a ser muy pequeo. Adems
Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction tngase en cuenta que dado que en
Transistors), bsicamente se trata de Electrnica de Potencia se trabaja con
interruptores de potencia controlados por tensiones y corrientes elevadas, esa
corriente. Como el lector recordar existen disipacin de potencia debe evacuarse de
dos tipos fundamentales, los npn y los algn modo, o de lo contrario podemos llegar
pnp, si bien en Electrnica de Potencia los a destruir el semiconductor por una excesiva
ms usuales y utilizados son los primeros. temperatura en su interior.

3.2 MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor


Field Effect Transistors)

As como podemos decir que el transistor


bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por
tensin. Ello se debe al aislamiento (xido de
Silicio) de la puerta respecto al resto del
dispositivo. Existen dos tipos bsicos de
Figura 12. Smbolo del BJT NPN y PNP MOSFET, los de canal n y los de canal p, si
bien en Electrnica de Potencia los ms
comunes son los primeros, por presentar
Caractersticas:
menores prdidas y mayor velocidad de
Activacin controlada conmutacin, debido a la mayor movilidad de
Desactivacin controlada los electrones con relacin a los agujeros.
Maneja corrientes unidireccionales
Requiere de un pulso sostenido de
control
Capacidad de soportar voltajes
bipolares
Su capacidad interna de operacin
es de baja frecuencia
Maneja altas potencias
El pulso de control se genera a partir
del control por corriente y voltaje. Figura 14. Smbolo del MOSFET

Caractersticas:
Activacin controlada
Desactivacin controlada
Corrientes unidireccionales
Capacidad de manejo de voltajes
bipolares
Operacin a altsima frecuencia
Soporta bajas potencias
Controlado por voltaje con corriente
cero (0)

Figura 13. Grafica de operacin del BJT


Figura 16. Smbolos del IGBT

Caractersticas:
Figura 15. Grafica de operacin del MOSFET. Activacin controlada
Desactivacin controlada
En electrnica de Potencia nos interesa que
un MOSFET trabaje en corte o en hmica Corrientes unidireccionales
(interruptor abierto o cerrado). Operaciones a altas frecuencias
Uno de los inconvenientes de los transistores Soporta altas potencias
MOSFET es que la potencia que pueden Controlado por voltajes
manejar es bastante reducida.
Maneja voltajes bipolares
Para grandes potencias es inviable el uso de
estos dispositivos, en general, por la
limitacin de tensin. Sin embargo, son los
transistores ms rpidos que existen, con lo
cual se utilizan en aplicaciones donde es
necesario altas velocidades de conmutacin
(se pueden llegar a tener aplicaciones que
trabajan a 1MHz, algo impensable para los
bipolares).

3.3 IGBT (Insulated Gate Bipolar


Transistor)

El transistor IGBT, de las siglas en ingls Figura 17. Grafica de operacin del IGBT.
Isolated Gate Bipolar Transistor, es un
dispositivo hbrido, que aprovecha las
ventajas de los transistores descritos en los
CONCLUSIN
apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la
facilidad de disparo de los MOSFET con las
pequeas prdidas en conduccin de los BJT La realizacin de este trabajo o informe nos
de potencia. La puerta est aislada del permite concluir que, la electrnica de
dispositivo, con lo que se tiene un control por potencia es el sistema por el cual la
tensin relativamente sencillo. Entre el electrnica se especifica en sistemas de
colector y el emisor se tiene un
potencia para la implementacin de procesos
comportamiento tipo bipolar, con lo que el
interruptor es muy cercano a lo ideal. industriales y de esta manera ayudar al
hombre en sus labores facilitndole el trabajo
y mejorndole las condiciones de vida.
Adems nos permiti comprender y analizar
cada uno de los componentes o elementos
de potencia ms utilizados hacindoles un
estudio detallado para mirar su
comportamiento y su forma fsica y de esta
manera comprender su uso en determinados Autor:
procesos, por otro lado cabe recordar que los Jeisson Julin Saavedra Garca
elementos semiconductores de potencia son C.C 1.095812.543
elementos que permiten convertir seales Cd. 2116012
bajas y ampliarlos de manera sorprendente y Graduado como bachiller tcnico en el ao
as utilizarlos en la industria. Tambin vale la de 2009 en la institucin educativa Jos
pena concluir que estos dispositivos Mara Vargas Vila, actualmente cursa el
nombrados anteriormente se pueden aadir quinto semestre de la carrera INGENIERA
unos con otros para buscarles distintas ELECTRNICA en la universitaria de
formas de procesos que trabajando investigacin y desarrollo UD, en la ciudad
operacionalmente juntos logran hacer de Barrancabermeja-Santander.
trabajos de manera muy practica y sencilla.

REFERENCIAS:

[1] Power Electronics: Converters,


Applications and Design, Mohan, Undeland y
Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva
York, 1995.

[2] Electrnica de Potencia, J. A. Pomilio,


Universidad de Estadual de Campinas, SP -
Brasil.

[3] Electrnica de Potencia, D. W. Hart,


Valparaso University, Valparaso Indiana.
Prentice Hall.

[4] Electrnica de potencia circuitos


dispositivos y aplicaciones Muhammad H.
Rashid. Electrical and Computer Engineering
University of West Florida, tercera edicin.
Mxico. Pearson, Prentice Hall.