7.1.

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO FETMOS

La relativa alta disipación de potencia de los transistores bipolares hacía imposible

aumentar el coeficiente de integración, por esto los fabricantes de CI recurrieron a los
Transistores de Efecto de Campo FET para lograr arreglos LSI y VLSI.

Aunque algunas características de los FETs no se consideran deseables para ciertas

aplicaciones (a causa de su poca velocidad, delicadez y su falta de capacidad de
manejo de corriente), su facilidad de fabricación, reducido tamaño y baja disipación de
potencia han desplazado los factores negativos y han colocado a los FETs, realizados
con metal oxido semiconductor MOS, como la tecnología principal para usar en grandes
arreglos.

Existen dos tipos de FETs:

1. FETs de enriquecimiento Canal P y Canal N.

2. FETs de empobrecimiento Canal P y Canal N.

El transistor de empobrecimiento conduce cuando no existe ningún voltaje aplicado al

graduador (el graduador corresponde a la base de los transistores bipolares ), en
cambio, el de enriquecimiento solo lo hace hasta que la tensión en el graduador no
alcance cierto valor.

El FET de enriquecimiento por su funcionamiento tiene mayor inmunidad al ruido, y

por esto es el que se emplea para la realización de las compuertas lógicas.

Existen dos tipos de estructuras de los MOS FET: De enriquecimiento Canal N y de

enriquecimiento Canal P. Para juntos tipos de transistores existe una tensión definida
graduador surtidor VGS (el surtidor corresponde al emisor) para la cual el FET
comienza a conducir, este voltaje es conocido como tensión de umbral V T.

FET Canal N: Para su fabricación primero se forma un sustrato tipo P, figura A, y se

difunden en este sustrato dos regiones separadas de baja resistencia (alta
contaminación) tipo N, figura B.

Surtidor Drenador
S D

n n
Sustrato P Sustrato P

Figura A Figura B

Luego, la superficie se cubre con una capa aislante de óxido SiO 2 que tiene un
espesor aproximado de 10-15 cm, figura C.
Se realizan orificios sobre el óxido y se hacen dos contactos de metal (aluminio) sobre
las zonas de material tipo N, se coloca una pieza delgada de metal llamada la
compuerta o graduador sobre lo que será el canal, figura D.

Graduador
S D
Si O2 Al

Si O2
n n n n
Sustrato P B Sustrato P B

Figura C Figura D

Sin voltaje aplicado, la anterior estructura forma dos diodos en oposición, y si tratamos
de forzar el paso de corriente de drenador a surtidor, la unión np seguida por una
unión pn no permitirá el flujo de electrones en ninguna dirección.

n p p n
S D

El símbolo esquemático de esta estructura es:

D
B Canal N

G S

El graduador se utiliza para originar el paso de corriente de drenador a surtidor de la

siguiente manera:

El área de metal del graduador, en unión con la capa aislante de óxido y el

semiconductor forman un condensador; donde el graduador sería la placa superior, el
sustrato tipo P la placa inferior y el óxido sería el dieléctrico.

Si se aplica una tensión positiva al graduador se inducen cargas negativas en el lado

del semiconductor, ya que al cargarse positivamente el metal, se generan líneas de
fuerza que forman una carga de signo contrario en el semiconductor.

A medida que aumenta la carga positiva en el graduador, aumenta también la carga

negativa inducida en el semiconductor, hasta que se alcanza la tensión de umbral y la
región cercana al graduador se convierte en un semiconductor tipo N.
 Graduador
S D
Al
++++
Si O2
n n
Sustrato P B

Canal N

Si se aplica una tensión positiva al drenador D con respecto al surtidor S circulará

una corriente de drenador a surtidor a través de este canal inducido.

El FET MOS se encuentra en saturación cuando circula por el canal toda la corriente
de drenador que éste es capaz de conducir para una tensión de graduador dada. La
curva característica de los MOSFET Canal N es:

No
I D, mA saturado saturado

25 VGS = 15 V
20
15
10 V
10
5 5V

0 10 12,5 15
VDS,V
2,5 5 7,5

Dónde: ID  Corriente de Drenador

VGS  Tensión Graduador-Surtidor
VDS  Tensión Drenador-Surtidor

Obsérvese, por ejemplo, para VGS = 10 V, la corriente de drenador aumenta casi

linealmente al aumentar la tensión de drenador surtidor V DS. A los 12 mA de corriente
de drenador, el canal se satura y la curva se hace plana. El sustrato B debe
conectarse al potencial más negativo del circuito.

FET Canal P: La estructura y el símbolo esquemático del MOSFET Canal P es como

sigue:
 G
S D
Al

Si O2 D
p p B Canal P
p p
Sustrato P B G S
Sustrato N

Canal P

El Canal P se induce aplicando un voltaje negativo al graduador, es decir,

enriqueciendo el canal con cargas positivas inducidas.
La curva del Canal P se muestra en la siguiente figura:

I D, mA

- 15 - 10 -5 0
VDS,V
-5V
- 2,5
-5
- 10 V - 7,5
- 10
VGS = - 15 V
- 12,5

saturado No
saturado

Obsérvese, que para una VGS = - 10 V y ID = -7 mA el transistor se satura.

El sustrato del FET Canal P debe conectarse al potencial más positivo del circuito.

Características de los FETMOS: En la zona de saturación los FETMOS, tanto Canal

N como P, se comportan como fuentes de corriente constante ya que la corriente de
drenador es constante e independiente de la tensión VDS.

Cuando no están saturados, se comportan como resistores debido a que la curva

característica V - I es una línea recta. Por esto, conectando el graduador a una
tensión fija puede usarse como resistencia de carga.

La impedancia de salida (drenador-surtidor) es del orden de los K. La impedancia de

entrada por ser capacitiva es muy alta aproximadamente 1014  .

Los FET Canal N pueden operar 2,5 veces más rápido debido a que los electrones
se desplazan más rápido que las cargas positivas (huecos).
La tensión de umbral VT de un Canal P es alrededor de 2 V, mientras que en los N
es aproximadamente de 1 V. El Canal N comienza a conducir cuando:

VG  VS + VT

El canal P conduce cuando:

VG  VS - VT

La tensión de umbral disminuye 2 mW por cada grado centígrado de aumento, por

esto VT, se dice, es poco sensible a los cambios de temperatura.

Las ventajas de utilizar FETMOS son:

Menor tamaño, menor consumo de energía, facilidad y economía de fabricación y
elevada impedancia de entrada.

Sus desventajas son:

Menor velocidad y susceptibilidad a la rotura del óxido por efecto de campos eléctricos
fuertes.