BITÁCORA DE LABORATORIO

DE ELECTRÓNICA ANÁLOGA II

Facultad de ingeniería, departamento de ingeniería electrónica

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

Primera práctica de Laboratorio:
Caracterización de Transistores MOSFET
Andrés Fernando Gómez, Héctor Augusto Daza
andfgomezrod@unal.edu.co, adazar@unal.edu.co
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Resumen—En esta práctica se realiza la caracterización de los
transistores MOSFET que se encuentran al interior de dos
encapsulados ALD 1106 y ALD 1107. En primer lugar, se
determina su tensión de umbral y su constante Kp para la
simulación correcta de su curva característica. En una segunda
parte se determinará experimentalmente la curva característica
VGS vs ID.
Palabras Clave—Transistor, MOSFET, curva característica,
tensión de umbral.
I. INTRODUCCIÓN
E n la electrónica moderna, los amplificadores MOSFET
mandan la parada en cuanto a su utilización en diversos
campos, dadas sus características que permiten un buen
comportamiento en múltiples aplicaciones; por este motivo es
imprescindible para un estudiante de ingeniería electrónica el
tener claras las características de estos elementos y poder
validarlas en el laboratorio. A continuación, se consignarán las
labores y observaciones que se realizan en la primera sesión con
el objetivo de poder observar dichas características en la
práctica.
.
II. TRABAJO PREVIO
A. Determinación de los parámetros Kn’W/L y VT:
En la guía de la primera práctica1, se sugiere el siguiente
circuito para la determinación de la tensión umbral. Consiste en
cerrar la conexión entre drenaje y compuerta para de esta forma
mantener el transistor en zona de saturación.
Fig. 1. Circuito para la caracterización en DC del transistor MOSFET.
*
Guía de laboratorio proporcionada por el maestro.
1
Como se observa en la figura, para este caso VG es igual a
VD, lo que hace que la tensión VDS=VT. De esta manera
midiendo la tensión de alimentación y restando la tensión que
cae en la resistencia de un multímetro conectado entre V DD y el
drenaje del MOSFET, se obtendrá la tensión de umbral. Es
necesario validar que la tensión encontrada será mas exacta,
cuanto mas pequeña sea la tensión VDD y entre mayor sea la
resistencia; en este caso, se considera que la tensión del
multímetro se encuentra dentro del orden de las decenas de MΩ,
como se validará en la simulación.
En una segunda parte, el circuito de la figura 1 se repite, pero
esta vez conectando una resistencia de 100KΩ entre las
terminales del multímetro, con el fin de calcular indirectamente
ID; de esta forma, conociendo previamente el valor de la tensión
umbral VT e ID, se podrá calcular en valor de la constante
Kn’W/L:
𝐾𝑛 ′ 𝑊
𝐼𝐷 = ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 (1)
2 𝐿
Recordando que:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆− 𝑉𝑇 (2)
Entonces para hallar Kn’W/L:
𝐾𝑛 ′
𝑊
=
2∙𝐼𝐷
(3)
𝐿 𝑉𝐷𝑆 2
De esta forma se concluye la caracterización en DC para el
transistor MOSFET de tipo N. Para el transistor tipo P contenido
en el encapsulado ALD1007 el proceso es análogo recordando
que los valores de tensiones son negativos. Mas adelante en la
sección de simulaciones se observa el montaje para este
transistor.
III. TRABAJO EN EL LABORATORIO
A. Determinación de VT:
Cada circuito integrado cuenta con 4 transistores de tipo N
(ALD1106) o 4 transistores de tipo P (ALD1107). A partir del
montaje observado en la primera figura, se realiza una tabla
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donde se consigna el valor leído por el voltímetro para cada uno La tensión aplicada VGG Variará y será medida por el canal X
de los transistores. del osciloscopio.
TABLA I
VALORES DE VT OBTENIDOS EXPERIMENTALMENTE PARA ALD1106

TRANSISTOR
1 2 3 4
1106
VDD 5,034 5,037 5,007 5,002
VM 4,615 4,605 4,613 4,636
VT 0,419 0,432 0,394 0,366

TABLA II
VALORES DE VT OBTENIDOS EXPERIMENTALMENTE PARA ALD1107

TRANSISTOR
1 2 3 4 Fig. 2. Circuito propuesto para observar la curva característica del
1107
MOSFET
VDD
En este caso, entonces el canal 1 del osciloscopio
VM corresponde a U3 y el canal 2 corresponde a U1, la fuente VGG
VT Variará, pero es probable que necesite una función especial
como una señal de diente se sierra para observa mejor la curva
característica.
B. Determinación de la constante Kn’W/L:
Se ubica una resistencia de valor nominal medido de 99,7KΩ IV. TRABAJO EN CASA
los terminales del voltímetro. Esta modificación permite A. Simulaciones:
calcular indirectamente el valor de ID Y posteriormente el de la
1. Simulación para VT con los valores obtenidos para el
constante. Se elabora la siguiente tabla con las mediciones y los
T1 del encapsulado ALD1106:
cálculos obtenidos a partir del análisis y de la ecuación (3).

TABLA III
VALORES DE KN’W/L OBTENIDOS EXPERIMENTALMENTE PARA ALD1106

TRANS 1106 1 2 3 4
VDD 5,034 5,037 5,007 5,002
VM 4,615 4,605 4,613 4,636
VT 0,419 0,432 0,394 0,366
VR 3,962 3,963 3,962 3,964
R 99700 99700 99700 99700
ID 3,97E-05 3,97E-05 3,97E-05 3,98E-05
Fig. 3. Simulación para la caracterización de VT del transistor MOSFET.
KN'W/L 2,26, E-04 2,13, E-04 2,56, E-04 2,97, E-04

TABLA IV 2. Simulación para ID Con los parámetros de VT y

VALORES DE KN’W/L OBTENIDOS EXPERIMENTALMENTE PARA ALD1107 Kn’W/L modificados en el modelo SPICE del
transistor:
TRANS 1106 1 2 3 4
VDD
VM
VT
VR
R
ID
KN'W/L

C. Determinación de la curva característica del transistor

MOSFET.
Para tal fin se propone un montaje como el que se observa
Fig. 4. Simulación de la caracterización de la constante del transistor
en la figura 2, donde se medirá indirectamente la corriente de MOSFET.
drenaje como la variación en la tensión que se encuentra entre
VDD y Drenaje, siendo medida por el canal Y del osciloscopio. 3. Simulación curva característica VGS vs ID:
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[5] R. Nicole, “Title of paper with only first word capitalized,” J. Name Stand.
Abbrev., en impression.
[6] Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y. Tagawa, “Electron spectroscopy
studies on magneto-optical media and plastic substrate interface,” IEEE
Transl. J. Magn. Japan, vol. 2, pp. 740-741, August 1987 [Digests 9th
Annual Conf. Magnetics Japan, p. 301, 1982].
[7] M. Young, The Technical Writer’s Handbook. Mill Valley, CA: University
Science, 1989.

Fig. 5. Circuito simulado para la obtención de la curva característica del

transistor MOSFET.

Fig. 5. Curva característica obtenida por simulación.

Fig. 5. Detalle de la curva característica cerca a la tensión umbral VT.

REFERENCIAS

[1] G. Eason, B. Noble, and I.N. Sneddon, “On certain integrals of Lipschitz-
Hankel type involving products of Bessel functions,” Phil. Trans. Roy.
Soc. London, vol. A247, pp. 529-551, April 1955.
[2] J. Clerk Maxwell, A Treatise on Electricity and Magnetism, 3rd ed., vol. 2.
Oxford: Clarendon, 1892, pp.68-73.
[3] I.S. Jacobs and C.P. Bean, “Fine particles, thin films and exchange
anisotropy,” in Magnetism, vol. III, G.T. Rado and H. Suhl, Eds. New
York: Academic, 1963, pp. 271-350.
[4] K. Elissa, “Title of paper if known,” no publicado.