CENTRO DE ESTUDIOS UNIVERSITARIOS 16 DE SEPTIEMBRE

LICENCIATURA EN INGENIERÍA INDUSTRIAL

Materia: Propiedades de los Materiales

Nombre del alumno: Guzman Rodriguez Bryan Antonio

Grupo: 563

Turno: Auto planeado

Docente: javier molina

Mexicali Baja California a 25 de agosto del 2022

El material en el lado tipo p conduce carga a través del movimiento de los agujeros
mientras que el material en el lado tipo n conduce carga mediante el movimiento de
los electrones. En la frontera entre los dos lados, los electrones y los agujeros son
inmediatamente atraídos unos con otros. El electrón cae en energía y reocupa el
estado electrónico vacío (el agujero). El agujero desaparece y el electrón deja la
banda de conducción y regresa a la banda de valencia. Este proceso se llama
recombinación. El área en donde se encuentran las regiones tipo p y tipo n se
conoce como unión p-n, y la capa no conductora entre ellas en las que la
recombinación sucede se llama zona de depleción. El comportamiento de la unión
p-n puede estar influido por la conexión de una batería. Cuando la terminal positiva
se conecta al extremo tipo p y la terminal negativa se conecta al extremo tipo n, y la
zona de depleción se hace más delgada. A medida que la distancia entre los
electrones y los agujeros se reduce, los electrones son capaces de pasar a través
de la zona de depleción y crean una corriente importante. Al conectar la batería de
esta manera se le llama polarización. Cuando se utiliza una polarización inversa (la
terminal positiva de la batería se conecta al lado tipo n y la terminal negativa al lado
tipo p), el comportamiento es algo diferente. Esta vez los electrones y agujeros son
lanzados de la zona de depleción, y casi no ocurre ninguna recombinación. Como
resultado, la unión se convierte en un aislante poderoso. Si la polarización inversa
se hace muy larga, cualquier portador que logre pasar a través de la zona de
depleción es rápidamente acelerado, lo cual incita a los otros portadores en la
región y provoca una corriente grande repentina en la dirección opuesta. Este
fenómeno se conoce como ruptura de Zener. Algunos diodos están específicamente
diseñados para romperse a voltajes específicos para proteger los circuitos
electrónicos., L os transistores sirven como dispositivos de ampliación o de
conmutación en la microelectrónica. El transistor de unión bipolar (BJT) revolucionó
la industria de la microelectrónica cuando fue desarrollado en los Laboratorios Bell
en 1948. El BJT consiste de tres regiones: emisor, base y colector y viene en dos
formas distintas: p-n-p y n-p-n. En cualquier caso, el transistor es esencialmente un
sándwich de tres regiones dopadas. La base se localiza entre el colector y el
transmisor y consiste de un material ligeramente dopado y de alta resistividad. La
región del colector es mucho más grande que el emisor y lo rodea completamente,
Los transistores de unión casi han sido desplazados en su totalidad en favor de los
modernos MOSFET (transistores con efecto de campo de semiconductores de
óxidos de metal, por sus siglas en inglés). Los MOSFET originales utilizan óxidos de
metal como material semiconductor, pero ahora casi todos utilizan silicio o mezclas
de silicio y germanio. Los transistores sin óxidos de metal son más apropiadamente
llamados IGFET (transistores con efecto de campo de puerta aislada, por sus siglas
en inglés), pero los términos IGSET y MOSFET indistintamente se usan. Los
MOSFET se producen como tipo p o tipo n, pero los principios operacionales son
similares para cada uno. En un MOSFET tipo p dos pequeñas regiones de material
semiconductor tipo p se depositan en una gran región de material tipo n. Estas
pequeñas regiones se conectan mediante un canal estrecho tipo p, A mediados del
siglo xx, las empresas eran capaces de integrar muchos transistores en un solo
microchip. Para 2006, un solo chip podría ser reimpreso con un millón de
transistores por milímetro cuadrado. Los circuitos integrados se clasifican
aproximadamente en tres categorías: circuitos análogos, circuitos digitales y señal
mixta, la cual contiene circuitos análogos y digitales en el mismo chip. Los circuitos
análogos desempeñan funciones de amplificación, modulación y filtración; los
circuitos integrados digitales incluyen flip-flops, compuertas lógicas y otras
operaciones más complejas. Los circuitos integrados se fabrican a partir de sencillos
cristales grandes de silicio extremadamente puro cortados en obleas delgadas.
Después de que la oblea se limpia muy bien, una delgada capa de SiO2 se deposita
en la superficie seguida de un fotoresist. El fotoresist es un polímero o mezcla de
polímero sensible a la luz como el DNQ-Novolac (diazonaftoquinona y resina de
novolac). Los residuos de solventes se remueven del fotoresist a través de un
proceso llamado horno suave, entonces una placa de vidrio transparente, o
máscara, se coloca sobre la oblea, y una emulsión de película de metal forma un
patrón en un lado del vidrio. Cuando la luz ultravioleta es enviada a través de la
máscara, la capa del fotoresist se disuelve, dejando expuesta la oblea. Entonces la
oblea completa se expone a una solución alcalina llamada desarrollador, el cual
remueve el material expuesto, La densidad de los transistores en circuitos
integrados se expande rápidamente, haciendo a los dispositivos electrónicos más
pequeños, más rápidos y menos caros. Gordon Moore, cofundador del gigante
fabricante de chips Intel, observó desde 1965 que la densidad de los transistores se
duplica cada 18 a 24 meses. Esta observación empírica se ha conocido como la ley
de Moore y se ha vuelto un objetivo para toda la industria de la microelectrónica.