ISSN: 1692-7257 - Volumen X – Número XX - 20XX

Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

Recibido: 13 de septiembre de 2020

Aceptado:

El Diodo

Mauricio Duran Melo

Código: 1004826056
Juan Eduardo Barrios Cornett
Código: 682533
Yeimer Eduardo Silva Gomez
Código: 1127059388

Universidad de Pamplona, Facultad de Ingenierías y

Arquitectura, Grupo de Investigación en Circuitos Eléctricos.
Autopista Internacional Vía Los Álamos Villa
Antigua, Villa del Rosario, Norte de Santander,
Colombia.
E-mail:

Resumen: en el presente informe vamos a hacer el estudio del funcionamiento de

los diodos utilizando el programa de proteus, para la resolución de problemas del
funcionamiento de los diodos, donde se realiza un circuito y se expondrá a varios
tipos de voltaje y analizar los resultados, y así entender su funcionamiento

Palabras clave: diodo, voltaje, circuito.

Summary: in this report we will make the study of the operation of the diodes using
the program proteus, for the resolution of problems of the operation of the diodes,
where a circuit is made and exposed to various types of voltage and analyze the
results, and thus understand its operation
Keywords: diode, voltage, circuit.

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Principio de operación de un diodo

 INTRODUCCIÓN
En este tema abordamos el estudio de uno de los
componentes más simples de los realizados con
semiconductores, pero no por ello menos útil, ya
que tiene innumerables aplicaciones y está
presente en la mayoría de los circuitos
electrónicos. Nos referimos al diodo
semiconductor.
Un diodo está formado por la unión de dos
cristales de una misma sustancia
semiconductora, normalmente germanio (Ge) o
silicio (Si), uno de los cuales contiene
impurezas tipo N, al que se denomina cátodo, y
otro impurezas tipo P, denominado ánodo. Su
nombre viene de la contracción de di (dos) y
electrodo; es decir, dos electrodos o dos
terminales, uno conectado en cada zona, que
sirven para su conexión exterior.
El semiconductor tipo N tiene electrones libres
(exceso de electrones) y el semiconductor tipo
P tiene huecos libres (ausencia o falta
de electrones). Cuando una tensión positiva se
aplica al lado P y una negativa al lado N,
los electrones en el lado N son empujados al lado P
y los electrones fluyen a través del material P más
allá de los límites del semiconductor. De igual
manera los huecos en el material P son empujados
con una tensión negativa al lado del material N y
los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se
aplica al lado N y una negativa al lado P,
los electrones en el lado N son empujados al lado N
y los huecos del lado P son empujados al lado P. En
este caso los electrones en el semiconductor no se
mueven y en consecuencia no hay corriente.

Diodo

Un diodo es un componente electrónico de dos

terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo
sentido,1 bloqueando el paso si la corriente
circula en sentido contrario, no solo sirve para la
circulación de corriente eléctrica sino que este la
controla y resiste. Esto hace que el diodo tenga
dos posibles posiciones: una a favor de la
corriente (polarización directa) y otra en contra
de la corriente (polarización inversa) Polarización directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al
2. MARCO TEORICO: material tipo p y el terminal negativo de la fuente
está conectado al material tipo n, diremos que
El diodo semiconductor es el dispositivo estamos en "Polarización Directa".
semiconductor más sencillo y se puede
encontrar, prácticamente en La conexión en polarización directa tendría esta
cualquier circuito electrónico. Los diodos se forma:
fabrican en versiones
de silicio (la más utilizada) y de germanio.

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En este caso tenemos una corriente que circula
con facilidad, debido a que la fuente obliga a
que los electrones libres y huecos fluyan hacia
la unión. Al moverse los electrones libres hacia
la unión, se crean iones positivos en el extremo
derecho de la unión que atraerán a los electrones
hacia el cristal desde el circuito externo. Así los
electrones libres pueden abandonar el terminal
negativo de la fuente y fluir hacia el extremo
derecho del cristal. El sentido de la corriente lo
tomaremos siempre contrario al del electrón.
ensancha. A mayor anchura de la z.c.e. mayor
diferencia de potencial, la zona de deplexión deja
de aumentar cuando su diferencia de potencial es
igual a la tensión inversa aplicada (V), entonces los
electrones y huecos dejan de alejarse de la unión. A
mayor la tensión inversa aplicada mayor será la
z.c.e.

Existe una pequeña corriente en polarización

inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco.
Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el
terminal negativo de la fuente entra por el La zona de deplexión empuja a los electrones hacia
extremo derecho del cristal. Se desplaza a través la derecha y el hueco a la izquierda, se crea así una
de la zona n como electrón libre. En la unión se la "Corriente Inversa de Saturación"(IS) que
recombina con un hueco y se convierte en depende de la temperatura.
electrón de valencia. Se desplaza a través de la
zona p como electrón de valencia. Tras
abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye
al terminal positivo de la fuente.

Polarización inversa
Además hay otra corriente "Corriente Superficial de
Fugas" causada por las impurezas del cristal y las
Se invierte la polaridad de la fuente de continua,
imperfecciones en su estructura interna. Esta
el diodo se polariza en inversa, el terminal
corriente depende de la tensión de la pila (V ó VP).
negativo de la batería conectado al lado p y el
positivo al  n, esta conexión se denomina
"Polarización Inversa". En la siguiente figura se
muestra una conexión en inversa:

Entonces la corriente en inversa (I ó I R) será la

suma de esas dos corrientes:

El terminal negativo de la batería atrae a los

huecos y el terminal positivo atrae a los Curva Característica
electrones libres, así los huecos y los electrones La representación de la intensidad que circula por el
libres se alejan de la unión y la z.c.e. se diodo en función de la tensión entre los extremos de
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la unión PN define la curva característica del

diodo. 4. CALCULOS TEORICOS:

Cálculos de componentes
Calculo de la resistencia para el circuito
La corriente máxima soportada por el diodo
1N4004 es de 1 Amperio, Si la corriente tiene que
ser 30% < i <70% al valor de la corriente
máxima soportada por el diodo. Entonces
calculamos el valor de la R1
Con i = 0.3 = 30%
-10+R1 (0.3)+0.7=0
R1 = 9.3/0.3 = 31 ohm
Entoncess como 13.128< R1 < 31
R1||= 120*39/120+39=29,43
En la figura se representa la curva característica
típica de un diodo. Al polarizar el diodo en Tabla de Directa datos teóricos.
directa se observa que a partir de un valor de VS VR VD ID
tensión Vg el diodo conduce y permite el paso 250 -0.441 0.691 V -0.015 A
de corriente con intensidades del orden de
mV V
miliamperios (1- 20 mA) , mientras que si esta
polarizado en inversa la intensidad que circula 500 -0.19 V 0.69 V -6.79*10^-
por el mismo es muy pequeña del orden de mV 3A
microamperios y podemos decir que el diodo no 600 -0.099 0.699 V -3.39*10^-
conduce. mV V 3A
700 0V 700mv 0A
Definición de tensión umbral mV
800 0.0997 0.7003V 3.39*10^-
La tensión umbral es el valor de tensión en Mv V 3A
polarización directa a partir del cual un diodo
1V 0.29V 0.71V 0.010 A
conduce.  Este valor se  puede obtener  a partir
de la característica I-V determinando el valor de 2V 1.29V 0.71V 0.044 A
la tensión que corresponde a una intensidad de 4V 3.296 V 0.71V 0.11 A
aproximadamente un miliamperio. A partir de 6v 5.29V 0.71V 0.180 A
una tensión superior a la tensión umbral la
8V 7.29V 0.71V 0.248 A
intensidad que circula por el diodo aumenta
mucho con una ligera variación en el valor de la
tensión de polarización y podemos decir que el
diodo muestra una resistencia muy pequeña, ya
250mV:
que deja pasar toda la corriente con una ligera It=id
variación en la tensión VPN.  -250mv+29.43(it)+0.7=0
It=250mv-0.7/29.43
. LISTA DE MATERIALES It=-0.015
LABORATORIO I: EL DIODO Y SU CURVA Vr=rb.i
CARACTERISTICA. 29,43(-0.015)
 Fuente de alimentación. VR=-0.441v
 Protoboard VD= 250mv+0.441=0.691v
 Cables 500mV:
 Resistencias It=id
 Diodo con su hoja de características: -500mv+29.43(it)+0.7=0
Multímetro. It=500mv-0.7/29.43
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It=-6.79*10-3A VR=1.29v
Vr=rb.i VD= 2v-1.29=0.71v
29.43(-6.79*10-3)
VR= -0.19 V 4V:
VD=500mv+0.19=0.69v It=id
-4v+29.43(it)+0.7=0
It=4v-0.7/29.43
600mV: It=-0.112A
It=id Vr=rb.i
-600mv+29.43(it)+0.7=0 29.43(0.112)
It=600mv-0.7/29.43 VR= 3.296v
It=-3.39*10-3 VD=4v-3.29=0.704v
Vr=rb.i
29,43(-3.39*10-3) 6V:
VR=-0.099v It=id
VD= 600mv+0.441=0.699v -6v+29.43(it)+0.7=0
It=6v-0.7/29.43
700mV: It=0.180A
It=id Vr=rb.i
-700mv+0(it)+0.7=0 29,43(0.180)
It=700mv-0.7/0 VR=5.29v
It=0A VD= 6v-5.29=0.71v
Vr=rb.i
29.43(0) 8V:
VR= 0 V It=id
VD=700mv-0=700mv -8v+29.43(it)+0.7=0
It=8v-0.7/29.43
It=0.248A
800mV: Vr=rb.i
It=id 29.43(0.248)
-800mv+29.43(it)+0.7=0 VR= 7.29 V
It=800mv-0.7/29.43 VD=8v-7.29=0.71v
It=3.39*10-3A
Vr=rb.i 10V:
29,43(3.39*10-3) It=id
VR=0.0997 -10v+29.43(it)+0.7=0
VD= 800mv-0.0997=0.7003v It=10v-0.7/29.43
It=0.316A
1V: Vr=rb.i
It=id 29,43(0.316)
-1+29.43(it)+0.7=0 VR=9.29v
It=1v-0.7/29.43 VD= 6v-9.29=0.71v
It=0.010A
Vr=rb.i CIRCUITO EN INVERSA
29.43(0.010)
VR= 0.29 V La corriente máxima soportada por el diodo
VD=1v-0.29=0.71v 1N4004 es de 1 Amperio, Si la corriente tiene que
ser 30% < i <70% al valor de la corriente
máxima soportada por el diodo. Entonces
2V:
calculamos el valor de la R1
It=id
-2v+29.43(it)+0.7=0 Con i = 0.7 = 70%
It=2v-0.7/29.43 -10+R1(0.7)+0.7=0
It=0.044A R1 = 9.3/0.7 = 13.28 ohm
Vr=rb.i
29,43(0.044) Con i = 0.3 = 30%
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-10+R1(0.3)+0.7=0 29,43(0.22)
R1 = 9.3/0.3 = 31 ohm VR= 6.4746V
Entonces como 13.128< R1 < 31 VD=8v-6.4746=-0.4746v
R1||= 120*39/120+39=29,43
8V:
It=id
Tabla de datos en INVERSA teórica. -8v+29.43(it)-0.7=0
VS VR VD ID It=8v+0.7/29.43
1v 1.6V -0.6V 0.057 A It=0.29A
Vr=rb.i
2v 2.648V -0.648V 0.09 A
29,43(0.29)
4v 4.67V -0.67V 0.159 A VR=8.53v
6v 6,4746V -0.4746V 0.22 A VD= 8v-8.53=-0.53v
8v 8.53V -0.53V 0.29 A
10V:
10v 10.7 V -0.7V 0.366 A It=id
        -10v+29.43(it)-0.7=0
It=10v+0.7/29.43
It=0.366A
Vr=rb.i
1V: 29.43(0.366)
It=id VR= 10.7V
-1v+29.43(it)-0.7=0 VD=10v-10.7=-0.7
It=1v+0.7/29.43
It=0.057A Tabla de datos Directa experimentales.
Vr=rb.i VS VR VD ID
29,43(0.057)
VR=1.6v 189mv 0 189mv 0
VD= 1v-1.6=-0.6v 525mv 4mv 521mv 1,3*10^-4mA
628mv 34mv 594mv 1,15*10^-
2V:
3mA
It=id
784mv 94mv 652mv 3,19*10^3m
-2v+29.43(it)-0.7=0
A
It=2v+0.7/29.43
It=0.09A 800mv 87mv 647mV 2,95*10^-
Vr=rb.i 3mA
29.43(0.09) 1,23V 240mV 649 mv 8.15*10^-
VR= 2.48V 3mA
VD=2v-2.48=-0.648 1,99V 0,95 0.74mv 0.03
4,38V 2,92 0.78 0.09
4V: 6,19V 4,42 0.81 0.15
It=id
-4v+29,43(it)-0.7=0 8,07V 6,17 0.81 0.20
It=4v+0.7/29.43 99,9V 8,1 0,81 0,27
It=0.159A
Vr=rb.i
29,43(0.159) Tabla de datos en INVERSA experimentales.
VR=4.67v
VS VR VD ID
VD= 4v-4.67=-0.67v
1v 0 1.05 0
6V: 2v 0 1.99 0
It=id 4v 0 4.08 0
-6v+29.43(it)-0.7=0
It=6v+0.7/29.43 6v 0 6.03 0
It=0.22A 8v 0 8.01 0
Vr=rb.i
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10v 0 10.08 0 En este procedimiento tomamos como fuente de

alimentación el voltaje más alto dado en el
.RESULTADOS: laboratorio donde pudimos observar la corriente de
Curva característica del Diodo fuga que se producía mientras el diodo absorbía la
temperatura, la corriente de fuga es directamente
proporcional a la temperatura.
300 ID (mA)
250
. CONCLUSIONES
200
*Cada vez que alteramos la fuente de forma
150 positiva pudimos notar que el voltaje
100 de la resistencia, la corriente del diodo y el voltaje
del diodo aumentaban.
50 * El voltaje de la resistencia y la corriente del diodo
se hicieron cero, ya que el diodo
0
0 2 4 6 8 10 12 estaba polarizado en inversa y de esta manera el
Recta de Carga diodo no conduce.
* La resistencia que debimos utilizar para que el
diodo no superara la potencia
550
máxima, ni la potencia mínima requerida, debía
450
estar entre 13.14 ohmios y 31
350 ohmios.
250 *Concluyo que los diodos son elementos
150 importantes en la electrónica ya que ellos han
50 evolucionado totalmente la tecnología del mundo y
-50 0 2 4 6 8 10 12 ha conseguido grandes avances.
* Aplicamos los conceptos vistos en clase para
ID Vs ID
hacer la parte teórica del laboratorio.
*Los valores teóricos y experimentales no condicen
Punto Q. Es la interseccion entre las dos lineas. por que utilizamos la segunda
Denominado tambien el punto de trabajo el Aproximación que no están exacta
diodo
Con esta práctica pudimos ver otra utilidad
DIODO EXPUESTO A LA importante de los diodos. Ya que se puede
TEMPERTAURA formar una gran cantidad de circuitos

recortadores y sujetadores para diversas  Anexos;

utilidades como la generación de señales de Fije la corriente del diodo en un punto fijo y
pulso, circuitos corta picos, etc. aumente la temperatura del diodo con cualquier
Para realizar estos circuitos siempre debe de elemento (Ejemplo: cautín). Observe que
quedar muy claro que siempre se va a sucede con la corriente al aumentar y disminuir
trabajar con diodos reales así que no la temperatura
siempre se debe esperar los resultados
teóricos.
Cuando el diodo se encuentra frio:
Un circuito recortador puede servir para limitar
el voltaje de un circuito sin afectar la forma
de onda.

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Cuando el diodo se encuentra caliente

Concluyendo con el punto diez se observó lo

siguiente:
Cuando el diodo se mantuvo frio no sufrió
ningún cambio en la corriente, pero cuando se
expuso a una temperatura elevada con un
cautín se pudo observar que sufrió una gran
pérdida de voltaje

 Montaje en proteus

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