INFORME DE INVESTIGACION

1.-SEMICONDUCTORES:
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica
inferior a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la
naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red
cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con
los cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse
del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

2.-TIPOS DE SEMICONDUCTORES:
En 1727 Stephen Gray descubrió la diferencia entre conductores y aislantes.
Después, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y
que describen la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje a un conductor y
también es posible determinar la conductividad eléctrica de cualquier objeto.
3.-SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS:
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura, tetraédrica similar
a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.4 Las energías requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones
pueden caer desde el estado energético correspondiente en la banda de
conducción a un hueco en la banda de valencia, liberando así energía. Este
fenómeno se conoce como "recombinación". A una determinada temperatura, las
velocidades de creación de pares electrón-hueco, y de recombinación se igualan,
de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece
constante. Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentración de huecos (cargas positivas), se cumple entonces que:
ni = n = p
donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuestión. Los electrones y los huecos reciben el
nombre de portadores. La densidad o concentración intrínseca de portadores es
muy baja. 
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºC):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a
los huecos próximos , originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y
en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy
inferior a la de la banda de conducción.
4.-SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS:
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Las impurezas
deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
átomo de silicio.
5.-FOTODIODO:
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se
comportan como células fotovoltaicas, es decir, iluminados en ausencia de una
fuente exterior de energía generan una corriente muy pequeña con el positivo en
el ánodo y el negativo en el cátodo.
Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de
suficiente energía incide en el diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea
un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de
la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la
unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama
polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y
prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía
con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la
juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de
manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el
diodo es excitado por la luz. En ausencia de luz la corriente presente es muy
pequeña y recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes
inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados ser
multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia
interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Todo esto se basa en el
manual del fabricante.
Semiconductor de silicio
Como ya conocemos, ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma
cristalina ceden ni aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la
circulación de la corriente eléctrica, por tanto, se comportan como materiales
aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la
dopamos añadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de
átomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento
perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Periódica,
con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia), estos átomos se
integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco electrones
con otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de germanio, mientras
que el quinto electrón restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover
libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un
semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres
existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

6.-DIODO:
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido,1 bloqueando
el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación
de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo
tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y
otra en contra de la corriente (polarización inversa).

7.- TIPOS DE DIODOS:

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas,
uso de electrodos, que tienen características eléctricas particulares usados para
una aplicación especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es
fundamentado por principios de la mecánica cuántica y teoría de bandas.
 Los diodos normales, los cuales operan como se describía más arriba, se
hacen generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de
estos diodos rectificadores de silicio, se usaba el óxido cuproso y el selenio:
su baja eficiencia le dio una caída de tensión muy alta (desde 1,4 a 1,7 V) y
requerían de una gran disipación de calor mucho más grande que un diodo
de silicio. La gran mayoría de los diodos pn se encuentran en circuitos
integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos
internos.
 Diodo avalancha (TVS): Diodos que conducen en dirección contraria
cuando el voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura, también se
conocen como diodos TVS. Electricámente son similares a los diodos
Zener, pero funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede
cuando el campo eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n produce una
onda de ionización, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los
diodos avalancha están diseñados para operar en un voltaje inverso
definido sin que se destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual
tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2 V) y el diodo zener es
que el ancho del canal del primero excede la "libre asociación" de los
electrones, por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La
única diferencia práctica es que los dos tienen coeficientes de temperatura
de polaridades opuestas (la disipación de calor máxima es mayor en un
diodo zener, es por ello que estos se emplean principalmente en circuitos
reguladores de tensión). Este tipo de diodos se emplean para eliminar
voltajes y corrientes transitorios que pudieran provocar un mal
funcionamiento de un bus de datos que conecte dos dispositivos sensibles
a voltajes transitorios.
 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados,
constituyen detectores multicanal que permiten obtener espectros en
milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un
semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de
tipo n (electrones). La radiación comunica la energía para liberar los
electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo una corriente
eléctrica proporcional a la potencia radiante.
 Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste
de un cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor,
generalmente galena o de una parte de carbón. El cable forma el ánodo y el
cristal forma el cátodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicación en
los radio a galena. Los diodos de cristal están obsoletos, pero puede
conseguirse todavía de algunos fabricantes.
 Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta
conectada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos
terminales análogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una
corriente a través de ellos para alcanzar un valor adecuado y así
estabilizarse en un valor específico. También suele llamarse CLDs (por sus
siglas en inglés) o diodo regulador de corriente.
 Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una
resistencia negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y
circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta
concentración de carga, los diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse
en temperaturas muy bajas, campos magnéticos de gran magnitud y en
entornos con radiación alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes
espaciales.
 Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son construidos de materiales como
GaAs o InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones
apropiadas, las formas de dominio del dipolo y propagación a través del
diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia.
 Diodo emisor de luz o LED del acrónimo inglés, light-emitting diode: Es un
diodo formado por un semiconductor con huecos en su banda de energía,
tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unión
emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el
otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden
producir varía desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas
al ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la
longitud de onda que ellos emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta.
Los primeros ledes fueron rojos y amarillos. Los ledes blancos son en
realidad combinaciones de tres ledes de diferente color o un led azul
revestido con un centelleador amarillo. Los ledes también pueden usarse
como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de señales. Un led
puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar
un optoacoplador.
 Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad
resonante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar
un láser. Los diodos láser se usan frecuentemente en dispositivos de
almacenamiento ópticos y para la comunicación óptica de alta velocidad.
 Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales
usados para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la
temperatura, y para refrigeradores termoeléctricos para la refrigeración
termoeléctrica. Los refrigeradores termoeléctricos se hacen de
semiconductores, aunque ellos no tienen ninguna unión de rectificación,
aprovechan el comportamiento distinto de portadores de carga de los
semiconductores tipo P y N para transportar el calor.
 Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de
carga ópticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos
de los semiconductores están empacados en materiales que bloquean el
paso de la luz. Los fotodiodos tienen la función de ser sensibles a la luz
(fotocelda), por lo que están empacados en materiales que permiten el paso
de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo más sensible a la luz). Un
fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometría o en comunicación
óptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un
arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no
deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada.
 Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos
semiconductores de unión mencionados anteriormente aunque su
construcción es más simple. Se fabrica una sección de semiconductor tipo
n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de
manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra
hacia el semiconductor para hacer una pequeña región de tipo p cerca del
contacto. El muy usado 1N34 (de fabricación alemana) aún se usa en
receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos
analógicos especializados.
 Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección central sin doparse o en otras
palabras una capa intrínseca formando una estructura p-intrínseca-n. Son
usados como interruptores de alta frecuencia y atenuadores. También son
usados como detectores de radiación ionizante de gran volumen y como
fotodetectores. Los diodos PIN también se usan en la electrónica de
potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Además, la
estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos semiconductores de
potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
 Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un
contacto de semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que
los diodos pn. Su tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en el rango
de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace útiles en aplicaciones de fijación y
prevención de saturación en un transistor. También se pueden usar como
rectificadores con bajas pérdidas aunque su corriente de fuga es mucho
más alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores de
carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento
de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayoría de los
demás diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperación
inversa más rápida que los diodos de unión pn). Tienden a tener una
capacitancia de unión mucho más baja que los diodos pn que funcionan
 como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad
como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.
 Stabistor: El stabistor (también llamado Diodo de Referencia en Directa) es
un tipo especial de diodo de silicio cuyas características de tensión en
directa son extremadamente estables. Estos dispositivos están diseñados
especialmente para aplicaciones de estabilización en bajas tensiones
donde se requiera mantener la tensión muy estable dentro de un amplio
rango de corriente y temperatura.
 Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad
variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas técnicas
constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensión aplicada,
como un condensador variable. Polarizado en inversa, este dispositivo
electrónico presenta características que son de suma utilidad en circuitos
sintonizados (L-C),5donde son necesarios los cambios de capacidad.
8.-TRANSISTOR:
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

9.- TRANSITOR BIPOLAR:

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con
átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho
más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de
dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.

10.-TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO:

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico,
tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.