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Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa

Práctica 2:

Fundamentos de Transistores
BJT, JFET y MOSFET
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Transistor BJT

Fig.: Encapsulado TO-3


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Transistor BJT
Emisor común NPN Emisor común PNP
𝑰𝑪 = 𝜷 ∙ 𝑰𝑩
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

𝐼𝐸 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 + 𝐼𝐵

𝑰𝑬 = (𝜷 + 𝟏) ∙ 𝑰𝑩

Si 𝜷 es lo suficientemente grande entonces:

𝑰𝑬 ≅ 𝑰𝑪 = 𝜷 ∙ 𝑰𝑩
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Transistor BJT

Fig.: Características de un transistor de silicio en la configuración en emisor común


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Transistor BJT
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Transistor BJT
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Transistor JFET

a) b)
Fig.: Amplificadores (a) controlado por
corriente y (b) controlado por voltaje.
Fig.: Encapsulado TO-220

a) b)
Fig.: Transistor de efecto de
campo de unión (JFET), canal N. Fig.: Símbolos de JFET:
Fig.: Encapsulado TO-92 (a) canal n; (b) canal p.
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Transistor JFET

Fig. c): Corte (𝐼𝐷 = 0𝐴) 𝑉𝐺𝑆 menor Fig. b): 𝐼𝐷 oscila entre 0𝐴 e 𝐼𝐷𝑆𝑆 para 𝑉𝐺𝑆 ≤
0𝑉 y mayor que el nivel de estrangulamiento Fig. a): 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉, 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
que el nivel de corte
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Transistor JFET | Canal N

Hoja de especificaciones
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Transistor JFET | Canal N


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Transistores MOSFET Tipo empobrecimiento

Fig.Q1: MOSFET canal N tipo


empobrecimiento.

a) b)
Fig.: Símbolos gráficos para (a) MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n y (b) MOSFET
tipo empobrecimiento de canal p.
Fig.: Encapsulado TO-220

Tipo enriquecimiento

Fig.Q2: MOSFET canal N tipo


enriquecimiento. a) b)
Fig.: Encapsulado TO-92 Fig.: Símbolos de (a) MOSFET tipo
enriquecimento de canal n, y (b) MOSFET
tipo enriquecimento de canal p.
Fig.: Transistores MOSFET canal N.
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Transistor MOSFET | Tipo empobrecimiento

Fig.: Características de drenaje y transferencia de un MOSFET tipo Fig.: MOSFET tipo empobrecimiento de canal P con
empobrecimiento de canal N. 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 6𝑚𝐴 y 𝑉𝑃 = 16𝑉.

Requiere de un voltaje 𝑽𝑮𝑺 negativo Requiere de un voltaje 𝑽𝑮𝑺 positivo


para empobrecer (cerrar) el canal. para empobrecer (cerrar) el canal.
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Transistor MOSFET | Tipo enriquecimiento

Fig.: Trazo de las características de transferencia de un MOSFET tipo Fig.: MOSFET tipo enriquecimiento de canal p
enriquecimiento de canal N a partir de las características de drenaje. con 𝑉𝑇 = 2𝑉 y 𝑉𝑃 = 0.5 ∙ 10−1 𝐴Τ𝑉 2

Requiere de un voltaje 𝑽𝑮𝑺 positivo Requiere de un voltaje 𝑽𝑮𝑺 negativo


para enriquecer (abrir) el canal. para enriquecer (abrir) el canal.
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Transistor MOSFET | Tipo enriquecimiento CH N


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Transistor MOSFET | Tipo enriquecimiento CH N


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Transistor MOSFET | Tipo enriquecimiento CH N


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Transistor MOSFET | Tipo enriquecimiento CH N


𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) 2
𝑘= 2
𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
𝑉𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙)

Ejemplo: Utilizando los datos proporcionados en la


hoja de especificaciones anterior, encuentre el valor
resultante de k para el MOSFET.

Datos de hoja:
3𝑚𝐴 3𝑚𝐴 3∙10−3
𝐼𝐷(𝑜𝑛) = 3𝑚𝐴 𝑘= = = 𝐴 Τ𝑉 2
10𝑉−3𝑉 2 7𝑉 2 49
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) = 10𝑉
= 𝟎. 𝟎𝟔𝟏 𝑨Τ𝑽𝟐
𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 3𝑉
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Referencias

R. L. Boylestad, Electrónica: "Teoría de Circuitos y


Dispositivos Electrónicos", Naucalpan de Juarez:
Prentice Hall, Inc, 2009.

D. A. Neamen, "Microelectronics Circuits Analysis


and Design", University of New Mexico: McGraw
Hill, 2010.