Sensores de Temperatura

luis
Bo
rra
1
do
r
2
Bo
rra
do
r
r
do
Índice general
8. Sensores de temperatura 3
8.1. Introducción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
8.2. ITS-90.
Escala internacional de temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . 4
8.3. Escalas de temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
8.3.1. Escala absoluta de kelvin. . . . . . . . . . . . . . . . . 7
8.3.2. Escala absoluta de rankine. . . . . . . . . . . . . . . . . 7
rra
8.3.3. Escala derivada de celsius. . . . . . . . . . . . . . . . . 7
8.3.4. Escala derivada de fahrenheit. . . . . . . . . . . . . . . 7
8.3.5. Equivalencias entre escalas. . . . . . . . . . . . . . . . 8
8.4. Métodos de medición de temperatura. . . . . . . . . . . . . . . 9
8.5. Sensores resistivos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
8.5.1. RTD: Sensor resistivo de temperatura. . . . . . . . . . . 11
8.5.2. Termistor NTC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
8.5.3. Termistor PTC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
8.6. Termopares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
8.6.1. Efectos termoeléctricos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
8.6.2. Modelo para el termopar de Seebeck. . . . . . . . . . . 29
8.6.3. Medición de la ftem de Seebeck. . . . . . . . . . . . . . 34
8.6.4. Propiedades del modelo de Seebeck. . . . . . . . . . . 35
8.6.5. Tipos de termopares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Bo
8.6.6. Modelos de trabajo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

8.6.7. Acondicionamiento de la referencia. . . . . . . . . . . . 45
8.6.8. Compensación de unión fria. . . . . . . . . . . . . . . . 47
8.6.9. Arreglos de termopares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
8.6.10. Cables de extensión y de compensación. . . . . . . . . 53
8.6.11. Tipos de unión y encapsulado. . . . . . . . . . . . . . . 55
8.7. Uniones semiconductoras. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
8.7.1. Estudio del sistema básico. . . . . . . . . . . . . . . . . 58
8.7.2. Sensores integrados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3
Índice general
r
8.8. Autocalentamiento en sensores resistivos. . . . . . . . . . . . . 65
8.8.1. Ley de óhm térmica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
8.8.2. Circuito térmico equivalente del proceso de medición. . 67
do
8.9. Ejemplos sobre sensores de temperatura. . . . . . . . . . . . . 70
rra
Bo
4
r
do
Capítulo 8
Sensores de temperatura
8.1. Introducción.
Entre las diferentes magnitudes físicas presentes en la naturaleza, la tem-
peratura es una de las más frecuentemente medidas. La razón es que ella
rra
participa en los efectos de otras magnitudes debido a que las propiedades de
la materia dependen de su temperatura. Es precisamente a partir de esas ma-
nifestaciones que se puede establecer una escala de medida de la magnitud,
aunque sea arbitraria; normalmente dicha escala se define sobre la base de
una serie de condiciones teóricas mientras que otras magnitudes han definido
sus escalas en base a condiciones físicas reales; como consecuencia, la tem-
peratura no puede ser medida directamente por lo que su valor se determina
a partir de la dependencia funcional que existe entre determinadas propieda-
des físicas de las sustancias y la variación de la temperatura. Normalmente la
temperatura se relaciona con conceptos como los son calor y frío lo cual se
evidencia al referirnos al estado de calentamiento de las sustancias.
Conviene precisar algunos conceptos asociados a esta magnitud:
⊙ temperatura. Propiedad que caracteriza el grado de calentamiento de un

Bo
cuerpo
⊙ calor. Energía total del movimiento molecular de un cuerpo.
⊙ conducción térmica. Difusión del calor a través de un material, sea este

solido líquido o gaseoso.
⊙ convección térmica. Transferencia del calor por movimiento de un fluido.
⊙ radicación.Transferencia de calor por ondas electromagnéticas.
5
8.2. ITS-90.
Escala internacional de temperatura.
r
⊙ resistencia térmica. Medida de la habilidad que presenta un cuerpo para
impedir que el calor fluya hacia o desde el.
do
⊙ fases de la materia. Diferentes situaciones y comportamientos que adop-
tan las sustancias en razon de su temperatura. Estas fases pueden ser
sólida, líquida y gaseosa. En la figura 8.1 se presenta un diagrama de
fase con las denominaciones dadas a cada uno de los procesos que
tienen lugar durante los cambios de estado en la materia: congelación
y fusión entre fases líquida y sólida, condensación y sublimación entre
gas y líquido y, finalmente, vaporización y condensación entre líquido y
vapor.
⊙ Punto de ebullición. Nivel de temperatura en el cual quedan en equilibrio

las fases líquida y gaseosa.
⊙ punto de fusión. Nivel térmico donde convergen en equilibrio las fases

sólida y líquida. Se le conoce tambien como punto de congelación y se
rra
especifica por las letras F o C .
⊙ punto triple. Estado donde convergen las tres fases simultáneamente y

en equilibrio. Es una referencia importante dentro de la termometría. Se
especifica por el símbolo T r.
8.2. ITS-90.
La Escala Internacional de Temperatura de 1990 fue adoptada por el «Co-
mité Internacional de Pesas y Medidas» en su sesión de 1989, y entró en
vigencia el 1◦ de enero de 1990. Esta Escala reemplaza a la «Escala Práctica
Internacional de Temperatura de 1968». La ITS-90 define conceptos y tem-
peraturas, establece equivalencias, da normas y recomienda procesos, todo
Bo
esto alrededor de la termometría. A continuación un resumen de lo estableci-

do y/o ratificado por esta escala:
⊙ La unidad básica de la magnitud física temperatura termodinámica, sím-
bolo T , es el kelvin, símbolo K, definido como la fracción 1/273, 16 de la
temperatura termodinámica del punto triple del agua.
⊙ La unidad de temperatura Celsius es el grado Celsius, símbolo ◦ C, que

es, por definición, igual en magnitud al kelvin. La diferencia de tempera-
tura se puede expresar en kelvin o en grado Celsius.
6
r
do
rra
Figura 8.1: Diagrama de fase de la materia
⊙ Las temperaturas que se han medido según ITS-90 están marcadas

como t90 y T90 según esten en la unidad grado celsius o kevin, respecti-
vamente.
⊙ Es práctica corriente la expresión de una temperatura por su diferencia

con el punto de fusión del hielo, 273, 15 K, entonces, una temperatura
termodinámica T , expresada de esta manera, se denomina temperatura
Celsius símbolo t y se define como:
(8.1) t/◦ C = T /K − 273, 15

Bo
⊙ La ITS-90 se extiende desde 0,65 K hasta la temperatura más elevada

que sea posible medir, cubriendo el recorrido por rangos y en cada rango
estan definidas las temperaturas T90 , dependiendo del proceso que las
determina. La tabla 8.1 presenta algunos de estos rangos y la definición
de los soportes para su medida.
⊙ Los puntos fijos de la ITS-90: Tr , F y C , los cuales son referentes para

la medida de temperatura en diversos rangos, se presentan en la tabla
8.2
7
8.2. ITS-90.
r
do
Rango Proceso o Instrumento
Ti /K Tf /K
0,65 5,0 Relaciones en 3 He y 4 He.
3,0 Tr de Ne (24, 226 1) Termóm. de gas de helio.
Tr de H2 (13, 803 3) TC de Ag (1 234, 93) Resistencia de platino.
TC de Ag (1 234, 93) Tr , F , C , ley de Planck.
Tabla 8.1: Rangos y métodos de la ITS-90

rra
Temperatura Substancia
T90 /K t90 /◦ C Símbolo Estado
13, 803 3 −259, 346 7 H2 Tr .
24,556 1 −248, 593 9 Ne Tr .
54,358 4 −218, 791 6 O2 Tr .
83,805 8 −189, 344 2 Ar Tr .
234,315 6 −38, 834 4 Hg Tr .
273,16 0,01 H2 O Tr .
302,914 6 29,764 6 Ga F.
429,748 5 156,598 5 In C.
505,078 231,928 Sn C.
Bo
692,677 419,527 Zn C.
933,473 660,323 Al C.
1234,93 961,78 Ag C.
1337,33 1064,18 Zn C.
1357,77 1084,62 Cu C.
Tabla 8.2: Definición de puntos fijos ITS-90
8
r
8.3. Escalas de temperatura.
Con el fin de establecer un lenguaje alrededor del estado térmico de un
do
cuerpo, se han desarrollado varias escalas de temperatura y con ellas sus
diferentes unidades.
8.3.1. Escala absoluta de kelvin.

Esta escala nace de dividir en 100 partes iguales, equivalentes cada una
a una unidad, la separación entre el punto de congelación y el punto de ebu-
llición del agua a presión atmosférica normal, pan = 101 325 Pa. Su unidad
es el kelvin cuyo símbolo es K y esta definido de acuerdo a la norma, como
la fracción 1/273, 16 de la temperatura del punto triple del agua. Al punto de
mínima temperatura concebible en un cuerpo, se le define como el cero abso-
luto y se le asigna una temperatura de 0 K, tal como se muestra en la figura
8.2.
rra
8.3.2. Escala absoluta de rankine.
En esta escala, al igual que en la anterior, al cero absoluto se le asignan
cero unidades o grados Rankine, ◦ R , como corresponde a su nombre. Para
este caso la separación entre el punto de ebullición y el punto de congelación
del agua se reparte en 180 divisiones iguales, correspondientes, cada una de
ellas, a una unidad.
8.3.3. Escala derivada de celsius.

Se obtiene a partir de la escala de Kelvin. Su unidad es el grado Celsius o
grado centígrado, con símbolo ◦ C; el tamaño de la unidad es igual a la unidad
kelvin. Al punto de congelación del agua se le asigna un valor de temperatura
Bo
arbitrario de 0 ◦ C.
8.3.4. Escala derivada de fahrenheit.

Se obtiene con base en la escala de Rankine haciendo que el tamaño de
su unidad, el grado Fahrenheit, ◦ F, sea el mismo. Al punto de congelación del
agua se le asigna un valor de temperatura arbitrario de 32 ◦ F.
Para efecto de las equivalencias entre escalas, se define la siguiente sim-
bología para la magnitud temperatura, dependiendo en que unidad está ex-
presada:
9
8.3. Escalas de temperatura.
r
do Figura 8.2: Relación entre las cuatro escalas de temperatura
rra
⊙ k . Magnitud temperatura, expresada en la unidad Kelvin.
⊙ r. Magnitud temperatura, expresada en la unidad grado rankine.
⊙ c. Magnitud temperatura, expresa en la unidad grado celsius.
⊙ f . Magnitud temperatura, expresada en la unidad grado fahrenheit.
En la figura 8.2 se muestran los puntos más relevantes y relacionados

Bo
entre las cuatro escalas, para las cuatro magnitudes.
8.3.5. Equivalencias entre escalas.
De la confrontación de las escalas en planos bidimensionales y de los da-

tos allí marcados, se deducen las equivalencias entre las diferentes unidades
y las equivalencias entre temperaturas expresadas en diferentes unidades:
10
r
(8.2) 1 K := 1 ◦ C
do
(8.3) 1 ◦ R := 1 ◦ F
9
(8.4) 1 K = ◦R
( 5 )
k 5 f
(8.5) = + 459, 67
K 9 ◦F
k c
(8.6) = ◦ + 273, 15
K C
k 5 r
(8.7) = ◦
K (9 R )
c 5 f
(8.8) ◦ = − 32
C 9 ◦F
c 5( r )
(8.9) ◦ = − 491, 67
9 ◦R
rra C
f r
(8.10) ◦ = ◦ − 459, 67
F R
8.4. Métodos de medición de temperatura.

La temperatura es una magnitud física que debe ser medida con base en
el concepto de «temperatura empírica», elcual es la propiedad que tienen los
sistemas que se encuentran en equilibrio térmico. La medida de esta tempe-
ratura se realiza a partir de la medidad de los cambios que ocurren en las
propiedades físicas de las substancias que operan como sensores. Entre las
propiedades físicas medidas están la resistencia eléctrica, el volumen, la lon-
gitud, la densidad y la diferencia de potencial.
Existen tres métodos para realizar las mediciones de temperatura:
Bo
⊙ Métodos no eléctricos. Estan soportados por el cambio del estado de una

sustancia pura, ya sea cambio de propiedades químicas, o cambio de
una propiedades físicas. En este método el termómetro debe estar en
contacto directo con el cuerpo del cual se desea conocer la tempera-
tura. Entre los termómetros que basan su principio de funcionamiento
en este método, están los termómetros de líquidos, los de gases, los
termómetros manométricos, los bimetálicos y los dilatométricos. Como
son elementos totalmente mecánicos, el traslado de su información se
hace complejo; tienen además poca precisión y presentan alta fragilidad
en sus componentes.
11
8.5. Sensores resistivos.
r
⊙ Métodos eléctricos. El sensor está en contacto directo con el cuerpo al
cual se desea medir su temperatura.El método eléctrico es más con-
do
veniente para la medición y el control de la temperatura porque genera
señales que pueden ser trasportadas y procesadas lejos del sitio de su
generación. Dentro de este grupo de sensores están las resistencias
de naturaleza metálica, las cuales son bastantes lineales y exactas, las
resistencias de naturaleza semiconductora, los sensores generadores
como el termopar y los sensores producidos por la tecnología electróni-
ca a partir de circuitos semiconductores.
⊙ Métodos de radiación. Los métodos analizados anteriormente requieren

que el sensor esté en contacto físico con el cuerpo, lo cual exige que
el sensor esté en capacidad de soportar la temperatura medida; este
requisito automáticamente limita el límite superior de la medida y deja
un espectro de valores altos sin poder ser valorados. Otro invonveniente
adicional aparece cuando el cuerpo está en movimiento, perdiendose la
rra
calidad del contacto.
Todos los cuerpos emiten radiación electromagnética, y la cantidad de
dicha radiación depende de la temperatura del cuerpo. Los instrumentos
utilizados para medir esta radiación son los denominados pirómetros de
radiación total y de radiación parcial. Los pirómetros de radiación total
están soportados en la ley de Stefan-Boltzman y los pirómetros ópticos
se fundan en la ley de distribución de la radiación térmica de Wien,
aunque en la práctica se basan en la Ley de Planck.

Los sensores resistivos estan constituidos generalmente de metales o de
semiconductores, su conductividad eléctrica es proporcional a la movilidad y
al número de portadores por unidad de volumen.
Bo
En los metales la conductividad eléctrica decrece con la temperatura, debi-

do a que la movilidad de los portadores decrece por el aumento del número de
colisiones por segundo, aunque el número de portadores aumente o perma-
nezca constante. Esto lleva a que la resistencia aumente con la temperatura,
generalmente en forma bastante lineal y con un nivel de repetibilidad alto.
En los semiconductores la conductividad es fundamentalmente controlada

por el aumento exponencialde del número de portadores. Esto hace que la
resistencia disminuya con la temperatura, generalmente en forma no lineal y
12
r
con menos estabilidad que en el caso de los metales.
do
Un sensor resistivo sensible a la temperatura es aquel cuya resistencia a
cualquier temperatura, sigue la función:
(8.11) R(T ) = R0 F (T − T0 )

 R0
Resitencia a la temperatura T0 .
Donde: F (T − T0 )
Modelo de la dependencia del sensor con la

temperatura.
Dinamicamente los sensores térmicos resistivos se comportan como siste-

mas de primer orden debido a su capacidad calórica. En algunos casos llegan
a ser sistemas de segundo orden debido a la capacidad calórica del encapsu-
lamiento.
rra
Todos los sensores térmicos resistivos generan autocalentamiento debido a
su circuito de acondicionamiento; este efecto debe ser minimizado y/o corre-
gido acorde con la exactitud deseada, como se verá más adelante en este
capítulo.
Su sensibilidad, para pequeñas variaciones de la temperatura alrededor de un
punto T , se define como:
1 dR
(8.12) αR =
R(T ) dT


 αR
Sensibilidad o coeficiente de cambio de la re-
 1
sistencia con la temperatura, expresado en ◦ C .
Donde:


dR

Pendiente de la CC valorada en el punto T o
 dT
sensibilidad del sensor, expresada en ◦ΩC .
Bo
8.5.1. RTD: Sensor resistivo de temperatura.

Los sensores resistivos de temperatura (RTD, de sus sigla en inglés), son
resistencias metálicas que presentan una tasa de cambio positiva con la tem-
peratura (PTC). El material más representativo de esta familia es el platino
(Pt), aunque tambien son empleados, en menos proporción, el niquel (Ni) y el
cobre (Cu). Entre las principales características de los RTD se encuentra su
buena sensibilidad, alta repetibilidad, estabilidad en el tiempo y buena preci-
sión, principalmente en el platino.
13
r
Modelamiento.
La expresión general que gobierna la relación resistencia-temperatura en
do
los RTD, está dada como un polinomio de la forma:
( )
(8.13) R(T ) = R0 1 + α1 (T − T0 ) + α2 (T − T0 )2 + . . . + αn (T − T0 )n


 R0
Resistencia a la temperatura de referencia T0 .


 1 1
α , α ,. . . , αn ,
Coeficientes de cambio del polinomio, determi-
Donde: nados por medición de la resistencia en diferen-



 tes puntos fijos de temperatura.

T
Temperatura expresada en ◦ C.
La ecuación 8.13, presenta diferentes alternativas dependiendo del metal

del sensor. Para sensores como el Ni o el Pt, se puede llevar a un polinomio
rra
de grado dos y fijar la temperatura de referencia a 0 ◦ C:
( )
(8.14) R(T ) = R(0) 1 + α1 T + α2 T 2
Un promedio de los parámetros α1 y α2 , utilizando la temperatura en ◦ C, se

muestran en la tabla 8.3.
Para sensores muy lineales, o en aplicaciones de baja precisión, o en tramos
muy cortos, se puede emplear el modelo de una recta, fijando la temperatura
de referencia a 0 ◦ C:
(8.15) R(T ) = R(0) (1 + αT )

Bo

 R(0)
Resistencia del sensor a 0 ◦ C.

α
Coeficiente de cambio del sensor con la tem-
Donde:

 peratura, definido de acuerdo con la ecuación

8.12.
Para efectos de emplear el modelo polinomial con referencia en 0 ◦ C, la

tabla 8.3 presenta valores promedios de los principales parámetros de los
sensores tipo RTD que presentan las diferentes casas comerciales, bajo dife-
rentes normas. Es común que estos valores difieran, pues dependen funda-
mentalmente de la pureza del materia y de otros aspectos en su construcción.
14
r
Coeficientes Rango
Material tF /◦ C ρ/uΩ · cm α1 /◦ C−1 α2 /◦ C−2 tL /◦ C tU /◦ C
do
Pt 1 769 9, 83 3, 9 × 10−3 −6, 17 × 10−7 −200 850
Ni 1 463 6, 38 5, 5 × 10−3 6, 7 × 10−6 −80 250
Cu 1 083 1, 56 4, 3 × 10−3 −200 180
W 3 380 5, 52 4, 5 × 10−3
Tabla 8.3: Parámetros promedio de los RTD
Cuando no se desea utilizar el modelo matemático o no se dispone de los

coeficientes del modelo, se puede emplear el modelo tabular que suministra
el fabricante, o que, dependiendo de la norma, se consigue en la literatura del
tema. En el anexo XX se presenta el modelo tabular para un sensor de platino
con R(0) = 100 Ω, denominado normalmente Pt 100.
La gráfica 8.3 muestra los trazados comparativos de los RTD de Pt, Ni y
rra
Cu para sensores con R(0) = 100 Ω, en los rangos aproximados de trabajo.
Se pueden contrastar las concavidades del platino y del niquel, las cuales van
en direcciónes contrarias; esto es lo que permite la linealización tipo serie, tal
como se realizó en el capítulo XX4.
RTD de platino.
El platino es uno de los sensores resistivos más precisos en la medición

de temperatura. El valor asignado a su coeficiente α determina su referencia,
quien lo produce y que características presenta de acuerdo a su proceso de
fabricación. Es por esta razón principalmente que este coeficiente se redefine
como:
R(100) − R(0)
(8.16) α=
100R(0)

Bo

 R(100)



 R(0)

100
La diferencia de temperatura.
Donde:

 α
Coeficiente de cambio del sensor con la tem-



 peratura, redefinido de acuerdo con la ecuación

8.12, cubriendo el rango de 0 ◦ C a 100 ◦ C.
El estandar DIN/IEC 60751 requiere que el RTD de platino tenga R(0) =

100 Ω y un coeficiente de temperatura α = 0, 003 85 ΩΩ◦ C , entre 0 ◦ C y 100 ◦ C.
La misma norma especifica cuatro tipos de tolerancia:
15
r
do
rra
Figura 8.3: CC comparativas de los RTD
◦
⊙ Clase AA τ = ±(0, 10 + 0, 001 7 |t| C
◦
⊙ Clase A τ = ±(0, 15 + 0, 002 0 |t| C
◦
⊙ Clase B τ = ±(0, 30 + 0, 005 0 |t| C
◦
⊙ Clase C τ = ±(0, 60 + 0, 010 0 |t| C
Bo
Aunque su curva resistencia vs. temperatura es relativamente lineal, las apli-

caciones con determinada calidad requieren del uso de modelos empíricos
que permitan alta precisión. El modelo de Callendar y de Van Dusen estable-
ce una relación que permite trabajar con precisión por debajo de 0, 1 ◦ C en el
rango de −200 ◦ C a 650 ◦ C:
( )
(8.17) R(t) = R(0) 1 + At + Bt2 + C(t − 100)3
16
r
Especificación Coeficientes
Estandar α A/◦ C−1 B/◦ C−2 C/◦ C−3
do
IEC 60751 0, 003 850 3, 908 3 × 10−3 −5, 775 × 10−7 −4, 183 × 10−12
Americano 0, 003 911 3, 969 2 × 10−3 −5, 849 5 × 10−7 −4, 232 5 × 10−12
ITS-90 0, 003 926 3, 984 8 × 10−3 −5, 870 × 10−7 −4, 000 0 × 10−12
DIN 43760 0, 003 850 3, 908 0 × 10−3 −5, 801 9 × 10−7 −4, 273 5 × 10−12
Tabla 8.4: Coeficientes de Callendar-Van Dusen para platino


 R(t)
Resistencia del sensor en la temperatura t/◦ C.

R(0)
Donde:

 A, B , C
Coeficientes de Callendar-Van Dusen. Para

temperaturas por arriba de 0 ◦ C, C vale cero.
La tabla 8.4 muestra los coeficientes de Callendar-Van Dusen para algu-

rra
nos estandares conocidos.
Aspectos del acondicionamiento de la RTD.
Como son sensores resistivos, los RTD puede ser acondicionados por
fuente de corriente y monitoreados a través del voltaje en sus terminales; es-
to acarrea ciertos errores en la medida, introducidos por la resistencia de los
conectores entre el sistema de medida y el RTD, lo cual requiere de un trata-
miento particular.
En la figura 8.4 se muestra un modelo de acondicionamiento a dos hilos y

los elementos necesarios y parásitos que participan del proceso. Allí la caida
de potencial en las resistencias de los conectores: RI1 Ip + RI2 Ip , se suma con
el voltaje en RS , produciendo un error relativo en la medida de voltaje igual a:
Bo
RI1 + RI2
(8.18) ϵr = 100 %
RS
El método de acondicionamiento más recomendado es el de 4 hilos, dos

para hacer pasar la corriente a través del sensor y dos para sensar el volta-
je. El sistema de medición para vA , debe tener las condiciones para máxima
transferencia de voltaje y de esta forma poder despreciar las caídas de poten-
cial en RV1 y RV2 de acuerdo con la figura 8.5. Nótese que las caidas sobre los
hilos que permiten el paso de corriente, RI1 y RI2 , no interviene en la muestra
17
r
do
rra
Figura 8.4: Acondicionamiento de un RTD a dos hilos, con fuente de corriente
.
Bo
18
r
do
rra
Figura 8.5: Acondicionamiento de un RTD a cuatro hilos, con fuente de co-
rriente .
vA .
Para reducir costos existe la alternativa de medición a tres hilos (figura

8.6), la cual da el mismo resultado de la medición a cuatro hilos, si el sensor
se acondiciona en un puente de Wheatstone, donde R1 = R3 , además, los
dos hilos de alimentación de corriente deben de tener la misma resistencia,
esto es, RI1 = RI2 y la medición de vA se debe realizar con un sistema de alta
impedancia.
Bo
Todos los aspectos relativos a la conexión del sensor con dos , o tres o
cuatro hilos, se cumplen también cuando se utiliza cualquiera de los acondi-
cionadores del capítulo XXXX 5.
Tipos de RTD.
Los valores resistivos más empleados en el RTD de platino son R(0) =

100 Ω, denominado Pt100; R(0) = 200 Ω, denominado Pt200; R(0) = 1 000 Ω,
denominado Pt1000. Comercialmente se presentan tres tipos de sensores
RTD, principalmente utilizando platino, cada uno con determinadas caracte-
19
r
do
rra
Figura 8.6: Acondicionamiento de un RTD a tres hilos, con puente .
rísticas y ventajas:
⊙ Bobinado de alambre Es la forma más simple y consiste en un núcleo

aislante sobre el cual se realiza la bobina del material necesario para
cumplir con la R(0). Este método minimiza las deformaciones del hilo
permitiendo su expansión sin que haya compromiso mecánico del ma-
terial. Las dimensiones del dispositivo una vez encapsulado, dan diame-
tros alrededor de 5 mm con longitudes cercanas a 6 cm. Ver figura 8.7,
(A).
⊙ Enrollado Consiste en la misma bobina anterior, pero autosoportada o

sin núcleo. Es una técnica libre de deformaciones y permite que el hilo
Bo
se expanda y contraiga sin que sienta la influencia de otros elementos

dentro del arreglo.Ver figura 8.7, (B).
⊙ Película delgada Se fabrica depositando una capa fina del material sobre
un sustrato cerámico; el material sensor se cubre con material epóxico
o vidrio. Es un método de bajo costo y el sensor queda con baja inercia
térmica. Su estabilidad es inferiro a los otros arreglos anteriores. Ver fi-
gura 8.7, (C).
20
r
do
rra
Figura 8.7: Estructura de los tipos de RTD.
RTD de niquel.
El niquel es un material menos costoso que el platino y presenta un α =

0, 006 8 1/◦ C (DIN 43760) superando al platino, aunque su resistencia química
es más baja.
Para un rango de −60 ◦ C a 250 ◦ C, la relación resistencia-temperatura queda
modelada por:
( )
(8.19) R(t) = R(0) 1 + At + Bt2 + Ct4 + Dt6
Bo


 R(t)
Resistencia del sensor en la temperatura t/◦ C.



 R(0)


 A, B , C , D
Coeficientes del modelo.
Donde: A
Vale 0, 005 485 ◦ C−1



 B
Vale 0, 000 006 65 ◦ C−2



 C
Vale 2, 805 × 10−11 ◦ C−4

D
Vale −2 ◦ C−6
21
r
8.5.2. Termistor NTC.
El termistor es un dispositivo semiconductor que presenta un cambio ele-
do
vado en la resistencia con respecto a la temperatura, del orden del 4 %/◦ C,
es decir 10 veces, aproximadamente, el coeficiente de cambio del RTD de
platino.
Es posible construir termistores con una característica de resistencia vs. tem-
peratura con pendiente positiva (PTC) o negativa (NTC). Sin embargo, los
dispositivos termistores más comunes son tipo NTC, lo que significa que un
incremento en la temperatura produce un decremento en su resistencia, con-
trario a lo que sucede en los RTD.
El mecanismo de conducción depende del número de impurezas en el mate-
rial: si la temperatura aumenta, el número de portadores libres aumenta y la
resistencia decrece; si el dopado es fuerte, el semiconductor adquiere propie-
dades metálicas mostrando un coeficiente positivo con la temperatura (PTC).
Los termistores están constituidos por mezclas sinterizadas de polvo de óxi-
rra
dos metálicos semiconductores policristalinos, tales como MgO, MgAl2 O4 ,
Mn2 O3 , Fe3 O4 , Co2 O3 , NiO, ZnTiO4 O3 . Los oxidos son comprimidos y endure-
cidos por calentamiento a temperaturas del orden de 1 000 ◦ C, en atmósferas
controladas.
La estabilidad del termistor depende del proceso de fabricación y de las

condiciones de uso; no es recomendable que reciba cambios bruscos de tem-
peratura, pues esto cambia su CC. El envejecimiento la hace más estable y
por esta razón se les suele provocar envecimiento artificial.
El modelo de este sensor viene dado como:
(8.20) R(T ) = R(T0 )eβ(1/T −1/T0 )



 R(T )
Resistencia del sensor a la temperatura T /K.

Bo

 T0
Temperatura que se toma como referencia, ge-



 neralmente T0 = 278 K (25 ◦ C)


R(T0 )
Resistencia del sensor a una temperatura de re-
Donde:

 ferencia T0 /K.



 β
Temperatura característica del material. Su va-



 lor esta en el rango de 2 000 K a 5 500 K y varía

con la temperatura.
La figura 8.8 presenta una familia de curvas características para termisto-

res con diferente β con temperatura de referencia en 298 K.
22
r
do
rra
Figura 8.8: Familia de CC de termistores.
El coeficiente de cambio con la temperatura, para el tesmistor, conocido

tambien como sensibilidad térmica, se obtiene aplicando la definición dada en
la ecuación 8.12, al modelo del termistor dado en 8.20 y el resultado es:
−β
(8.21) α=
T2
En la figura 8.9 se aprecia la dependencia y el comportamiente de α con la

temperatura. Se observa también que en ningún momento su valor absoluto
Bo
es inferior al coeficiente del RTD de platino; esto le permite detectar pequeñas

variaciones de temperatura con cambios apreciables en su resistencia.
Los termistores pueden ser utilizados desde temperaturas cercanas a la

del ambiente hasta los 300 ◦ C, manteniendo una buena estabilidad y conser-
vando una alta sensibilidad.
Los fabricantes suplen este sensor en diversas formas, dependiendo la apli-
cación y el lugar donde se vaya a ubicar; los hay en forma de lágrima, disco,
cilindro, arandela y muchas otras. Los valores más comunes de su resistencia
a 25 ◦ C oscila desde alrededor de los 5 Ω hasta los 10 MΩ.
23
r
do
rra
Figura 8.9: Variación de α con la temperatura.
Bo
24
r
do
rra
Figura 8.10: CC de un silistor antes y después de su linealización.
8.5.3. Termistor PTC.

Dentro de la familia de los termistores PTC, se encuentran dos grupos de
acuerdo a su comportamiento, composición y fabricación:
⊙ Silistores o tempsistores. Son termistores fabricados en silicio dopado y
que presentan un coeficiente de temperatura positivo cercano a 0, 8 %/◦ C,
pudiendo presentar inversión del signo si se les lleva por arriba de los
150 ◦ C. Trabajan en el rango de −60 ◦ C hasta 150 ◦ C.
Son sensores bastantes lineales y siguen un modelo empírico dado por:
( )2,3
Bo
T
(8.22) R(t) = R(T0 )
T0
Para mejorar su linealidad, se asocian con resistencias reales en para-
lelo, la cual le disminuye su no linealidad aunque baja su sensibilidad,
tal como se vio en el capítulo XXX4. La figura 8.10 muestra la curva
característica de un silistor natural y su CC una vez linealizado.
⊙ Termistor PTC de conmutación. Esta fabricado con un material cerámico

policristalino que normalmente es altamente resistivo, peros se convier-
te en semiconductor por la adición de material de dopage. Su estructura
25
r
do
rra
Figura 8.11: CC de un termistor PTC de conmutación.
de base es bario, plomo o titanato de estroncio con dopado de itrio,

manganeso o tantalio.
La característica resistencia vs. temperatura presenta una zona crítica

con cambio de pendiente negativa a positiva, donde el material aumen-
Bo
ta rapidamente su coeficiente de cambio con la temperatura, llegando

a ser hasta del 100 %/◦ C. El punto donde este cambio inicia se conoce
como temperatura de Curie y la resistencia allí es del orden de dece-
nas de óhmio; una vez que pasa la zona de conmutación la resistencia
puede llegar a ser del orden de los magaóhmios, lo que permite ver que
este termistor es un interruptor térmico que se abre o cierra en las inme-
diaciones de la temperatura de Curie con una histéresis adecuada que
evita la ambiguedad en su recorrido. Se fabrican diversas modalidades
y el punto de la temperatura de Curie se ubica entre 60 ◦ C y 120 ◦ C o
más. La figura 8.11 presenta una curva típica.
26
r
do Figura 8.12: Termopar.
rra
8.6. Termopares.
La termocupla, o termopar, es un sensor térmico el cual puede ser definido
como una fuente de voltaje o de corriente, dependiente de dos temperaturas.
Esta constituido por dos hilos de diferente material, los cuales se hallan
unidos en un extremo sobre el que se aplica la temperatura a medir y las
otras puntas de los hilos están abiertas para permitir la medición de la fuer-
za termoelectromotriz (ftem) generada en el sensor; en la figura 8.12 (A) se
muestra un arreglo básico de los dos hilos con sus respectivos aislantes y
una funda plástica de protección; en la (B) se presenta un símbolo frecuente-
mente utilizado, donde se resaltan los dos tipos de terminales y se anotan las
temperaturas influyentes en el proceso y en la (C), se muestra un equivalente
para el termopar como fuente de voltaje dependiente de la diferencia entre las
temperaturas T2 , T1 , de sus dos extremos, .
Bo
8.6.1. Efectos termoeléctricos.

Los diversos fenómenos que tienen lugar dentro de este sensor pueden
ser explicados con base a ciertos efectos y leyes termoeléctricas que se su-
ceden en la naturaleza como son el efecto Peltier, el efecto Thomson, el efecto
Seebeck y el efecto Joule. A continuación se estudiarán algunas de estas teo-
rías, para orientar un modelo del termopar que permita su entendimiento y
aplicación:
27
8.6. Termopares.
r
⊙ Fenómeno físico observado Thomas Seebeck descubrió, hacia 1822, que
si dos hilos de distintos materiales se unen en sus extremos y se man-
do
tiene entre los puntos de unión una diferencia de temperatura, se induce
una corriente en el circuito así formado, tal como se muestra en la figu-
ra 8.13; si el circuito se abre, en cualquier punto, incluso en una de las
uniones de los dos hilos, aparece una fuerza termoelectromotiz. Se ex-
presa así un fenómeno termoeléctrico de conversión de energía térmica
a energía eléctrica.
rra
Figura 8.13: Efecto de Seebeck.
⊙ Efecto Peltier. Es un fenómeno termoeléctrico reversible que interpreta los

procesos de transformación entre energía eléctrica y energía térmica en
la unión de dos materiales homogéneos distintos y a una temperatura
determinada. Jean Petier lo descubrió en 1834 como un proceso más
de transformación de energía térmica a energía eléctrica: en la unión de
Bo
dos materiales conductores, A y B (ver figura 8.14), de diferente consti-

tución, se genera una fuerza termoelectromotriz, denominada potencial
de Peltier, el cual depende del tipo de materiales y de la temperatura
termodinámica en su unión; esto es:
(8.23) T
PA/B = vAT − vBT
(8.24) T
PA/B = −PB/A
T
28
r


 T
Temperatura termodinámica de la unión de los



 materiales. La ubicación exponencial de esta



 variable es solo un símbolo para dar idea de la
do



 participación de T en el proceso.


 PA/B
Potencial de Peltier desarrollado por la unión de
T
Donde: los materiales A y B cuando se hallan a la tem-




 peratura T .



 vA
Potencial termodinámico absoluto del material
T



 A a la temperatura termodinámica T .



 vB
Potencial termodinámico absoluto del material
T

B a la temperatura termodinámica T .
⊙ Ley de Volta. Dentro de un circuito isotérmico cerrado, constituido de di-

ferentes materiales, la suma de los potenciales de Peltier desarrollados
por todas las uniones, es nula (ver figura 8.15):
rra
∑
(8.25) T
Pα/β T
= PA/B T
+ PB/C − PC/D
T T
+ PD/A
(8.26) = vAT − vBT + vBT − vCT + vCT − vD
T T
+ vD − vAT
∑
T
(8.27) Pα/β =0
Bo
Figura 8.14: Efecto Peltier.
29
8.6. Termopares.
r
⊙ Efecto Thomson. Es un fenómeno termoeléctrico reversible que interpre-
ta los procesos de transformación entre energía eléctrica y energía tér-
do
mica dentro de un material homogeneo. Fue descubierto por William
Thomson hacia 1850 y establece que la existencia de una diferencia de
temperatura, dentro de un material homogeneo, establece una ftem de-
nominada potencial de Thomson, la cual depende de la naturaleza del
material y de la diferencia de temperaturas entre los puntos considera-
dos:
∫ TN
TM , TN
(8.28) HA = hA dT
TM
∫ TM
HATN , TM = hA dT
rra (8.29)
TN
(8.30) HATM , TN = −HATN , TM

Bo
Figura 8.15: Ley de Volta.
30
r


 TM , TN
Temperaturas termodinámicas en los puntos M



 y N, respectivamente. La ubicación exponencial


 de estas variables es solo un símbolo para dar
do



 idea de su participación de dentro del proceso.



 HATM , T N

Potencial de Thomson desarrollado en el mate-



 rial A, debido al gradiente de temperatura TM ,
Donde: TN , medido entre los puntos M y N.



 HATN , TM
Potencial de Thomson desarrollado en el mate-



 rial A, debido al gradiente de temperatura TN ,



 T M . Es equivalente a cambiar la polaridad con



 respecto a la medida anterior.



 hA
Coeficiente de Thomson que define el compor-

tamiento del material A dentro del efecto.
⊙ Ley de Magnus. En los extremos de un circuito constituido por un conduc-

tor único, homogéneo y a la misma temperatura, la f.t.e.m. de Thomson
rra
es nula. Esta ley se hace es evidente si se hace TM = TN en la ecuación
que define el efecto:
∫ TM
TM , T M
(8.31) HA = hA dT = 0
TM
8.6.2. Modelo para el termopar de Seebeck.

No es común hallar un modelo racional para el termopar, que sea lo su-
ficientemente flexible y accesible para ser utilizado en las aplicaciones que a
Bo
Figura 8.16: Efecto Thomson.
31
8.6. Termopares.
r
diario se abordan en la ingeniería; igualmente lo es el hallar un modelo em-
pírico que represente y tenga en cuenta aquellos detalles de la naturaleza
do
del elemento, que son relevantes en la temática del diseñador. Para dar una
solución al problema, y situándolo en la linea académica, se elige un modelo
tradicional que no profundiza en la teoría básica de los fenómenos que están
presentes en el termopar, pero que conecta directamente al interesado con
la realidad dándole los elementos suficientes y necesarios para el diseño y
análisis de aplicaciones prácticas y de actualidad.
⊙ Termopar ideal de Seebeck. El termopar idealde Seebeck es un circuito

cerrado constituido por dos materiales conductores homogéneos, A y B,
de diferente composición, cuyas uniones se someten a las temperaturas
T2 y T1 , tal como lo muestra la figura 8.17. Dado que lo que allí se
aprecia es un corto circuito, no se puede medir en ningún momento
un voltaje, pero se puede analizar el esquema para llegar al origen de
la fuente que produce la corriente observada por Seebeck, si se hace
rra
caso omiso del efecto Joule, esto es, se supone que no hay caidas de
potencial en la resistencia de los alambres e igualmente no se tiene en
cuenta ésta para efecto del análisis.
Bo
Figura 8.17: Termopar ideal de Seebeck.
⊙ Efecto Seebeck. El efecto Seebeck establece que en una termocupla se

genera una f.t.e.m. como resultado de los efectos de Peltier y de Thom-
son. De acuerdo a la figura 8.17 se presentan cuatro ftem diferentes
dentro de la termocupla de Seebeck: dos de Peltier, una en cada unión
32
r
y dos de Thomson, una en cada material. Estos potenciales de voltaje
configuran la tensión eléctrica neta, VS , del termopar, la cual se calcu-
do
la sumando los potenciales en el lazo cerrado sin tener encuenta las
caídas por ley de Óhm:
(8.32) T2
VS = PA/B − PA/B
T1
+ HAT1 , T2 − HBT1 , T2
∫ T2 ∫ T2
(8.33) = vA − vB − vA + vB +
T2 T2 T1 T1
hA dT − hB dT
T1 T1
∫ T2
(8.34) = PA/B − PA/B +
T2 T1
(hA − hB ) dT
T1
Como se aprecia, los dos términos de la ftem. de Peltier y los dos res-
pectivos de Thomson, se pueden agrupar en dos funciones, cada una
dependiente de la diferencia de temperaturas T2 − T1 ,dando origen a las
rra
funciones conjuntas de Peltier, πA/B y de Thomson, τA/B :
(8.35) VS = πA/B (T2 − T1 ) + τA/B (T2 − T1 )
Finalmente se obtiene y se concluye que el potencial de Seebeck está

expresado por una función que fundamentalmente depende de la dife-
rencia entre las temperaturas que soportan los dos extremos del termo-
par y de los materiales que componen cada uno de sus hilos, lo cual
podemos simplificar como:
(8.36) VS = ΨA/B (T2 − T1 )

T2 , T1
Bo
(8.37) = EA/B


 ΨA/B (T2 − T1 )
Función de Seebeck que simbólicamente resu-



 me las consecuencias eléctricas del fenómeno,


 teniendo en cuenta el tipo de materiales de los
Donde: dos hilos y las temperaturas de los extremos del



 termopar .




T2 , T1
EA/B
Expresión que se utilizará para denominar la

ftem generada por el termopar.
33
8.6. Termopares.
r
⊙ Termopar real de Seebeck. De acuerdo a las condiciones enunciadas para
el termopar ideal, el potencial de Seebeck se calcula con los dos ma-
do
teriales unidos en sus dos extremos y se supone que no hay corrientes
T2 , T1
por el circuito para que no se presente efecto Joule y para que EA/B
sea diferente de cero.
En la realidad y de acuerdo a la teoría de los circuitos eléctricos, no
es posible medir una diferencia de potencial sobre un corto circuito, no
obstante se puede demostrar que el resultado obtenido sigue siendo
el mismo con el termopar abierto en cualquier punto del circuito y sin
permitir que circule corriente por el circuito.
En la figura 8.18 se propone un montaje más real; este es un circuito
con el termopar abierto en uno de los puntos de unión entre los dos ma-
teriales, el cual incluye un medidor de voltaje. Para este caso, una vez
planteados los diferentes potenciales desarrollados en cada elemento,
o hilo o union, ya sean estos los potenciales de Peltier o de Thomson,
rra se demuestra que se llega a la misma función obtenida para el termo-
par ideal de Seebeck. Para poder modelar el instrumento que mide el
potencial, se emplea un medidor bastante elemental como lo es el ins-
trumento Dársonval o PMMC el cual se puede representar como una
bobina de alambre de un solo material (cobre, por ejemplo), colocado
en los extremos del termopar con sus respectiva polaridad, tal como lo
muestra la figura.
Bo
Figura 8.18: Medición del potencial de Seebeck en circuito abierto.
Planteando la sumatoria de potenciales en el lazo del circuito de la figu-

ra 8.19, donde se han marcado todas las fuentes existentes, sin tener
34
r
en cuenta las caídas de potencial en los hilos (asumiendo corriente des-
preciable), el potencial neto obtenido es:
do
(8.38)
TC , TR
EA/B TC
= PA/B − HATC , TR − PA/Cu
TR TR , TR
+ HCu TR
+ PB/Cu + HBTC , TR
rra
Figura 8.19: Medición del potencial de Seebeck con termopar abierto.
Aplicando algunas de las propiedades de equivalencia vistas en los

efectos termoeléctricos y ordenando los términos, efectivamente se lle-
ga a:
(8.39) TC , TR
EA/B TC
= PA/B − PA/B
TR
+ HATR , TC − HBTR , TC
Bo
⊙ Principio de reciprocidad en el modelo de Seebeck. Multiplicando a lado y

lado de la ecuación 8.39 por −1 e identificando los elementos, tal como
se hizo en la deducción del modelo, se llega a:
(8.40) −EA/B
TC , TR
= −PA/B
TC TR
+ PA/B − HATR , TC + HBTR , TC
(8.41) −EA/B
TC , TR TR
= PA/B − PA/B
TC
+ HATC , TR − HBTC , TR
(8.42) −EA/B
TC , TR TR , TC
= EA/B
35
8.6. Termopares.
r
La interpretación de este resultado lleva a decir que si se intercambian
las posiciones de las temperaturas manteniendo las condiciones de de-
do
finición del termopar A/B original, el potencial medido a la salida cambia
de polaridad y sigue teniendo el mismo valor absoluto.
Como conclusión de todo lo anterior y resumiendo lo fundamental para el

desarrollo subsiguiente, el voltaje o ftem de seebeck producido por el termo-
par, está constituido de cuatro potenciales, dos debidos al efecto Peltier y dos
debidos al efecto Thomson; además, la detección de este potencial se puede
lograr intercalando un circuito de medición, preferiblemente de alta impedan-
cia, que permita no tener en cuenta las caidas de voltaje debidas al efecto
resistivo de los alambres y a la corriente producida en el circuito por la ftem
total. Gran parte de este resumen está planteado en el modelo descrito por la
ecuación 8.39.
8.6.3. Medición de la ftem de Seebeck.

rra
En la figura 8.20 se presenta el circuito equivalente de un montaje real
para acoplar un termopar a un instrumento de medición. El resultado obtenido
al final de la cascada de elementos y variables, así como las condiciones a
cumplir para que el potencial de Seebeck llegue adecuadamente al circuito de
medición, son:
Bo
Figura 8.20: Medición del potencial de Seebeck con hilos de extensión.
⊙ Condiciones para las variables térmicas y los materiales del circuito extensivo.
36
r
,→ La temperatura TR , denominada comunmente como temperatura
de referencia, debe ser la misma en los dos extremos libres de los
do
hilos A y B o extremos de medida del potencial del termopar.
,→ Los conductores intermedios M1 , M2 , ..., Mn ,
que sirven de ex-
tensión dentro del circuito, deben ir simétricamente ubicados a par-
tir de los hilos A y B hasta llegar al instrumento de medición sin
importar, teóricamente, el número de extensiones ni los tipos de
materiales utilizados.
,→ Las temperaturas de unión entre los conductores de extensión:
TR , T1 , . . ., Tn , deben ser simétricamente las mismas en los puntos
de unión de los materiales.
⊙ Resultado obtenido con el circuito de extensión. Con las condiciones expre-

sadas, se realiza la fijación de potenciales de Peltier y de Thomson a lo
largo del circuito y se suman en el recorrido de todo el lazo:
rra
TC TR T1 T2 Tn
VS = PA/B + PM1/A + PM2/M1 + PM3/M2 + . . . + PCu/Mn
− PCu/Mn
Tn
− . . . − PM3/M2
T2
− PM2/M1
T1
− PM1/B
TR
(8.43) T , Tn−1
+ HATR , TC + HM1
T1 , TR T2 , T1
+ HM2 n
+ . . . + HMn Tn , Tn
+ HCu
T , Tn−1
− HMn
n
− . . . − HM2
T2 , T1
− HM1
T1 , TR
− HBTR , TC
Haciendo las simplificaciones adecuadas se llega exactamente a la mis-
ma expresión del termopar ideal (ecuación 8.39), lo que demuestra que,
cumplidas las condiciones en los materiales y las temperaturas del cir-
cuito de extensión, el montaje real para el termopar no afecta la ftem de
Seebeck.
8.6.4. Propiedades del modelo de Seebeck.

Bo
Con el fin de disponer de más herramientas que permitan el acercamiento

al comportamiento del termopar real, se verán a continuación algunas propie-
dades del modelo:
⊙ Ley de las temperaturas sucesivas. El valor de la ftem de Seebeck gene-

rada a partir de una diferencia de temperaturas entre TC y TR , puede
ser expresado en función de los potenciales parciales generados por el
mismo termopar, haciendo un recorrido entre una o varias temperaturas
sucesivas, que tengan como inicio y final a TC y TR , respectivamente.
En la figura 8.21, en la parte inferior, el diagrama presenta dos de los
37
8.6. Termopares.
r
posibles recorridos que permiten ver alternativas para expresar el po-
tencial de Seebeck en función de las diferencias de temperaturas de TC
do
con T0 y de TR con T0 .
rra
Figura 8.21: Ley de las temperaturas sucesivas (LTS).
Para llegar a un resultado en términos de las funciones de Seebeck para

cada una de las diferencias, se analiza el recorrido r1, comenzando por
plantear la función para la diferencia TC , T0 :
∫ TC
(8.44) TC , T0
EA/B = PA/B − PA/B +
TC T0
(hA − hB ) dT
T0
Bo
Ahora se obtiene la función de Seebeck para la diferencia T0 , TR :

∫ T0
(8.45) T0 , TR
EA/B = PA/B − PA/B +
T0 TR
(hA − hB ) dT
TR
Sumando las dos expresiones anteriores e identificando términos se lle-

ga a que:
TC , T0 T0 , TR TC , TR
(8.46) EA/B + EA/B = EA/B
38
r
⊙ Modelo Seebeck visto desde la LTS. Haciendo uso del principio de recipro-
cidad en el segundo término de la expresión de la LTS, ésta se puede
do
expresar como:
(8.47) TC , TR
EA/B TC , T 0
= EA/B − EA/B
TR , T0
El significado es que la función de Seebeck para un termopar con tem-

peraturas TC y TR , en sus respectivos terminales, es una diferencia de
potencial cuyos componentes son dos funciones de Seebeck que han
sido referidas a una misma temperatura T0 .
⊙ Condiciones de uso del modelo. Una de las expresiones que más se utiliza
en el trabajo con termopares, es la obtenida al plicar la LTS a la función
TC , TR
de Seebeck EA/B , expresada por la ecuación 8.47. Su adaptación
implica aplicar unas condiciones y definiciones al respecto:
,→ Hasta ahora se ha manejado la teoría de los fenómenos termoeléc-

tricos con base en temperaturas termodinámicas; en la práctica los
rra
modelos, tablas características y demás variables que tengan que
ver con el trabajo de diseño y análisis con termopares, utilizan la
temperatura de Celsius. Para diferenciar bien esta situación, se
prefiere simbolizar la temperatura de Celsius con una t. El traslado
de la LTS queda, entonces:
(8.48) tC , tR
EA/B tC , t0
= EA/B − EA/B
tR , t0
,→ Si en el modelo anterior la temperatura de relevo t0 se hace igual

a cero, el potencial de Seebeck que entrega cualquier termopar
teniendo sus dos temperaturas diferentes de cero (tC y tR ) en sus
extremos, queda expresado en potenciales de Seebeck cuyas refe-
rencias son 0 ◦ C. Esto permite que las CC, tablas o modelos, cua-
lesquiera que sean utilizados en los termopares sean planteados
siempre con dicha referencia, independientemente a que tempera-
Bo
turas vayan a estar referidos en la realidad. Bajo esta situación el

modelo adquiere ahora la siguiente presentación:
(8.49) tC , tR
EA/B tC , 0
= EA/B − EA/B
tR , 0
Se observa que cuando, en la expresión anterior, el valor de tR

se hace cada vez más pequeño, el potencial de Seebeck va en
aumento hasta un límite cuando tR = 0 ◦ C. Se interpreta que hay
una perdida, evidentemente tenida en cuenta por el modelo, en el
potencial original del termopar, cuando este no tiene su referencia
a 0 ◦ C.
39
8.6. Termopares.
r
⊙ Sensibilidad térmica. La sensibilidad del termopar, SA/B , se define cuando
éste está referido a 0 ◦ C y la variable medida es tC :
do
C
t ,0
dEA/B
(8.50) SA/B (tC ) =
dtC
La sensibilidad de los termopares de uso general y normatizados suele
ser muy pequeña y depende de la temperatura. Generalmente se expre-
sa en uV/◦ C.
8.6.5. Tipos de termopares.

Los diferentes tipos de termopares estan diferenciados y especificados
por una letra, la cual ha sido asignada en razón del tipo de relación ftem-
temperatura más que por la constitución existente en un arreglo particular.
Las termocuplas de un determinado tipo pueden variar en algunos aspec-

rra
tos dimensionales y de composición de sus dos hilos, tanto como lo desee
o requiera el fabricante, mientras se mantengan las condiciones de la norma
que la especifica.
En la especificación del termopar se ha establecido, por conveniencia, que

el primer hilo dibujado o especificado es el que corresponde al borne positivo.
Esto se cumple siempre y cuando la temperatura de referencia este por deba-
jo de la temperatura medida.
El rango de trabajo esta supeditado en el límite inferior, por el nivel de ftem

y su facilidad para ser determinado por el sistema o circuito de medida y en el
límite superior, por el desempeño de los materiales ante los riesgos de conta-
minación, de evaporación de algunos de sus componentes o de la fusión de
alguno de su hilos.
Bo
Paralelamente a los anteriores condicionamientos, existe una dependen-

cia muy notable del límite superior de trabajo con el diametro del hilo utilizado
para la fabricación del termopar.
La tabla 8.5 muestra, como ejemplo, la dependencia de la temperatura

máxima de operación con respecto al díametro de los hilos del termopar tipo
E (chromel/constantan).
Para efecto de diferenciar los termopares por tipos, se consideran cons-

tituidos por dos hilos o termoelementos y cada termoelemento puede estar
40
r
Diametro ϕ/mm 3,25 1,63 0,81 0,33
Temperatura tmáx. /◦ C 870 650 540 430
do
Tabla 8.5: Relación entre el diámetro del hilo del termopar y su temperatura
máxima de trabajo.
Denominación Composición
De norma Comerciala
EN o TN Cupron, TK JN 55 % Cu, 45 % Ni.
EP o KP Chromel, Tophel, TK KP,T-1 90 % Ni, 10 % Cr
JN Aleación Cu-Ni
JP TK JP 99.5 % Fe
KN Alumel, Nial, T-2, TK KN. 95 % Ni, 2 % Al, 2 % Mn, 1 % Si.
NN Nisil. 95 % Ni, 41/2 % Si, 1/10 % Mg.
NP Nicrosil. 84 % Ni, 14 % Cr, 11/2 % Si.
rra
RN o SN Pt. Pt de alta pureza.
RP Pt-13 % Rh Pt-13 % Rh
SP Pt-10 % Rh Pt-10 % Rh
TP Cu de alta pureza. Cu de alta pureza.
BN Pt-nominal 6 % Rh. Pt-nominal 6 % Rh.
BP Pt-nominal 30 % Rh Pt-nominal 30 % Rh
Tabla 8.6: Los termoelementos y su composición.

a
TK es el símbolo local para Thermokanthal
compuesto de uno o más materiales básicos formando aleaciones. La compo-

sición y constitución de los diferentes termoelementos fijan el comportamiento
termoelectrico del termopar. En la tabla 8.6 se presentan los principales ter-
moelementos, su constitución y su polaridad.
Bo
La unión de dos termoelementos, uno de polaridad positiva (terminado

en letra P) y el otro de polaridad negativa (terminado en letra N) tomados
ambos de la tabla 8.6, configuran el respectivo termopar cuya denominación
corresponderá a la primera letra de los dos termoelementos. Por ejemplo el
termoelemento JP y el termoelemento JN configuran el termopar tipo J y la
ftem generada es positiva en el hilo JP.
La tabla 8.7 presenta el conjunto de termopares generados con los termo-
elementos de la tabla 8.6 con un resumen de sus características más impor-
tantes.
Además de los termopares de la tabla, existe una familia creada con alea-
41
8.6. Termopares.
r
Denominación Sensibilidad Rango de trabajo
Smín. /uV/◦ C Smáx. /uV/◦ C tmín. /◦ C tmáx. /◦ C
do
E 3,8 81 -270 1000
J 20,5 64,7 -210 1200
T 2,6 61,7 -270 400
K 1,7 42,7 -270 1372
N 0,8 39,3 -270 1300
R 3,8 14,2 -50 1768
S 4,2 12,2 -50 1768
B -0,2 11,7 0 1820
Tabla 8.7: Tipos de termocuplas.
ciones de tungsteno y renio, los cuales dan origen a los termopares tipo G,
C y W. Estos se caracterizan, principalmente, por su capacidad de trabajo en
rra
altas temperaturas (hasta 2320 ◦ C).
Recientemente se han ido desarrollando termoelementos de un solo mate-
rial, buscando eliminar las inestabilidades debidas a irregularidades en la es-
tructura de la aleación. Se conocen algunos termopares de esta linea, como
el Pt/Au y el Pt/Pd, los cuales presentan importantes mejoras en los aspec-
tos de estabilidad, exactitud y reproducibilidad, con relación a los termopares
convencionales.
8.6.6. Modelos de trabajo.
Como todo sensor, el termopar tiene varios recursos que permiten su utili-
zación de manera flexible, dependiendo el área de aplicación y las exigencias
del trabajo. A continuación se hara una exposición de esos recursos:
Bo
⊙ Modelo racional. El estudio hecho al termopar alrededor del efecto See-

beck, es el modelo racional, aunque no es el modelo más adecuado
para el trabajo práctico; no obstante, es el soporte sobre el cual se plan-
tean nuevos modelos que permiten la exploración y explotación de las
cualidades del termopar. De dicho modelo se repiten aquí dos expresio-
nes que fueron debidamente deducidas e interpretadas, las cuales son
básicas en muchos análisis y son requeridas para soportar los mode-
los subsiguientes. Todas las expresiones que involucren temperatura, la
42
r
utilizan en ◦ C y por ello se utilizará la t como su símbolo.
(8.51) tC , tR
EA/B tC
= PA/B − PA/B
tR
+ HAtR , tC − HBtR , tC
do
(8.52) tC , tR
EA/B tC , 0
= EA/B − EA/B
tR , 0
⊙ Curvas de calibración. Por definición, en cualquier sensor, la curva carac-

terística o de calibración es el modelo gráfico más cercano al comporta-
miento real del sensor. Dado que en la función de Seebeck del termopar
aparece dos veces la magnitud temperatura, se ha convenido universal-
mente que las curvas de calibración se obtengan, y asi se tracen, con la
temperatura de referencia igual a 0 ◦ C, es decir:
(8.53) tC , 0
EA/B = ΨA/B (tC − 0)
rra
Bo
Figura 8.22: CC de termopares.
Como consecuencia, y esto está soportado por el modelo de Seebeck,

todas las curvas características pasan por el origen de coordenadas:
43
8.6. Termopares.
r
( )
0, 0
0 , EA/B , es decir, (0, 0).
En la figura 8.22 se muestra el trazado de las curvas características
do
de los principales termopares reconocidos por normas internacionales
y de uso común. Como se puede apreciar, su comportamiento parece
bastante lineal; no obstante, si se calcula la sensibilidad para cada una
de ellas y se grafica, se puede apreciar que efectivamente son funciones
no lineales con relación a la variable medida tC . En la figura 8.23 se
puede apreciar el trazado de la función sensibilidad, SA/B (tC ), para los
rra mismos termopares de la figura 8.22.
Bo
Figura 8.23: Curvas de sensibilidad de los termopares.
⊙ Tablas. Las tablas, al igual que las curvas de calibración, presentan los
valores de la ftem que genera el termopar con temperatura de referen-
cia en 0 ◦ C; es el modelo más accesible, tanto a la parte industrial como
a la académica y hasta el momento es el más exacto. Normalmente se
presenta el potencial generado, en milivoltios, para incrementos suce-
sivos de 1 ◦ C. La tabla 8.8 muestra algunos valores de la ftem para el
termopar tipo S.
44
r
t/◦ C uV
EStC , 0 /
0 0 5 11 16 22 27 33 38 44 50 55
do
10 55 61 67 72 78 84 90 95 101 107 113
20 113 119 125 131 137 143 149 155 161 167 173
30 173 179 185 191 197 204 210 216 222 229 235
40 235 241 248 254 260 267 273 280 286 292 299
50 299 305 312 319 325 332 338 345 352 358 365
60 365 372 378 385 392 399 405 412 419 426 433
70 433 440 446 453 460 467 474 481 488 495 502
80 502 509 516 523 530 538 545 552 559 566 573
90 573 580 588 595 602 609 617 624 631 639 646
100 646 653 661 668 675 683 690 698 705 713 720
t/◦ C 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Décadas Unidades
rra
Tabla 8.8: Fragmento de tabla para termopar tipo S .
⊙ Ecuaciones empíricas. La ecuación empírica es uno de los recursos más

útiles y adecuados para la definición de las pautas de diseño del instru-
mento, cuando se trata de un termopar. El modelo de ecuación empírica
más empleado en el termopar es la función polinomial. Los grados del
polinomio así como la precisión de sus coeficientes, están debidamente
normatizados atendiendo a las características del termopar, al rango de
trabajo y a la precisión deseada en el modelo.
El modelo general para cualquier termopar está dado como:
tC , 0
∑
n ( )i
EA/B ai tC
(8.54) = ◦
mV/(◦ C)
i
mV C
i=0
Bo


 ai
Coeficientes de la función polinomial dados por



 el fabricante o por la norma,y varian en preci-


 sión y número dependiendo del rango de traba-
Donde: jo y de la precisión buscada en la función.



 n
Grado del polinomio. Su valor depende del ran-



 go de trabajo y de la precisión buscada en la

función.
⊙ Funciones inversas. Tanto en la parte académica como en la industrial,
45
8.6. Termopares.
r
tC , 0
Coeficientes para EA/B . Coeficientes para tC
ai V alor bi V alor
do
a0 0, 000 000 000 000×100 b0 0, 000 000 0×100
a1 0, 586 655 087 100×10−1 b1 1, 705 703 5×101
a2 0, 450 322 755 820×10−4 b2 −2, 330 175 9×10−1
a3 0, 289 084 072 120×10−7 b3 6, 543 558 5×10−3
a4 −0, 330 568 966 520×10−9 b4 −7, 356 274 9×10−5
a5 0, 650 244 032 700×10−12 b5 −1, 789 600 1×10−6
a6 −0, 191 974 955 040×10−15 b6 8, 403 616 5×10−8
a7 −0, 125 366 004 970×10−17 b7 −1, 373 587 9×10−9
a8 0, 214 892 175 690×10−20 b8 1, 062 982 3×10−11
a9 −0, 143 880 417 820×10−23 b9 −3, 244 708 7×10−14
a10 0, 359 608 994 810×10−27
Tabla 8.9: Coeficientes para un termopar tipo E

rra
se requiere la función que exprese la temperatura como variable de-
pendiente de la ftem, esto es la función inversa del termopar, para ser
utilizada en el momento de la emulación durante el diseño del instru-
mento. Los fabricantes presentan regularmente dicha función tambien
como un polinomio con sus respectivos parámetros, acogiendose a las
regulaciones establecidas por las normas y expresando claramente las
condiciones de aplicación y el alcance de sus resultados.
El «National Institute of Standards and Technology», NIST, mantiene en
su página electrónica un conjunto de tablas actualizadas que cumplen
con la ITS-90, donde se puede hallar las tablas de los diferentes ter-
mopares, asi como los parámetros de las ecuaciones empíricas polino-
miales para diferentes rangos de trabajo de los termopares y diferentes
Bo
niveles de precisión.
En la tabla 8.9 se presentan los parámetros para las funciones polino-
tC , 0 tC , 0
miales de tC (EA/B ) y EA/B (tC ), para un termopar tipo E, trabajando en
◦ ◦
el rango de 0 C a 1 000 C.Los parámetros de la función inversa están
estimados para dar un error máximo de ±0, 02 ◦ C.
El modelo general para la función inversa de tipo polinomial es:
46
r
( )i
tC ∑
m
bi
tC , 0
EA/B
do
(8.55) ◦ = ◦ i
C C/(mV) mV
i=0


 bi
Coeficientes de la función polinomial inversa



 dados por el fabricante o por la norma, varian



 en precisión y número dependiendo del rango

de trabajo y de la precisión buscada en la fun-
Donde:

 ción.



 m
Grado del polinomio inverso. Su valor depende



 del rango de trabajo y de la precisión buscada

en la función.
8.6.7. Acondicionamiento de la referencia.

rra
En el modelo de Seebeck hay dos variables de temperatura; una de ellas
requiere estar fija para que la otra se presente como la incógnita a determinar
en un proceso de medición. La temperatura de los terminales donde se mi-
de la ftem, tR , es la que normalmente suele fijarse y dicha referencia puede
establecerse de dos formas:
⊙ tR fija en 0 ◦ C. Mantener la temperatura de referencia a 0 C es un ◦
proceso dispendioso y poco practico para ser aplicado a mediciones in-

dustriales, no obstante como método para lograr una referencia a nivel
de laboratorio, es un método válido.
La figura 8.24 muestra el montaje que permite llegar a una referencia de
0 ◦ C con una precisión de ±0, 02 ◦ C, realizando el contacto galvánico
entre los terminales del termopar y los hilos de medida del potencial den-
tro de sendos tubos con mercurio, los cuales se hallan inmersos en un
Bo
baño de agua-hielo y a presión atmosférica normal (pAN = 101 325Pa).

El termopar esta constituido por los hilos A y B y el contacto eléctrico
hacia el circuito de medida se realiza con un tercer hilo de material C.
Algunas variantes de este métodos de referenciación, se consiguen con
los arreglos mostrados en la figura 8.24 (A), donde los contactos gal-
vánicos se realizan creando dos termopares, el A/C y el B/C, los cua-
les sensan la temperatura de referencia de cada uno de los terminales
abiertos del termopar; en la figura 8.24 (B) se aplica la definición del
termopar ideal abierto en uno de sus hilos componentes y una de sus
uniones realizará la toma de la temperatura de referencia.
47
8.6. Termopares.
r
do Figura 8.24: Obtención de referencia cero.
rra
Bo
Figura 8.25: Variantes de obtención de referencia cero.
48
r
⊙ tR variable e igual a la temperatura ambiente tA . Es la opción más emplea-
da en instrumentos de medición de temperatura que empleen termopar
do
como sensor principal. Presenta dos alternativas en su manejo: en los
casos donde la exactitud pueda tener un margen de error alto, se puede
estimar o medir por separado la temperatura ambiente y hacer, o no,
la respectiva corrección al momento de definir el valor de la medida; si,
por el contrario, debe ser una medición con un buen nivel de exactitud,
se le adiciona al termopar un circuito que restablezca el nivel de perdi-
da, ocasionado por tener los terminales de referencia del termopar a la
temperatura ambiente, el cual se denomina compensador de unión fría
o CUF y será tratado a continuación.
8.6.8. Compensación de unión fria.

Se demostró anteriormente que la ftem de Seebeck está compuesta de
rra
dos potenciales, uno generado por la temperatura tC con la referencia en cero
y otro generado por la temperatura tR con la referencia en cero. Para el caso
que nos ocupa, tR = tA , es decir, con la temperatura de referencia siendo la
del ambiente, la ftem de Seebeck se expresa como:
(8.56) tC , tA
EA/B tC
= PA/B − PA/B
tA
+ HAtA , tC − HBtA , tC
(8.57) tC , tA
EA/B tC , 0
= EA/B − EA/B
tA , 0
El termino −EA/B
tA , 0
se puede interpretar como una perdida variable que pre-
senta el termopar por no tener su respectiva referencia en 0 ◦ C, sino a la
temperatura ambiente tA .
La compensación de unión fría, CUF, consiste en monitorear la temperatu-

ra ambiente, generar un voltaje proporcional a la temperatura ambiente e igual
Bo
al total del voltaje perdido y compensar al sistema completo restituyendo esa

pérdida. Este proceso se puede realizar fundamentalmente de dos formas:
⊙ CUF básico. Dado que los diferentes modelos para el termopar, debida-
mente avalados por las normas, tienen su validez establecida para me-
diciones hechas con el termopar cuando la temperatura de referencia
esta en 0 ◦ C, es deseable y práctico obtener, por otro medio diferente
tA , 0
al termopar, el potencial correspondiente al término EA/B y agregarselo
tC , tA
al producido por el termopar,EA/B . Un esquema representativo de lo
49
8.6. Termopares.
r
expresado lo da la figura 8.26, donde:
tC , tA
do
(8.58) vo (tC , tA ) = EA/B + v(tA )
(8.59) tC , 0
= EA/B − EA/B
tA , 0
+ v(tA )
Para que la salida sea dependiente unicamente de tC , se debe cumplir:
dvo (tC , tA )
(8.60) =0
dtA
A t ,0
dv(tA ) dEA/B
(8.61) =
dtA dtA
tA , 0
(8.62) v(tA ) = EA/B
tC , 0
(8.63) vo (tC , tA ) = vo (tC ) = EA/B
De esta forma el CUF cumple su fin independizando la salida de todo el

rra
sistema, de la temperatura ambiente.
dv(t )
El término dtAA , corresponde a la sensibilidad del termopar en el rango
de la temperatura ambiente, por lo tanto se calcula a partir de las tablas
del termopar haciendo un promedio en el respectivo rango o realizando
una ecuación empírica lineal, para el termopar, dentro del rango que os-
cile la temperatura ambiente.
Bo
Figura 8.26: CUF básico.
50
r
⊙ CUF con amplificación. Los circuitos reales de medición de temperatura
que hacen uso de termopares, requieren que su señal lleve un deter-
do
minado nivel de amplificación, para poder ser manejada en condiciones
adecuadas, dado su bajo nivel y su poca inmunidad a elementos con-
taminantes que se manifiestan por las condiciones particulares en que
opera el termopar.
rra
Figura 8.27: CUF con amplificación.
La figura 8.27 presenta el diagrama de bloques de un sistema comple-

to que entrega una salida proporcional a la temperatura tC , la cual es
independiente de las variaciones de tA y, adicionalmente, la condición
Bo
inicial a la salida (vo (tC = 0)), puede ser programable según lo requiera
el diseño.
Para efecto de ubicar el sistema dentro de un caso real, se establece
que el elemento central del CUF es una fuente de voltaje dependiente
de la temperatura ambiente, cuya salida es vS (tA ). El arreglo comple-
tC , 0
to debe presentar, a la salida, el potencial EA/B amplificado D veces y
tiene la opción de estar montada sobre un pedestal. La señal completa
del termopar pasa por un amplificador de ganancia gC y la salida de la
fuente compensadora vS (tA ), pasa por un acondicionamiento, de ampli-
ficación o atenuación según se requiera, que se representa por gS .
51
8.6. Termopares.
r
De acuerdo a la figura se tiene:
tC , tA
(8.64) vo (tC ) = gC EA/B + gS vS (tA ) + VN
do
(8.65) tC , 0
vo (tC ) = gC EA/B − gC EA/B
tA , 0
+ gS vS (tA ) + VN
Aplicando las condiciones para que la salida sea independiente de tC y

para que el sistema tenga una ganancia D:
dvo (tC )
(8.66) =0
dtA
At ,0
dEA/B dvS (tA )
(8.67) 0 = −gC + gS
dtA dtA
(8.68) gC SA/B (tA ) = gS SS
dvo (tC )
(8.69) tC , 0 = D
dEA/B
rra
(8.70) gC = D
(8.71) vo (tC = 0) = VN


 SA/B (tA )
Es la sensibilidad del termopar en el rango de



 la temperatura ambiente.


 SS
Es la sensibilidad del sistema o sensor que está
Donde: midiendo la temperatura ambiente y realizando



 la debida compensación al circuito.



 D
Amplificación que debe ser dada a la ftem del

termopar referida a cero.
8.6.9. Arreglos de termopares.

Bo
Dentro de las aplicaciones del termopar a nivel industrial, es común encon-

trar circuitos de varios termopares acoplados adecuadamente entre si, con el
fin de modificar algunas caracteristicas del termopar o de adaptarse a condi-
ciones exigidas por el medio de trabajo o por el instrumento. Se estudian a
continuación tres de esos arreglos:
⊙ Montaje diferencial. El arreglo diferencial es un termopar ideal, el cual ha

sido abierto en un punto cualquiera ubicado dentro de uno de sus hilos,
tal como se muestra en la figura 8.28. Es empleado para obtener un
voltaje proporcional a la diferencia de las temperaturas en dos puntos
52
r
de medida.
do
Haciendo un análisis, previa definición de todos los potenciales de Pel-
tier y de Thomson y así mismo colocando un instrumento de medida
sencillo, como en el caso del termopar ideal de Seebeck, para cerrar el
circuito, la suma de todos estos potenciales dan, finalmente:
(8.72) tC1
vo (tC1 , tC1 ) = PA/B − PA/B
tC2
+ HAtC2 , tC1 − HBtC2 , tC1
tC1 , tC2
(8.73) vo (tC1 , tC1 ) = EA/B
(8.74) tC1 , 0
vo (tC1 , tC1 ) = EA/B − EA/B
tC2 , 0
El resultado es efectivamente la diferencia de los potenciales ocaciona-

dos por las temperaturas tC1 y tC2 en el termopar. Nótese que la salida
no depende de la temperatura tM .
rra
⊙ Termopila. Cuando la señal de salida es baja o se requiere mejorar la
relación señal-ruido, la termopila es el arreglo más utilizado para este
fin; dicho sistema se aprecia en la figura 8.29 y tal como allí se muestra
consiste en colocar varias termocuplas, preferiblemente del mismo tipo,
en serie, sumando sus respectivas salidas y todas ellas sometidas a la
Bo
Figura 8.28: Montaje diferencial.
53
8.6. Termopares.
r
misma temperatura de referencia y a la misma temperatura en la unión
de medida.
do
rra
Figura 8.29: Termopila.
De acuerdo con el arreglo, si se utilizan n termocuplas iguales y tal como

allí se muestra, la temperatura medida es la misma en todas ellas, así
como la temperatura de referencia, entonces el potencial total obtenido
de la termopila es:
tC , tR
(8.75) vTH (tC , tR ) = nEA/B
Bo
Como se puede ver es similar a incrementar n veces la sensibilidad del

termopar.
⊙ Promediador. Es un arreglo que permite obtener un valor de voltaje a

la salida, el cual es aproximadamente proporcional al promedio de las
diferentes temperaturas a que estan sometidas las uniones de medida
de los termopares que participan del arreglo.
La salida neta del arreglo, que se muestra en la figura 8.30, se obtiene
considerando a cada termopar como una fuente lineal dependiente de
54
r
la temperatura ti y con resistencia de salida Ro , igual para todos los
termopares. Con dichas aproximaciones y algo de cálculo se llega a:
do
1 ∑n
i=1 ti , tR
(8.76) vPR (ti ) = EA/B
n
El resultado muestra que el arreglo produce un potencial de salida que

es función del promedio de las temperaturas que afectan a los n termo-
pares.
8.6.10. Cables de extensión y de compensación.

Idealmente la termocupla se debería acoplar al instrumento con el mismo
hilo que la configura; no obstante esto puede presentar algunos inconvenien-
tes de tipo técnico o de tipo económico, a saber: alta resistividad del material,
lo que ocasiona desvanecimiento de señal y ruido; costos inviables en los ma-
rra
teriales de extensión; fragilidad y riesgo de ruptura de los hilos. Para superar
estos inconveniente se recurre a los cables de extensión y a los cables de
compensación.
⊙ Cables de extensión. Los cables o hilos de extensión estan fabricados de

la misma aleación o material de los hilos del termopar y por lo tanto
Bo
Figura 8.30: Promediador.
55
8.6. Termopares.
r
Denominación Composición Tolerancia Rango de trabajo
Tipo M1 &M2 τmín. /uV τmáx. /uV tmín. /◦ C tmáx. /◦ C
do
JX Fe&Cu-Ni 85 140 -25 200
TX Cu&Cu-Ni 26 60 -25 100
EX Ni/Cr&Cu/Ni 120 200 -25 200
KX Ni/Cr&Ni 60 100 -25 200
NX Ni/Cr/Si&Ni/Si 60 100 -25 200
Tabla 8.10: Cables de extensión.
presentan la misma curva de ftem. Sus especificaciones son menos

exigentes con el fin de bajar los costos. Para compensar el efecto de
crecimiento de la resistencia, si el material presenta una alta resistividad,
el cable se fabrica de mayor diámetro. Para la designación de los cables
rra
Figura 8.31: Cables de extensión.
de extensión, se le agrega la letra X al respectivo símbolo que identifica

el termopar. Por ejemplo JX es la designación del cable de extensión
para el termopar tipo J. En la Tabla 8.10 se encuentran algunos tipos de
cables de extensión con sus tolerancias y límites en temperatura.
Bo
En la figura 8.31 se presenta el esquema alusivo al arreglo con la inclu-

sión de los diferentes elementos que deben participar.
Para que la ftem no se afecte, con respecto a la que entregaría el termo-
par, se debe limitar el rango de la temperatura t2 y además los cables
A′ y B′ deben satisfacer la condición:
t2 , tR tR
(8.77) EA/B = EAt2′,/B ′
⊙ Cables de compensación. Cumplen la misma labor de los cables de ex-

tensión pero son de material diferente al de los hilos del termopar y
56
r
Denominación Composición Tolerancia Límite de temperatura
Tipo M1 &M2 τmáx. /uV tmáx. /◦ C
do
KCA Fe&Cu/Ni 100 150
KCB Cu&Cu/Ni 100 100
NC Ni/Cr/Si&Ni/Si 100 150
RCA Cu&Cu/Ni 30 100
RCB Cu&Cu/Ni 60 200
SCA Cu&Cu/Ni 30 200
SCB Cu&Cu/Ni 60 200
BC Cu&Cu 40 150
Tabla 8.11: Cables de compensación.
presentan un comportamiento tal que no modifican la tensión entregada

por la pareja de hilos A/B del termopar en cuestión.
rra
Para la designación de los cables de compensación, se le agrega la
letra C al respectivo símbolo que identifica el termopar. Por ejemplo JC
es la designación del cable de compensación para el termopar tipo J. Si
el termopar tiene mas de un cable de compensación , se cita el primero
como *CA y el segundo como *CB.
La tabla 8.11 presenta algunos cables de compensación con sus res-
pectivas tolerancias y límites en la temperatura de trabajo del cable.
8.6.11. Tipos de unión y encapsulado.

El espacio que permite la comunicación entre el punto caliente de los dos
ternoelementos de la termocupla y la zona donde se desea medir la tem-
peratura, debe estar dentro de un volumen pequeño para que el tiempo de
respuesta del arreglo completo sea corto y no se presenten diferencias entre
Bo
la temperatura del punto caliente y la temperatura del proceso, al momento de

realizar la lectura.
Así mismo, el punto de unión de los dos termoelementos debe estar pro-
tegido de tensiones mecánicas, materiales químicos agresivos a los compo-
nentes del termopar y de señales electricas que induzcan tensiones parásitas
o ruidos que alteren los niveles de referencia sobre los cuales se genera la
ftem.
Con el fin de dar algún nivel de protección contra los posibles efectos anterio-
res, se recomiendan algunas previsiones técnicas en el momento de fabrica-
ción del sensor, las cuales se pueden resumir en:
57
8.6. Termopares.
r
⃝ Asegurar la unión de los dos hilos del termopar con soldadura de estaño,
unicamente para trabajos en baja temperatura y para medidas de baja
do
calidad.
⃝ Asegurar la unión de los dos hilos del termopar para trabajos en altas
temperatura y medidas de alta precisión , con soldadura autogena, con
soplete de oxciacetileno o con soldadura de arco eléctrico.
⃝ Para cualquier caso, retorcer los hilos en las cercania de la soldadura

para dar mayor protección mecánica.
Los diferentes métodos de protección de la unión de medida establecen cier-
tas características y condiciones de uso en el termopar. Los encapsulados
más frecuentes para la unión de medida se muestran en la figura 8.32 y son:
rra
Figura 8.32: Tipos de capsulas para la unión de medida.
Bo
⃝ De soldadura aislada, el cual permite un aislamiento electrico y mecá-

nico del encapsulado con el sensor, evitando la mezcla de señales no
deseadas con la ftem del termopar y protegiendo a la unión de golpes o
tensiones mecánicas. Presenta una constante de tiempo térmica eleva-
da. Su disgrama estructural corresponde a la figura 8.32 (A).
⃝ De soldadura no aislada con el fin de mejorar la constante de tiempo

térmica. Esta modalidad coloca al sensor en comunicación galvánica
con el proceso. Su estructura es la de la figura 8.32 (B).
58
r
⃝ De soldadura desnuda para tener una baja inercia térmica y baja cons-
tante de tiempo, pero deja la unión esta expuesta a ataques quimicos,
do
o mecánicos o a señales eléctricas, debido al contacto directo con el
proceso. La figura 8.32 (C) presenta este caso.
⃝ Cuando el encapsulado de protección de un termopar está sujeto a altas

presiones o a choques por parte de sólidos, líquidos o gases, se reco-
mienda comunmente la utilización de termovainas mecanizadas como
la mostrada en la figura 8.33.
rra
Figura 8.33: Termocupla sellada.
8.7. Uniones semiconductoras.

El voltaje de una unión P-N en polarización directa, ya sea de un diodo o
de un transistor, presenta una alta dependencia de la temperatura, la cual es
Bo
considerada como una limitación en las aplicaciones formales de los circuitos

electrónicos. Este fenómeno es no lineal y poco repetitivo particularmente en
las uniones semiconductoras de los diodos; no obstante con un proceso de
fabricación especial se puede aprovechar en la construcción de sensores tér-
micos de calidad dentro del rango de −55 ◦ C hasta 150 ◦ C
Si la unión P-N se polariza en directo con una corriente constante, el volta-

je sobre ella mantiene una dependencia de la temperatura con una apreciable
linealidad y una pendiente que está entre de −2 mV/◦ C y −2, 5 mV/◦ C de-
pendiendo del nivel de corriente con que se polarice a la unión. En la fráfica
59
r
8.34 se muestra el desarrollo del voltaje en directo, vD sobre una unión P-N
polarizada con tres corrientes diferentes.
do
rra
Figura 8.34: Dependencia de vD con la temperatura.
Si se compara este resultado con el de una termocupla, se aprecia la su-

perioridad de la unión PN, pero no obstante quedan el rango de trabajo, que
no es superable y el nivel de off-set que, como se verá, puede ser manejable
con ayuda de la electrónica.
8.7.1. Estudio del sistema básico.

Bo
La repetibidad de los fenómenos térmicos en un diodo no son lo suficien-

temente precisos para algunas aplicaciones en la medición de temperatura;
es por esta razón que se prefiere utilizar el voltaje de la unión base-emisor de
un transistor, vBE , el cual ha sido polarizado con corriente constante.
El modelo de Ebers-Moll, expresa que la corriente del emisor de un transistor
es:
Isi ( qvBE /kT ) ( )

(8.78) IE = e − 1 − Isi eqvBC /kT − 1
αF
60
r


 IE
Corriente de polarización del emisor.



 Isi
Corriente de saturación inversa de la unión



 colector-base.
do



 αF
Relación de transferencia de corriente hacia


 adelante.
Donde: q
Carga del electrón. q = 1, 602 176 565 × 10−19 C



 v BE
Voltaje en la unión base-emisor.



 vBC
Voltaje en la unión base-colector.



 k
Constante de Boltzmann. k = 1, 380 648 8 ×



 10−23 J/K

T
Temperatura termodinámica.
Tomando en consideración que αF ≈ 1 y que se va a emplear la unión

base-emisor del transistor colocando en corto la unión base-colector (ver figu-
ra 8.35 (A)), con la ecuación 8.78 se llega a:
( )
rra
(8.79) IE = Isi e BE
qv /kT
−1
Bo
Figura 8.35: Arreglos para medición de T .
Cuando la juntura está en directo, eqvBE /kT ≫ 1, por lo tanto el vBE queda
61
r
expresado como:
( )
kT IE
do
(8.80) vBE = ln
q Isi
Aparentemente hay una dependencia simple de la temperatura, pero Isi agre-

ga una complejidad tanto en su expresión como en su comportamiento, dado
que:
( −qvϕ /kT
)
(8.81) Isi = CT m e


 C
Constante dependiente del tipo de dopado y de



 la estructura de la unión.



 T
Temperatura termodinámica.


 m
Constante dependiente de la técnica de fabrica-
rra



 ción. Generalmente está alrededor de 3


vϕ
Potencial de la barrera en la unión.Vale alrede-
Donde:

 dor de 1 120 mV a la temperatura ambiente.



 q
Carga del electrón. q = 1, 602 176 565 × 10−19 C



 vBE
Voltaje en la unión base-emisor. Esta alrededor



 de 1 200 mV



 k
Constante de Boltzmann. k = 1, 380 648 8 ×

10−23 J/K
La solución al problema planteado por Isi , es realizar un montaje diferen-

cial con dos uniones base-emisor como se muestra en la figura 8.35 (B)), que
permita eliminar o minimizar la influencia de dicha corriente en la variable que
informa sobre la temperatura de las dos junturas. Para esto, cada unión ha
sido polarizada con corrientes diferentes y la variable que informará, sobre la
Bo
temperatura, es la diferencia de los potenciales: vo :
( )
(8.82) I1 = Isi1 e BE1
qv /kT
−1
( )
(8.83) I2 = Isi2 eqvBE2 /kT −1
( )
kT I1
(8.84) vBE1 = ln
q I
( si1 )
kT I2
(8.85) vBE2 = ln
q Isi2
62
r


 I1
Fuente de corriente que polariza el emisor del transistor 1.



 I2
Fuente de corriente que polariza el emisor del transistor 2.

Isi1
Corriente inversa de saturación del transistor 1
do
Donde:

 Isi2
Corriente inversa de saturación del transistor 2



 vBE1
Voltaje base-emisor del transistor 1

vBE2
Voltaje base-emisor del transistor 2
Si los dos transistores elegidos permanecen a la misma temperatura T ,

son apareados y manejan aproximadamente las mismas variables de voltajes
y corrientes, la diferencia entre vBE1 y vBE2 permite llegar a:
( )
kT I1 Isi2
(8.86) vo = ln
q I I
( si1) 2
kT I1
(8.87) vo ≈ ln
q I2
vo se convierte en la expresión con dependencia lineal de la temperatura
rra
y soluciona la incertidumbre planteada por Isi .
La sensibilidad de este arreglo depende de la relación II21 , no obstante ésta no
se puede hacer muy grande pues se rompen las condiciones que brinda el
apareamiento de los transistores y podría llegarse a producir un autocalenta-
miento que altere en un valor considerable la medida de la temperatura. Si se
asume que II12 = e, la sensiblidad será:
( )
dvo k I1
(8.88) = ln
dT q I2
dvo
(8.89) = 86, 173 uV/K
dT
Aunque se reduce mucho la sensibildad con respecto a una unión PN, éste
es un valor que supera ligeramente a la termocupla más sensible y está en
posibilidad de ser mejorado electrónicamente.
Bo
8.7.2. Sensores integrados.

A partir del sistema básico estudiado se desarrollan una serie de arre-
glos, utilizando técnicas de procesamiento de semiconductores, permitiendo
corregir algunos defectos del sensor y mejorando en características como la
linealidad, la precisión de los voltajes de referencia, la presentación de seña-
les digitales asociadas a la medida, entre otras.
Se estudiarán dos tipos de circuitos particulares, los cuales son bases para
los sensores integrados de algunas casas comerciales:
63
r
⊙ Fuente dependiente de corriente. Paul Brokaw diseño, hacia 1974, una cel-
da que lleva su nombre, la cual es una fuente de referencia independien-
do
te de la temperatura.
El sistema suma dos potenciales, cada uno de ellos dependiente de la
temperatura con coeficientes de signo contrario, logrando variaciones
de 0, 000 5 %/◦ C en el voltaje de salida. Esta celda de Brokaw sensa
y produce los dos potenciales que responden en direcciones contrarias
con respecto a la temperatura; uno de ellos nos permite desarrollar una
rra fuente de corriente, la cual estudiaremos enseguida.
El diagrama simplificado para estudiar el sensor de temperatura logra-

do con esta celda, se muestra en la figura 8.36, donde se mantienen
dos corrientes iguales (IT /2, no necesariamente constantes), con el es-
pejo configurado por QE1 y QE2 . La corriente de la izquierda pasa por
un arreglo de 8 transistores (Q(8) ), estrictamente iguales y en paralelo,
quedando dividida en 8 partes iguales; la relación de cada una de estas
corrientes con el respectivo voltaje de base-emisor, sigue siendo la dada
por la ecuación 8.80.
La corriente del lado derecho atravieza el transistor Q1 y entra a formar
parte del vBE1 . La diferencia de los voltajes de las dos junturas se reco-
ge sobre la resistencia R produciendose una corriente dependiente de la
temperatura sin la participación de las corrientes inversas de saturación
de los transistores, dado que el transistor Q1 es identico a cualquiera
Bo
del grupo Q(8) .
En expresiones matemáticas esto es:
64
r
do
rra
Figura 8.36: Fuente de corriente dependiente de la temperatura.
( )
Bo
kT IT /16
(8.90) vBE(8) = ln
q Isi(8)
( )
kT IT /2
(8.91) vBE1 = ln
q Isi1
(8.92) vR = vBE1 − vBE(8)
( )
kT IT /2 Isi(8)
(8.93) vR = ln
q Isi1 IT /16
Dado que son transistores apareados y están trabajando en condiciones
65
r
do
rra
Figura 8.37: Fuente de voltaje dependiente de la temperatura.
similares, se realiza la aproximación Isi(8) ≈ Isi1 :
kT
(8.94) vR = ln 8
q
(8.95) vR = RIT /2
2 kT
(8.96) IT = ln 8
R q
En una de las aplicaciones comerciales se da un valor a R de 358 Ω
y esto da como resultado una fuente de corriente dependiente de la
temperatura termodinámica con sensibilidad de 1 uA/K.
Bo
⊙ Fuente dependiente de voltaje. Utilizando las mismas técnicas del voltaje

diferencial entre dos uniones base-emisor y el divisor de corriente de la
celda de Brokaw, se realiza un circuito para la obtención de un voltaje
dependiente de la temperatura termodinámica.
Un esquema simplificado de la fuente de voltaje se muestra en la figura

8.37; por medio del sistema realimentado, configurado por OPI y las dos
RI , se consiguen dos corrientes idénticas aunque no necesariamente
constantes; la corriente de la derecha pasa por Q1 y configura el voltaje
66
r
vBE1 ; la otra corriente I es sometida a una división en 10 partes iguales
en el grupo de transistores del paquete Q(10) del cual se obtiene el vol-
do
taje vBE(10) . La diferencia obtenida entre estos dos últimos potenciales
se recoje en R, con lo que se obliga que el potencial en la cadena R1 ,
R2 y R, mantenga un valor determinado por la temperatura del arreglo.
Las expresiones matemáticas del proceso son:
( )
kT I/10
(8.97) vBE(10) = ln
q Isi(10)
( )
kT I
(8.98) vBE1 = ln
q Isi1
(8.99) vR = vBE1 − vBE(10)
( )
kT I Isi(10)
(8.100) vR = ln
q Isi1 I/10
rra
Los 10 transistoeres del paquete Q(10) y Q1 son apareados todos entre
sí, esto permite asumir que Isi(10) ≈ Isi1 :
kT
(8.101) vR = ln 10
q
vR
(8.102) vT = (R1 + R2 + R)
R
Para un caso particular R1 +R2 +R, han sido ajustadas convenientemen-
te para que se de una fuente de voltaje dependiente de la temperatura
termodinámica con una sensibilidad de 10 mV/K.
En el mercado de los sensores a semiconductores, se encuentran tanto
fuentes de corriente como fuentes de voltaje para la medición de temperatura
en cualquier escala; es así como se puede tener sensibilidades mv/◦ C, mV/◦ F,
mV/K, uA/K, uA/◦ C, entre otros.
Bo
8.8. Autocalentamiento en sensores resistivos.

El suministro de energía eléctrica al sensor conlleva a un incremento de
su temperatura y, en el caso particular de los sensores térmicos, este incre-
mento se agrega a la temperatura medida provocando así una alteración en
la lectura.
La temperatura medida a un proceso con la ayuda de un sensor, es pro-
piamente la del sensor mismo. Esta temperatura depende de varios factores
y está plenamente determinada por:
67
r
do Figura 8.38: Elementos y variables de la conducción térmica.
⃝ El intercambio de energía entre el sensor y el ambiente y entre el sen-

rra sor y el proceso medido (mensurando). De este intercambio de energía
puede resultar una desviación en la medida, la cual puede darse tanto
en sensores resistivos como en sensores generadores u otros. Las con-
secuencias adversas de estos factores se minimizan realizando acoples
efectivos entre los medios que participan allí.
⃝ La energía de origen eléctrico aportada al sensor para el debido acon-

dicionamiento, la cual produce un incremento de la temperatura que no
depende del mensurando sino del sensor mismo y su reacción ante di-
cha energía. Este factor motiva un error de la lectura debido al efecto
Joule; para disminuir su efecto se debe elegir la polarización adecuada
y el método de acondicionamiento óptimo, dependiendo del sensor y del
proceso; no obstante y debido a que siempre va a existir, es necesario
establecer cuál es su nivel para realizar la correspondiente corrección.
Bo
8.8.1. Ley de óhm térmica.

Si se establece contacto entre dos ambientes S1 y S2 a temperaturas T1
y T2 , respectivamente, se presenta el paso de una variable flujo: la potencia
térmica, debido a la diferencia de las dos variables esfuerzo: las dos tempe-
raturas. La regulación de dicho flujo queda a cargo de la resistencia térmica,
Rθ 12 entre los dos ambientes. La figura 8.38 (A) presenta un diagrama en
bloques, de los elementos y variables del proceso.
Con el fin de llegar a un modelo racional aplicable a casos reales, se pue-
68
r
de hacer extensivo el modelo eléctrico que establece la ley de ohm: cuando
existen dos variables esfuerzo: los potenciales de voltaje, entre dos nodos di-
do
ferentes, se consigue la circulación de la variable flujo: la corriente eléctrica, a
través de un elemento regulador o limitador como lo es la resistencia eléctrica
entre los dos nodos. De acuerdo a esta similitud y utilizando el modelo eléc-
trico en el circuito térmico de la figura 8.38 (B), se obtiene la relación entre las
variables del circuito térmico de la figura 8.38 (C):
(8.103) T1 − T2 = Rθ12 pθ12

1
(8.104) T1 − T2 = pθ12
Gθ12


 T1 − T2
Diferencia de temperaturas entre los nodos térmicos. Simi-



 lar a la diferencia de voltajes entre nodos eléctricos.

 Rθ12
Resistencia térmica entre dos nodos térmicos. Similar a la
rra

Donde: resistencia eléctrica entre dos nodos eléctricos.



 pθ12
Potencia térmica que fluye entre los nodos térmicos. Similar



 a la corriente eléctrica que fluye entre dos nodos eléctricos.

Gθ12
Conductancia térmica. Inverso de la resistencia térmica.
8.8.2. Circuito térmico equivalente del proceso de medición.

En la medición de una temperatura, el sensor queda en contacto con el
mensurando y estos quedan inmersos en el medio ambiente tal como lo plan-
tea el diagrama de la figura 8.39 (A), donde se han discriminado los tres am-
bientes y sus tres temperaturas diferentes a saber:
⃝ Medio ambiente, SA , y temperatura del medio ambiente, TA .
⃝ Proceso, SX , y temperatura del mensurando, TX .

Bo
⃝ Sensor, SS , y temperatura del sensor, TS .
El diagrama de la figura 8.39 (A) ha sido modelado con un circuito térmico

equivalente presentado en la figura 8.40 (A), teniendo en cuenta todos los
ambientes y las variables que participan del proceso.
Si el sensor se polariza su temperatura queda afectada por el autocalen-

tamiento. El resultado se muestra en el circuito térmico de la figura 8.40 (B),
donde una fuente de potencia, pθJ , alimenta al nodo SS y la temperatura de
69
r
do
rra
Figura 8.39: Ambientes y variables en el proceso de medición de la tempera-
tura.
Bo
Figura 8.40: Circuitos térmicos de la medición de temperatura.
70
r
este nodo pasa a ser ahora TSs con el fin de tener en cuenta este efecto.
El autocalentamiento se define como el incremento generado en la tempera-
do
tura del sensor por el efecto joule y como consecuencia de la polarización del
mismo sensor. El autocalentamiento ∆T queda expresado como:
(8.105) ∆T = TSs − TS


 ∆T
Autocalentamiento.

TS
Temperatura del sensor provocada unicamente por su con-
Donde:

 tacto con el mensurando.

TSs
Temperatura del sensor incluido el autocalentamiento.
Dada la similitud del circuito térmico con el circuito eléctrico, se puede

aplicar aquí que la sumatoria entre las variables flujo que llegan y salen en un
nodo debe ser cero, tal como se hace en los circuitos eléctricos. Para el caso
rra
del nodo sensor, se tiene:
∑
(8.106) pSs = 0
(8.107) pθAS + pθXS + pθJ = 0
TA − TSs TX − TSs
(8.108) + + pθJ = 0
RθAS RθXS
 ∑

 pSs
Suma de todas las potencias térmicas y eléctricas que lle-



 gan al sensor .



 p θAS
Potencia térmica intercambiada entre el medio ambiente y


 el sensor.
Donde: pθXS
Potencia térmica intercambiada entre el mensurando y el



 sensor.
Bo



 pθJ
Potencia eléctrica suministrada al sensor.



 R θAS
Resistencia térmica entre el ambiente y el sensor.

RθXS
Resistencia térmica entre el mensurando y el sensor.
Los tres ambientes que participan del proceso deben estar dispuestos de
tal manera que:
⃝ La temperatura del medio ambiente no afecte a la temperatura del sen-
sor o, equivalentemente, que la conductancia térmica entre el sensor y
el ambiente valga cero: RθAS → ∞ o GθAS → 0.
71
8.9. Ejemplos sobre sensores de temperatura.
r
⃝ El sensor tenga contacto perfecto con el proceso de tal forma que sus
temperaturas sean lo más similares posibles, es decir, TS ∼ TX
do
Una vez cumpldas las premisas anteriores, las condiciones físicas y la dispo-
sición de los tres ambientes se asimila al esquema mostrado en la figura 8.39
(B). Bajo estas corcunstancias el resultado final se aproxima y resume como:
TS − TSs
(8.109) + pθJ = 0
RθXS
(8.110) ∆T = pθJ RθXS

1. Un sensor de temperatura integrado tiene una sensibilidad de 10 mV/◦ F
rra
y produce una salida vS (0 ◦ F) = 500 mV. Calcular la sensibilidad del
sensor en mV/◦ C. Si se desea convertir en un sensor con sensibilidad
de 10 mV/K con una salida vS (0 K) = 0 mV, determinar las caracterís-
ticas del arreglo.
Solución: Se halla la expresión de salida del sensor en función de la

temperatura en grados farenheit, f /◦ F y se traslada a depender de
la temperatura en grados celsius. c/◦ C; de esta útima expresión se
identifica la sensibilidad:
vSf (f /◦ F) f
= 10 ◦ + 500
mV F
9 c
f /◦ F = ◦ + 32
5 (C )
vSc (c/◦ C)
Bo
9 c
= 10 + 32
mV 5 ◦C
90 ◦
SSc = mV/ C
5
Para la transformación en un sensor que tenga como expresión de
salida:
vDSk (k/K) k
= 10 +0
mV K
72
r
se lleva a depender de la temperatura en kelvin, se le da una ga-
nancia desconocida g y se le agrega un pedestal p, también des-
do
conocido. Estas incognitas se identificarán al comparar esta nueva
expresión con la deseada para el sensor:
k
c/◦ C = − 273, 15
( ( K ) )
vSk (k/K) 9 k
= 10 − 273, 15 + 32 + 500
mV 5 K
vSk (k/K) 90 k
= − 273, 15 × 10 × 9/5 + 500
mV 5 K
vSk (k/K) 90 k
= − 4 096, 7
mV ( 5 K )
vdSk (k/K) 90 k
=g − 4 096, 7 + p/mV
mV 5 K
rra
Como vDSk y vdSk deben ser iguales, entonces:
9
g=
5
p = 4 096, 7 mV
2. ¿Cuál es la longitud del alambre de platino requerido, para fabricar un

sensor RTD que presente R(100) = 150 Ω, utilizando un hilo de sección
1 000 × 10−8 cm2 ?
Solución: Se calcula la R(0) con los parámetros de la tabla 8.3 y a
partir de la ecuación 8.14:
R(0) R(100)/Ω
( ) ◦ ( )( )
Bo
= −1
Ω ◦
1 + α1 / C (t/ C) + α2 /◦ C−2 t2 /◦ C2
R(0) = 108, 394 8 Ω
Con la expresión que relaciona longitud, l, área, A y resistividad, ρ,

en una resistencia, se obtiene:
ρ(0)l(0)
R(0) =
A(0)
l(0) = 110, 269 3 cm
73
r
Solución:
do
rra
Figura 8.41: Ejemplo de acondicionamiento de un Pt 100.
3. Hallar la corriente máxima que puede soportar el sensor Pt 100 (norma

IEC 60751; ver tabla 8.4) de la figura 8.41, si se exige un error por
autocalentamiento menor o igual a 0, 05 ◦ C.
El rango de trabajo del sistema esta entre 0 ◦ C y 300 ◦ C, la ganancia
del amplificador de instrumentación es g = 12 y VN = 5 000 mV; si
la salida cumple con que vA (0) = 0 mV, determinar si el sensor está
Bo
debidamente polarizado.
La potencia máxima que puede soportar el sensor, con una corrien-

te definida, IP , se expresa como IP2 RSmáx. (tS ) y este sensor llega
a su máximo valor en el extremo del rango de trabajo. Con ayuda
de la ecuación 8.110 y el criterio anterior, se obtiene la corriente
máxima con que se puede operar el Pt 100:
74
r
∆tSmáx = pθJmáx. RθXS
do
IP2 RS (300)RθXS ≤ 0, 05
( )
RS (300) = 100 1 + 3, 908 3 × 10−3 × 300 − 5, 775 × 10−7 × 3002
RS (300) = 212, 051 5 Ω
√
0, 05
IP ≤ A
212, 051 5 × 50
IPmáx. = 2, 171 mA
El valor de RS (300) para el Pt 100, se puede, igualmente, extraer

de la tabla 2 xx del anexo.
Para determinar si el sensor está debidamente polarizado, se es-
tablece la expresión de salida del sistema, se obliga que vA (0) =
0 mV y de allí se obtiene el valor de IP que soporta dicha situación:
rra
vA (tS ) = gIP RS (tS ) + VN
vA (0) = gIP RS (0) + VN
VN
IP =
gRS (0)
5 000
IP = mA
12 × 212, 051 5
IP = 1, 964 93 mA
Como esta corriente está por debajo de IPmáx. , se concluye que el

sensor si está bien polarizado.
Bo
4. Calcular la ftem producida por un termopar tipo J cuya temperatura de

referencia, tR , es 25 ◦ C y la del punto de medida o punto caliente, tC , se
encuentra en 150 ◦ C.
Solución: La ftem del termopar se puede expresar, de acuerdo a la ley

de temperaturas sucesivas como:
EJ150, 25 = EJ150, 0 − EJ25, 0
Cada uno de los potenciales de la expresión anterior, teniendo en

cuenta que están referidos a 0 ◦ C, se hallan en la tabla respectiva
75
r
del termopar tipo J en el anexo XX:
EJ150, 0 = 8, 010 mV
do
EJ25, 0 = 1, 277 mV
EJ150, 25 = 6, 733 mV
5. Un termopar de tipo desconocido produce una ftem de 5, 4 mV en la

condición tR = 19 ◦ C y tC = 200 ◦ C. Hallar que tipo de termopar es.
Solución: De acuerdo a LTS y siguiendo las condiciones de las tablas

de los termopares, la ftem está constituida por la diferencia de dos
potenciales referidos, cada uno a cero grados celsius. Se debe
buscar en todas las tablas de los termopares, cuál de ellos, en
esas temperaturas conocidas, produce una diferencia igual o muy
cercana a la planteada en la prueba:
rra
EX200, 19 = EX200, 0 − EX19, 0
EE200, 19 = 12, 290 mV
EJ200, 19 = 9, 811 mV
ET200, 19 = 8, 539 mV
EK200, 19 = 7, 380 mV
EN200, 19 = 5, 414 mV
ER200, 19 = 1, 364 mV
El más aproximado es el termopar tipo N. No se hacen pruebas

con los tipo S y B, dado que el resultado de la prueba va a dar por
debajo de la del tipo R, debido a su baja sensibilidad.
Bo
6. El sistema de acondicionamiento para la termocupla tipo K de la figura

tC , 0
8.42, debe entregar como salida vA (tC ) = 250EK , en el rango de
◦ ◦
50 C a 450 C. Para obtener el CUF se dispone de una fuente de
voltaje dependiente de la temperatura ambiente, cuya sensibilidad es
Sdt = 10 mV/◦ C y su salida en cero vale 0 mV. El compensador trabaja
en el rango de 10 ◦ C a 40 ◦ C.
Hallar la ganancia requerida en el amplificador de instrumentación y los
valores más adecuados para todas las resistencias.
Solución: Se hallan, en primer. lugar los potenciales que configuran la
76
r
salida:
vdt (tA ) tA
do
= 10 ◦
mV C
vCUF (tA ) R4 vdt (tA )
=
mV R3 mV
vCUF (tA ) R4 tA
= 10 ◦
mV R3 C
vA (tC ) E tC , tA vCUF (tA )
=g K +
mV mV mV
tC , 0 tA , 0
vA (tC ) EK EK R4 tA
=g −g + 10
mV mV mV R3 ◦ C
La salida debe ser independiente de tA , por lo tanto:

rra
dvA (tC )
=0
dtA
dEKA
t ,0
dvA (tC ) R4
= −g + 10
dtA dtA R3
dE A
t ,0
Para hallar dKtA , se obtiene la ecuación empírica (ee) del ter-
mopar en el rango de la temperatura ambiente. Puede emplearse
cualquier método y aproximación; en este caso se hallará la se-
cante entre los puntos extremos del rango. De la tabla de datos del
10, 0
termopar tipo K se obtiene EK = 0, 397 mV y EK40, 0 = 1, 612 mV:
tA , 0
EKee tA
= 0, 040 5 ◦ − 0, 008
Bo
mV C
tA , 0 tA , 0
dEK dEKee
≈ = 0, 040 5 mV/◦ C
dtA dtA
Se llega a una ecuación que relaciona algunas de las incognitas:
R4
−0, 040 5g + 10 =0
R3
tA , 0
Se da por compensado el término gEK , despreciando el nivel
77
r
do
rra
Figura 8.42: Ejemplo termopar con amplificador y CUF.
0, 008 mV; esto es:

gEKtA , 0 ≈ gEKee
tA , 0
( )
tA
gEK ≈ g 0, 040 5 ◦ − 0, 008
tA , 0
C
tA
gEKtA , 0 ≈ 0, 040 5g ◦
C
tA R4 tA
0, 040 5g ◦ = 10 ◦
C R3 C
Bo
Conocidas las expresiones para la salida obtenida del circuito, vAob (tC )
y la salida solicitada, vAso (tC ), se concluye sobre el valor de g :
vAob (tC ) = gEKtC , 0

vAso (tC ) = 250EKtC , 0
∴ g = 250
Sin contar con R1 ni R2 , quedan 4 incognitas y solo hay dos ecua-

ciones, esto permite elegir dos de las incognitas. Se elige R4 =
R6 = 1 000 Ω:
78
r
R4 250 × 0, 040 5
=
do
R3 10
1 1 1 1
+ = +
R3 R5 R4 R6
R3 = 9 876, 5 Ω
R5 = 526, 66 Ω
∴ g = 250
Para la elección de R1 y de R2 , se busca que la resistencia neta

a tierra desde cada una de las entradas al amplificador de instru-
mentación sea igual y se toma un valor no muy alto, por ejemplo
R1 = R2 = 2 000 Ω
7. Un termopar tipo J trabajando en forma diferencial como se aprecia en la

rra
figura 8.43, utiliza una fuente de corriente dependiente de la temperatura
como base para el CUF, con sensibilidad de 1uA/K. El rango de la
temperatura de trabajo va de 0 ◦ C a 700 ◦ C y el de la temperatura
ambiente está entre 10 ◦ C y 40 ◦ C. Si R1 = 5, 170Ω, hallar la expresión
de salida del acondicionador.
Solución: La fuente dependiente del CUF depende de la temperatura

termodinámica y se requiere llevar esa dependencia a la tempera-
tura Celsius:
idt (TA ) TA
=1
uA K
( )
idt (tA ) tA
=1 ◦ + 273, 15
uA C
Se hallan las componentes de salida del sistema, previa conversión

Bo
de las unidades de vCUF (tA ) a mV:
vCUF (tA ) R1 idt (tA )

=
uV Ω uA( )
vCUF (tA ) −3 R1 tA
= 10 + 273, 15
mV Ω ◦C
vA (tC ) EJtC , tA vCUF (tA )
=g +
mV mV mV
vA (tC ) EJtC , 0 EJtA , 0 R1 tA R1
=g −g + 10−3 ◦ + 273, 15 × 10−3
mV mV mV Ω C Ω
79
r
do
rra
Figura 8.43: Ejemplo de termopar diferencial compensado.
Se requiere la ecuación empírica del termopar alrededor de la tem-

peratura ambiente. De la Tabla del termopar tipo J se consigue que
EJ10, 0 = 0, 507 mV y EJ40, 0 = 2, 059 mV, por lo tanto, haciendo un
modelo secante, la ecuación empírica es:
tA , 0
EJee tA
= 0, 051 7 ◦ − 0, 009
mV C
Bo
Haciendo la aproximación entre EJtA , 0 y EJee

tA , 0
, la expresión de sa-
lida queda:
( )
vA (tC ) EJtC , 0 tA
=g − g 0, 051 7 ◦ − 0, 009
mV mV C
R1 tA R1
+ 10−3 ◦ + 273, 15 × 10−3
Ω C Ω
80
r
De su derivada con respecto a tA , se consigue el valor de g :
dvA (tC )
do
=0
dtA
0 = 0, 051 7g + 10−3 R1
5 000 × 10−3
g=
0, 051 7
g = 100
Finalmente, la salida queda:
vA (tC ) EJtC , 0
= 100 − 0, 009 × 100 + 0, 273 15 × 5 170
mV mV
vA (tC ) EJtC , 0
= 100 + 1 411, 28
mV mV
rra
Bo
81

Sensores de Temperatura

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Sensores de Temperatura

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

luis

8.6.6. Modelos de trabajo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

⊙ temperatura. Propiedad que caracteriza el grado de calentamiento de un

⊙ calor. Energía total del movimiento molecular de un cuerpo.

⊙ conducción térmica. Difusión del calor a través de un material, sea este

⊙ convección térmica. Transferencia del calor por movimiento de un fluido.

⊙ radicación.Transferencia de calor por ondas electromagnéticas.

⊙ Punto de ebullición. Nivel de temperatura en el cual quedan en equilibrio

⊙ punto de fusión. Nivel térmico donde convergen en equilibrio las fases

⊙ punto triple. Estado donde convergen las tres fases simultáneamente y

esto alrededor de la termometría. A continuación un resumen de lo estableci-

⊙ La unidad de temperatura Celsius es el grado Celsius, símbolo ◦ C, que

⊙ Las temperaturas que se han medido según ITS-90 están marcadas

⊙ Es práctica corriente la expresión de una temperatura por su diferencia

(8.1) t/◦ C = T /K − 273, 15

⊙ La ITS-90 se extiende desde 0,65 K hasta la temperatura más elevada

⊙ Los puntos fijos de la ITS-90: Tr , F y C , los cuales son referentes para

Tabla 8.1: Rangos y métodos de la ITS-90

Tabla 8.2: Definición de puntos fijos ITS-90

8.3.1. Escala absoluta de kelvin.

8.3.3. Escala derivada de celsius.

8.3.4. Escala derivada de fahrenheit.

⊙ r. Magnitud temperatura, expresada en la unidad grado rankine.

⊙ c. Magnitud temperatura, expresa en la unidad grado celsius.

⊙ f . Magnitud temperatura, expresada en la unidad grado fahrenheit.

En la figura 8.2 se muestran los puntos más relevantes y relacionados

entre las cuatro escalas, para las cuatro magnitudes.

8.3.5. Equivalencias entre escalas.

De la confrontación de las escalas en planos bidimensionales y de los da-

8.4. Métodos de medición de temperatura.

⊙ Métodos no eléctricos. Estan soportados por el cambio del estado de una

⊙ Métodos de radiación. Los métodos analizados anteriormente requieren

8.5. Sensores resistivos.

En los metales la conductividad eléctrica decrece con la temperatura, debi-

En los semiconductores la conductividad es fundamentalmente controlada

Dinamicamente los sensores térmicos resistivos se comportan como siste-

8.5.1. RTD: Sensor resistivo de temperatura.

La expresión general que gobierna la relación resistencia-temperatura en

La ecuación 8.13, presenta diferentes alternativas dependiendo del metal

Un promedio de los parámetros α1 y α2 , utilizando la temperatura en ◦ C, se

(8.15) R(T ) = R(0) (1 + αT )

Para efectos de emplear el modelo polinomial con referencia en 0 ◦ C, la

Tabla 8.3: Parámetros promedio de los RTD

Cuando no se desea utilizar el modelo matemático o no se dispone de los

El platino es uno de los sensores resistivos más precisos en la medición

El estandar DIN/IEC 60751 requiere que el RTD de platino tenga R(0) =

Aunque su curva resistencia vs. temperatura es relativamente lineal, las apli-

Tabla 8.4: Coeficientes de Callendar-Van Dusen para platino

La tabla 8.4 muestra los coeficientes de Callendar-Van Dusen para algu-

Aspectos del acondicionamiento de la RTD.

En la figura 8.4 se muestra un modelo de acondicionamiento a dos hilos y

El método de acondicionamiento más recomendado es el de 4 hilos, dos

Para reducir costos existe la alternativa de medición a tres hilos (figura

Los valores resistivos más empleados en el RTD de platino son R(0) =

⊙ Bobinado de alambre Es la forma más simple y consiste en un núcleo

⊙ Enrollado Consiste en la misma bobina anterior, pero autosoportada o

se expanda y contraiga sin que sienta la influencia de otros elementos

El niquel es un material menos costoso que el platino y presenta un α =

La estabilidad del termistor depende del proceso de fabricación y de las

El modelo de este sensor viene dado como:

(8.20) R(T ) = R(T0 )eβ(1/T −1/T0 )

La figura 8.8 presenta una familia de curvas características para termisto-

El coeficiente de cambio con la temperatura, para el tesmistor, conocido