LABORATORIO 7: PARÁMETROS DEL

TRANSISTOR BIPOLAR.
JULIO ENRIQUE BORRERO AYALA.
Valle del Cauca, FCECEP
Cali, Colômbia.

 ABSTRACT  Identificar los terminales del transistor

 Analizar el comportamiento de la tensión y la
In this laboratory, the characteristics of a bipolar
corriente al pasar por sus terminales
transistor will be identified, as well as well as the
 Aplicar los transistores en el circuito
identification of the terminals of a BJT through a
electrónico para comprobar la teoría vista en
simulation program clase

 RESUMEN 4. MARCO TEÓRICO.

En este laboratorio se identificarán las Tipos de transistores BJT y sus símbolos

características de un transistor bipolar, así como
también la identificación de los terminales de un
BJT a través de un programa de simulación
1. INTRODUCCIÓN
El desarrollo del presente laboratorio tiene por
objeto recordar los conceptos teóricos manejados
en clase, así como el reconocer y aplicar la
función que tienen sus terminales para el aumento
de la corriente y disminución de la tensión en un
circuito electrónico.
El BJT es de naturaleza bipolar, pues la corriente
producida es debido al aporte de los portadores
negativos (e-, electrones) y positivos (h+, hoyos).
Consiste en dos junturas p-n y posee tres
terminales los que son llamados Emisor (E), Base
(B) y Colector (C). El BJT puede ser tipo npn o
pnp, su estructura y símbolo se muestra en la Fig.
1, la flecha indica la dirección normal de la
corriente y define la polaridad de la tensión base-
emisor. No es un dispositivo simétrico, pues
intercambiando el emisor por el colector se
obtienen resultados distintos.

2. MATERIALES.
 Simulator Proteus
 Calculadora
 Cuaderno
 Computador
 Internet
 Guía

3. OBJETIVOS Figura 1: Símbolos del transistor. (a) npn. (b) pnp

 Identificar las características de un transistor

bipolar
 Conocer y aplicar el funcionamiento de los
transistores BJT en circuitos electrónicos
Funcionamiento del transistor BJT
En una configuración normal, la unión base-
emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica
los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y
llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el
campo eléctrico que existe entre la base y el
colector.
Un transistor npn puede ser considerado como
dos diodos con la región del ánodo compartida.
En una operación típica, la unión base-emisor
está polarizada en directa y la unión base-colector
está polarizada en inversa. En un transistor npn,
por ejemplo, cuando una tensión positiva es
aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio
entre los portadores generados térmicamente y el
campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados térmicamente inyectarse en la región de
la base. Estos electrones "vagan" a través de la
base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja
concentración cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores
minoritarios debido a que la base está dopada con
material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en
mucho menos tiempo que la vida útil del portador
minoritario del semiconductor, para minimizar el
porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unión base-colector. El
espesor de la base debe ser menor al ancho de
difusión de los electrones.
Tipos de transistores FET y sus símbolos
El canal de un FET es dopado para producir tanto
un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenaje
y la fuente deben estar dopados de manera
contraria al canal en el caso del MOSFET de
enriquecimiento, o dopados de manera similar al
canal en el caso del MOSFET de agotamiento.
Los transistores de efecto de campo también son
distinguidos por el método de aislamiento entre el
canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto
campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-
Effect Transistor) usa un aislante (normalmente
SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una
unión p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor) substituye la unión PN del JFET con
una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor),
también denominado HFET (heterostructure
FET), la banda de material dopada con "huecos"
forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del
transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect
Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un
dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje
drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun
así los Power MOSFET todavía son los
dispositivos más utilizados en el rango de
tensiones drenaje-fuente de 1 a 200 de voltaje(V).
Los FREDFET es un FET especializado diseñado
para otorgar una recuperación ultra rápida del
transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que
actúa como biosensor, usando una puerta
fabricada de moléculas de ADN de una cadena
para detectar cadenas de ADN iguales.
Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de
silicio policristalino.
Canal N (izquierda) Canal P (derecha)
Terminales Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente
(S)
Funcionamiento del transistor FET
La corriente de drenador (ID) funciona a medida
que varíe el voltaje compuerta-fuente (VGS). Si
este voltaje es 0 entonces la corriente que fluye
entre la fuente y el drenador es máxima; esto
quiere decir, cuando el voltaje de la compuerta y
la fuente son iguales. Cuando el voltaje de la
compuerta empieza a disminuir en ese valor,
empieza a circular menos corriente entre S
(fuente) y D (drenador).
Siempre se debe polarizar inversamente a GS y a
GD
La variación de VGS hará que la corriente
aumente o disminuya desde un punto de
saturación a uno de corte.
Existen los FET de empobrecimiento que a
medida que VGS disminuye provocan que ID
disminuya y los de enriquecimiento, que ID
aumente.
La unión compuerta-fuente se polariza siempre en
inverso. O sea la fuente con una mayor tensión
que la compuerta
La curva característica del FET es la curva que
relaciona ID con VGS
La ganancia  de un transistor bipolar
El transistor bipolar es un amplificador de
corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregará por otra (emisor), una
cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es
un dato propio de cada transistor. Entonces:
*IC (corriente que pasa por la patilla colector) es
igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente
que pasa por la patilla base).
*IC= ß x IB
*IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es
igual a (ß+1) x IB, pero se redondea al mismo valor
que IC, sólo que la corriente en un caso entra al
transistor (PNP) y en el otro caso de sale él (NPN),
o viceversa.
Curva de transferencia de un transistor bipolar
Curva de transferencia de un transistor real para
una corriente de base dada se muestra en la
imagen a la izquierda.
Curvas de transferencia del transistor bipolar para
diferentes corrientes de base. Ver zonas de
saturación y de corte (imagen de la derecha)
En la imagen de la derecha las corrientes de base
(IB) son ejemplos para poder entender que a más
corriente la curva es más alta
 5. PROCEDIMIENTO VCE(V) IC(mA) VBE(V)
Siguiendo las directrices del docente y la guía 0 0 0.54
entregada, se montaron los circuitos solicitados 1 0.48 0.65
en el simulador Proteus. 1.5 0.48 0.65
2 0.48 0.65
Una vez montado el circuito en el simulador se
puso a correr para tomar los datos y llenar las 2.5 0.49 0.65
tablas que serían de análisis 3 0.49 0.65
3.5 0.5 0.65
Se procede a hacer el análisis con las variantes y
4 0.5 0.65
con la teoría se crean las conclusiones.
4.5 0.51 0.65
6. TABLAS 5 0.51 0.65
. 5.5 0.52 0.65
TABLA 1. Características de transferencia para
6 0.52 0.65
P1
6.5 0.53 0.65
VB(V) IB(µA) IC(mA) VBE(V) VCE(V) 7 0.53 0.65
0 0 0 0 12 7.5 0.53 0.65
0.1 0 0 0.12 12 8 0.54 0.65
0.2 0 0 0.24 12 8.5 0.54 0.65
0.3 0 0 0.36 12 9 0.55 0.65
0.4 0 0 0.48 12
9.5 0.55 0.65
0.5 0 0 0.55 12
10 0.56 0.65
0.6 0.07 0.02 0.57 12
0.7 0.25 0.07 0.60 11.9 10.5 0.56 0.65
0.8 0.47 0.14 0.62 11.9 11 0.57 0.65
0.9 0.71 0.21 0.63 11.8 11.5 0.57 0.65
1 0.94 0.29 0.64 11.7 12 0.58 0.65
1.2 1.19 0.36 0.64 11.6
1.5 1.92 0.58 0.65 11.4
2 2.92 0.87 0.67 11.1
2.2 3.42 1.01 0.67 11
2.5 3.92 1.15 0.67 10.08
3 5.17 1.51 0.68 10.05

TABLA 2. Características de salida

IB=1,90µA
TABLA 3. Características de salida TABLA 4. VDD variable y VGS=0V
IB=1,57µA

VDD(V) ID(mA)
VCE(V) IC(mA) VBE(v)
0 0
0 0 0.57
0.5 6.13
1 1.27 0.68 1 9.63
1.5 1.28 0.68 1.5 10
2 1.29 0.68 2 10
2.5 1.3 0.68 2.5 10
3 1.32 0.68 3 10
3.5 1.33 0.68 3.5 10
4 1.34 0.68 4 10
4.5 1.36 0.68 4.5 10
5 10
5 1.37 0.68
5.5 10
5.5 1.38 0.68
6 10
6 1.4 0.68 6.5 10
6.5 1.41 0.68 7 10
7 1.42 0.68 7.5 10
7.5 1.43 0.68 8 10
8 1.44 0.68 8.5 10
8.5 1.46 0.68 9 10
9 1.47 0.68 9.5 10
9.5 1.49 0.68 10 10
10.5 10
10 1.5 0.68
11 10
10.5 1.51 0.68
11.5 10
11 1.52 0.68 12 10
11.5 1.53 0.68
12 1.54 0.68
TABLA 5. VDD =12 V y VGS variable Imagen 2: Montaje con transistor 2N3904
variando potenciómetro (VR 2) con IB=1,90µA

VDD(V) ID(mA)
0 10.0
0.1 8.11
0.2 6.41
0.3 4.91
0.4 3.60
0.5 2.50
0.6 1.60
0.7 0.90
Imagen 3: Montaje con transistor 2N3904
0.8 0.40
variando potenciómetro P2
0.9 0.10
1 0
1.1 0
1.2 0
1.3 0
1.4 0
1.5 0
1.6 0
1.7 0
1.8 0
1.9 0
2 0

Imagen 4: Llenado de tabulado

7. REGISTRO DE EVIDENCIAS

Imagen 1: Montaje con transistor 2N3904

variando potenciómetro (VR1)
Imagen 5: Llenado de tabulado Imagen 7: Montaje con transistor 2N5459 VDD
=12 V y VGS =0,5V

Imagen 8: Montaje con transistor 2N5459 VDD

=1,5 V y VGS =0V

Imagen 6: Montaje con transistor 2N5459 VDD

=12 V y VGS =0V

Imagen 9: Montaje de los dos circuitos en una

misma págin de Proteus

8. ANÁLISIS Y RESULTADOS
Se hizo el laboratorio en un simulador. En este
caso Proteus y se apoyo con informacion de la
guia .
Dadas las condiciones de salud que se estan 3. ¿Cuál es la ganancia de corriente del
viviendo a nivel global, el presente laboratorio fue transistor, según los valores de la tabla 7?
realizado en similador y para ello se utilizo el R//
Proteus, siguiendo lass indicaciones dadas en la
guia docente. TABLA 7 β =IC/IB
IC(mA) IB(µA) β
9. CONCLUSIONES
0 0
Los reguladores Integrados pueden ser muy utiles 0 0
cuando necesitamos un circuito donde en su 0 0
voltaje de salida para alimentar cualquier
0 0
componente tenga que ser un valor estable y
0 0
menor al voltaje de entrada. Gracias a estos
circuitos se puede jugar con los componentes de 0 0
un circuito y asi dar mas funcionalidad y poder 0,02 0,07 286
integrar mas cosas en un solo circuito. 0,07 0,25 280
0,14 0,47 298
10. PREGUNTAS Y RESPUESTAS.
0,21 0,71 296
1. ¿Qué efecto produce en la corriente del 0,29 0,94 309
colector un aumento en la polarización del 0,36 1,19 303
emisor? 0,58 1,92 302
R// De acuerdo al ejercicio el aumento en la 0,87 2,92 298
polarización del emisor hace que incremente la 1,02 3,42 298
corriente del colector 1,17 3,92 298
1,53 5,17 296
2. Calcular el valor de la corriente de emisor para
cada par de valores de la tabla 6
4. ¿Qué se observa al comparar las curvas
R//
características de VCE respecto de IC
obtenidas de forma experimental (tabla 2 y 3)
TABLA 6 IB(µA)+IC(mA)=IE(mA) con las que publica el fabricante para el
2N3904. Explicar alguna discrepancia
IB(µA) IC(mA) IE(mA)
0 0 0 R// Lo que se puede observar de acuerdo al
0 0 0 ejercicio, la tabla del fabricante es que cuando la
0 0 0 Ic llega un voltaje determinado, la corriente del
0 0 0 colector es casi estable.
0 0 0
0 0 0
0.07 0.02 0.02
0.25 0.07 0.0702
0.47 0.14 0.0141
0.71 0.21 0.211
0.94 0.29 0.291
1.19 0.36 0.3612
1.92 0.58 0.582
2.92 0.87 0.873
3.42 1.02 1.023
3.92 1.17 1.174
5.17 1.53 1.535
5. Grafique la tabla 1 (IC en función de IB) 8. Grafique la tabla 5 (ID en función de VGS)
R// R//
12
10
8
6

ID(mA)
4
2
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
VDD(V)

 De acuerdo al laboratorio para el montaje

se pudo identificar claramente cuáles los
pines del BJT
 Se identificó que al aumentar el VBE la
corriente IE se incrementa.
6. Grafique la tabla 2 y 3 (IC en función de VCE)
 Se pudo ver que los valores de las
R//
diferentes variables del laboratorio se
acercaban a las del fabricante.
 Con el laboratorio se pudo observar cómo
es el comportamiento de los transistores
en un circuito.
 El ejercicio permitió identificar con la
herramienta de simulación los parámetros
del transistor.
 Con los voltajes obtenidos se pudo
establecer la cantidad de corriente que
atraviesa cada terminal

1. BIBLIOGRAFIA.

 https://www.studocu.com/es/document/univer
sidad-del-quindio/electronica-
7. Grafique la tabla 4 (ID en función de VDS) i/informe/informe-laboratorio-3-4-bjt-y-
R// jfet/5276718/view
 https://moodle.cecep.edu.co/moodle/pluginfile
.php/14412/mod_resource/content/1/POLARI
ZACION%20DEL%20BJT.pdf
 http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRO
NICA/BJTH.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_ef
ecto_campo