BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA.

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA.

INGENIERÍA EN MECATRÓNICA.
ASIGNATURA: SISTEMAS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA.
TEMA: IGBT.
AUTORES: Cu Arroyo Jamin
Diego González José Juan
Razo Romero Jesús
Sánchez Corona Brenda
PROFESOR: VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO.

I) Introducción al tema.

El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor o en español transistor bipolar de

puerta aislada) es un semiconductor de características combinadas de los transistores
MOSFET y los BJT, esto es: tiene la capacidad de excitarse como un MOSFET a la
par que tiene las propiedades de conducción de corriente de un BJT. Por ello son
capaces de manejar altas tensiones de bloqueo, conducir intensidades bastante
elevadas y ser controlado con facilidad mediante voltaje.
El primer transistor IGBT fue creado en los años 80’s, la primera generación de estos
transistores era propensa al fallo, la segunda y la tercera generación fueron
mejorando, obteniendo mayor velocidad y excelente robustez así, como mayor
tolerancia a la carga.

Figura 1 Símbolo y circuito equivalente del IGBT

Estructura de un IGBT

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una
acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de
manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n
se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del
transistor de unión bipolar de PNP.

Figura 2: Estructura de un MOSFET Y UN IGBT.

Este dispositivo posee la característica de las señales de puerta de los transistores de

efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. En
la figura 3 se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines
Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).

Figura 3: Estructura interna de un IGBT.

Funcionamiento

En el estado de bloqueo la tensión VGS es nula. Al aplicar un voltaje VGS en la puerta el

transistor IGBT comienza a conducir, la corriente ID es mayor cuanto mayor es la tensión
aplicada a la puerta siempre y cuando el emisor esté polarizado positivamente frente al
colector. Si esto no es así, estaremos en la región de VDS negativa y el transistor
trabajará en la zona de corte. No conducirá ninguna corriente. Si la tensión de bloqueo
VDS supera un cierto valor máximo tanto en el umbral de trabajo positivo como negativo,
el dispositivo entrará en avalancha.

Figura 4: Curva de funcionamiento del IGBT.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede

causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo,
en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La

transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los
50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae
a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene
bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.

II) Circuito principal de apoyo

 Figura 4: Circuito de apoyo elaborado en Multisim.

Al polarizar el IGBT de manera directa entre colector y emisor (cerrando el switch S1) el
foco permanecerá apagado mientras no se aplique tensión al gate. Al cerrar el switch S2,
el IGBT conmuta a su estado de baja impedancia y empieza a conducir entre colector y
emisor, encendiendo el foco.

Uno de los problemas más frecuentes que se presentan en el funcionamiento de

un IGBT es la presencia del Latch-Up, este es la creación inadvertida de una
resistencia eléctrica entre el suministro de energía de un circuito MOSFET,
creando así una estructura parásita la cual inhabilita su correcto funcionamiento, y
da lugar a un posible daño debido a una sobrecarga.

Causa: Un componente de la corriente de huecos viaja en forma recta entre

drenaje-fuente. La mayoría de éstos es atraída por la capa de inyección. Esto
produce una componente de la corriente a través del cuerpo P desarrollando una
tensión. Esto polariza la unión P-N+, por lo que, si la tensión es lo bastante
grande, ocurre una inyección de electrones desde la fuente hasta la zona del
cuerpo y así activando el tiristor parásito.

Como evitarlo: El usuario tiene la responsabilidad de diseñar circuitos que

reduzcan corrientes en exceso. El fabricante puede incrementar la corriente crítica
necesaria para iniciar el Latch-Up disminuyendo la resistencia de extensión del
cuerpo P. Esto se puede hacer de dos formas:
La región del cuerpo P se particiona en 2 zonas con densidades de dopaje
distintos: la zona del canal donde se forma la inyección está dopada
moderadamente y la otra zona del cuerpo P debajo de la fuente N+ se dopa
mucho más. Esto hace que la resistencia lateral sea más pequeña. Véase la
ilustración 3.

Figura 6: IGBT con transistor parásito generado por el latch-up.

 III) Desarrollo analítico

El desarrollo analítico del transistor IGBT se basa en la ilustración 5 para la obtención de

los parámetros necesarios a calcular.

Corriente máxima de colector:

V s−V CE(SAT ) V S
I c(max) = ≅
RL RL

Corriente promedio de colector:

t ON
I C(PROM )= .I
t ON −t OFF c(max )

Pérdida de potencia promedio en conducción:

t ON
V Rl(PROM )= V I
t ON −t OFF CE(SAT ) C(MAX )

Pérdida de Potencia Promedio de conmutación durante el encendido:

V CE (MAX ) I C( MAX) t SW (ON ) f
PSWPROM (ON) =
6

Pérdida de Potencia Promedio de conmutación durante el apagado:

V CE (MAX ) I C(MAX ) t SW (OFF ) f
PSWPROM (OFF) =
6
Figura 7: Circuito de
Tiempo de encendido: transistor IGBT.
Pon( PROM)
t ON =
V CE(SAT ) I C ( MAX )−¿ P ON (PROM )
¿

Tiempo de apagado:
P on(PROM )
t OFF=
V CE(SAT ) I C ( MAX )−¿ P OFF( PROM )
¿

Pérdida de potencia
P=tension directa ( Vf )∗corriente directa(If )∗ciclo de trabajo +frecuencia∗energia perdida en el apagado
 IV) Ejemplo numérico.

Tomando en cuenta el circuito principal de apoyo, suponga que se tiene una fuente de
alimentación C.D de 20 V, un foco de 14 V_1.6 W y una fuente de alimentación de carga
de 14 V. Calcular la corriente en el colector, y la pérdida de potencia en conducción que
tendrá el transistor IGBT, en estado activo.

El problema se resuelve de la siguiente manera.

1. Se calcula la corriente máxima de colector

V 1 −V CE(SAT ) V 1
I c(max) = ≅
RL RL
14 V
I c(max) ≅ =0.12 A=120 mA
116. 7 Ω
Corriente promedio de colector:
t ON
I C(PROM )= .I
t ON +t OFF c (max )
31 ns
I C(PROM )= .0 .12 A=28.39 m A  
31 ns+100 ns

Pérdida de potencia promedio en conducción:

t ON 2
P Rl(PROM )= V CE (SAT ) ( I C ( MAX )) Rl
t ON −t OFF

31ns
P Rl( PROM )= ( 0.12 A )2∗116.7 Ω=0.397 W
31 ns+100 ns
 V) Práctica Propuesta

FUNCIONAMIENTO DEL IGBT

Objetivo: Comprobar el funcionamiento del transistor IGBT, llevando a cabo el encendido
y apagado de un foco.

Material y equipo:
Fuente de alimentación 15V
Fuente de alimentación 30V
SW de dos polos
Resistencia de 10KΩ
Foco de 30V_10W 
Transistor IGBT IRGBC30K
Multímetro

A continuación, se muestra el circuito realizado en Multisim.

Figura 8: Circuito propuesto elaborado en Multisim (No presenta activación en el Gate).

Como se sabe, el foco se encenderá cuando la compuerta GATE reciba 15 V, la tensión
mínima para activar el IGBT.

Figura 8: Circuito aplicando voltaje al GATE.

Los cálculos se muestran a continuación:

• Corriente máxima de colector:
V 1 −V CE(SAT ) V 1
I c(max) = ≅
RL RL
30 V
I c(max) ≅ =0.333 A=333 mA
90.001 Ω
• Corriente promedio de colector: 
t ON
I C(PROM )= .I
t ON +t OFF c (max )
31 ns
I C(PROM )= .0 .333 A=78.8 m A
31 ns+100 ns

• Pérdida de potencia promedio en conducción:

t ON 2
P Rl(PROM )= V CE (SAT ) ( I C ( MAX )) Rl
t ON −t OFF
 31ns
P Rl(PROM )= ( 0.333 A )2∗90.001 Ω=2.36W
31 ns+100 ns
VI) Cuestionario
1.- ¿Qué es el IGBT?
2.- ¿Cuál es la estructura del IGBT?
3.- ¿Cómo se enciende y se apaga el IGBT?
4.- ¿Cuándo entra en estado de bloqueo el IGBT?
5.- ¿Por qué el IGBT es una combinación del BJT y MOSFET?
6.- ¿Qué características de los MOSFET y los BJT presenta un IGBT?
7.- ¿Qué es el Latch-up en un IGBT?
8.- ¿Qué voltajes y corrientes soportan los IGBT?
9.- ¿Cuáles son las principales aplicaciones de un IGBT?
10.- ¿Cuáles son las condiciones de uso de un IGBT?
 VII) Referencias

• Mohan, Ned, Undeland, Tore M. y Robbins, William P. (2009) Electrónica de

Potencia. Convertidores aplicaciones y diseño. McGraw Hill, Tercera edición. 30
capítulos,693 páginas, México.

• Muhammad H. Rashid. Electrónica de Potencia, circuitos, dispositivos y

aplicaciones. Pearson Educación. 2da Edición, 16 capítulos, 702 páginas. Impreso
en México. 

• S. Rama Reddy. Fundamentals of POWER ELECTRONICS. 1° Edición. 12

Capítulos. 190 páginas. Capítulo 1:20. Impreso en India

Referencias web:
 IRf. (2019). IRGBC30K. [online] Available at: http://www.irf.com/product-
info/datasheets/data/irgbc30k.pdf (Consulta Septiembre 2, 2019).

 http://www.neoteo.com/igbt-mosfet-electronica-de-potencia (Consulta septiembre

2, 2019)

 Ecured. Transistor IGBT. [Online] Disponible en:

https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT (septiembre 2, 2019)