ELECTRÓNICA DE POTENCIA: TIRISTOR Y TRIAC

INTRODUCCIÓN

Surge de la necesidad de controlar productos de alta potencia.

Utilidad: Controles de calor, iluminación, de motor, fuentes de alimentación, sistemas de

propulsión de vehículos, etc.

Los componentes usados en electrónica de potencia son semiconductores cuyo

funcionamiento se basa en la conmutación (abierto-bloqueo o cerrado-conduce).

TIRISTORES

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de

potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor
a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas
características y limitaciones.

Su circuito equivalente esta formado por dos transistores bipolares, uno pnp y otro npn,
donde la puerta es la unión de la base del npn con el colector del pnp.

CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES:

Un tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres

uniones PN. Tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. Los tiristores se fabrican
por difusión.

Símbolo del tiristor y estructura (tres uniones pn)

Los tiristores funcionan como conmutadores biestables: bloqueo-conducción,

dependiendo de las tensiones de polarización y de la corriente o tensión de puerta.
CURVA CARACTERÍSTICA V-I DEL TIRISTOR

ESTADO DE BLOQUEO

ESTADO DE BLOQUEO INVERSO:

Corresponde al tercer cuadrante de la característica v-i del tiristor.

La tensión entre ánodo y cátodo es negativa (VAK < 0). La corriente por el ánodo es
prácticamente nula (IA ≈ 0 A).

Si introducimos una tensión entre ánodo-cátodo menor que el voltaje de ruptura inverso
se produce la destrucción del componente por el fenómeno de avalancha. (VAK < VBOR
 destrucción del tiristor).

ESTADO DE BLOQUEO DIRECTO:

Se da en el primer cuadrante en la zona curva de la gráfica.

Se produce cuando no existe impulso de entrada en la puerta (IG = 0 A. y VG = 0 v.) y la

tensión entre ánodo-cátodo es mayor que 0 v. y menor que la tensión de ruptura directa (0
< VAK < VBO). Esto implica que el tiristor no conduce (circuito abierto).

ESTADO DE CONDUCCIÓN

El tiristor pasa a conducir cuando (se da en la recta del primer cuadrante):

 a) Ante la ausencia de impulso en la puerta (IG = 0 A. y VG = 0 v.) se introduce una
tensión entre ánodo-cátodo mayor que la tensión de ruptura directa (VAK > VBO).
Estos valores hacen que la corriente de ánodo sea muy alta (conduce), lo cual,
puede llevar a la destrucción del tiristor al no poder soportar intensidades muy
altas. Por lo tanto, esta opción está desaconsejada.
b) Introducimos por la puerta una corriente de disparo suficiente (IG > IL), o sea,
mayor que la intensidad de enganche y a la vez existe una tensión ánodo-cátodo
positiva (VAK > 0). En estas condiciones se producirá el cebado o disparo del
tiristor (deja pasar corriente del ánodo al cátodo), el cual pasa de bloqueo a
conducción. En ese momento la tensión entre ánodo-cátodo se hace fija en
aproximadamente un voltio (VAK ≈ 1 v.). O sea, se comporta como un cortocircuito.

PASO DE CONDUCCIÓN A BLOQUEO

Para que el tiristor deje de conducir (pase de conducción a bloqueo), se debe disminuir la
corriente de ánodo-cátodo por debajo de la corriente de mantenimiento (IAK < IH).

Si hacemos que la corriente de puerta sea nula (IG = 0 v.), lo único que conseguimos es
que el tiristor se desactive cuando la corriente entre ánodo-cátodo sea menor que la
corriente de enganche (IAK < IL).

Sabemos, según la gráfica, que IL > IH.

Cuando el tiristor está en conducción, el circuito de control, o sea, el que suministra la

corriente de puerta, no hace nada aunque variemos sus valores.

TIPOS DE TIRISTORES.

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto cercano a
la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar
el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación, los fabricantes utilizan varias
estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y

desactivación, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:

1. Tiristores de control de fase (SCR).

2. Tiristores de conmutación rápida (SCR).
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conducción inversa (RTC).
6. Tiristores de inducción estática (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

TRIAC

Es un semiconductor capaz de bloquear y conducir corriente entre sus terminales, tanto

en un sentido como en el otro, o sea, es bidireccional. Esta capacidad le hace muy útil en
corriente alterna, como interruptor controlado.

El circuito equivalente de un triac son dos tiristores en antiparalelo con las puertas unidas.
CARACTERISTICAS DE LOS TRIAC:

Tiene tres terminales (T1, T2, P). Su estructura está formada por seis capas
semiconductoras.

Símbolo del triac y estructura

CURVA CARACTERÍSTICA V-I DEL TRIAC

Observando la curva característica podemos comprobar que la curva en el primer
cuadrante es similar a la de un tiristor. En el tercer cuadrante la gráfica es la misma que
en el primero, con la excepción de que está invertida.

Cuando apliquemos una tensión T2-T1 mayor que cero, el triac trabaja en el primer
cuadrante, donde puede estar en bloqueo o conducción, dependiendo del impulso de
entrada en la puerta.

Con una tensión T2-T1 menor que cero, el triac trabaja en el tercer cuadrante y,
dependiendo del impulso de entrada estará en bloqueo o conducción.

Para que el triac se dispare se debe cumplir que la tensión entre T1-T2 sea inferior a VBO
y se aplique un impulso de corriente de valor adecuado en el terminal puerta (P), o sea,
hay que conseguir una que la corriente en el triac sea mayor que la tensión de
enclavamiento (IT > IL).

MODOS DE DISPARO

I) VT1-T2 > 0 y IG > 0 ó entrante. Primer cuadrante. Gran sensibilidad de disparo.

II) VT1-T2 > 0 y IG < 0 ó saliente. Primer cuadrante. Menor sensibilidad de disparo
que antes.
III) VT1-T2 < 0 y IG > 0 ó entrante. Tercer cuadrante. Poca sensibilidad de disparo
(evitarlo).
IV) VT1-T2 < 0 y IG < 0 ó saliente. Tercer cuadrante. El de más sensibilidad de
disparo.

Por tanto el tiristor se puede disparar con:

a) Impulsos positivos.
b) Impulsos negativos.
c) Impulsos alternativos positivos y negativos.

TRANSISTOR MONOUNIÓN UJT

El transistor monounión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo en

los SCR. Tres terminales: E (Emisor), B1 (Base 1) y B2 (Base2). Entre B1 y B2 la
monounión tiene las características de una resistencia ordinaria (la resistencia entre
bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K).

Sabiendo que:
 VBB es la tesión aplicada entre B2 y B1.
RBB = RB1 + RB2 que oscila entre 4.7 y 9.1 K.
η = RB1 /RBB vale entre 0.5 y 0.8. Se denomina relación intrínseca, y viene
dada por el fabricante.

Obtenemos que la tensión en la resistencia base 1 vale:

VRB1 = η · VBB
FUNCIONAMIENTO DEL UJT

 Cuando la VE = 0 v. la unión PN está en inversa y circula una corriente muy

pequeña a través del emisor. Curva en el segundo cuadrante.
 Aumentamos VE hasta que VE = VB1. La corriente IE se hace 0 A. Observar en la
gráfica el punto VB1.
 Cuando VE sigue aumentando conseguimos que el diodo conduzca, ya que lo
polarizamos en directa. A este punto se le llama tensión de pico Vp que viene dado
por la suma de VB1 y VD (tensión en el diodo de valor aproximado 0.7 v.).

Vp = η · VBB + VD
Cuando VE = Vp, el UJT conduce y la tensión en VE cae bruscamente, pasando a
valer unos 2 voltios.

El UJT pasa a corte cuando la tensión de emisor (VE) descienda al valor Vv (tensión de
valle).

TRANSISTOR MONOUNIÓN PROGRAMABLE (PUT)

El funcionamiento es similar al del UJT, con la excepción de que la relación intrínseca se

puede programar a través de un divisor de tensión externo.

El símbolo es igual que el del tiristor, con la diferencia de que el terminal de puerta en el
PUT sale del lado del ánodo, y en el tiristor del lado del cátodo.
CIRCUITO BÁSICO

La relación intrínseca se establece mediante R1 y R2.

También variamos la Vp, Ip e Iv.

DIAC

Es un componente semiconductor con dos terminales, llamados ánodo1 y ánodo2, que

permite el paso de corriente en ambos sentidos (bidireccional), siempre que se aplique
una tensión mínima.

Una de las características más importantes del DIAC es que soportan altas tensiones.

La característica v-i es simétrica (primer cuadrante igual que el tercero, pero invertidos).

Para VA1 > VA2, circula corriente desde A1 hacia A2.

Para VA1 < VA2, circula corriente desde A2 hacia A1.

El cebado del DIAC se da cuando la tensión en bornes del mismo alcanza el valor VBO,
dado por el fabricante (alreredor de 30 voltios).
Uso: circuitos de disparo de tiristores y triacs.

Paso de conducción a bloqueo: se consigue disminuyendo la corriente que pasa por él a

un valor inferior a la corriente de mantenimiento.

Cuando un DIAC pasa a conducir (se dispara) la tensión que cae en el será igual a la
tensión VBO menos el decremento (ep). El decremento es otro dato que nos da el
fabricante e indica la bajada de tensión que se produce en el DIAC cuando está
conduciendo.