REPORTE DE PRÁCTICA DE LABORATORIO Versión 1

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA. ÁREA MECÁNICA ELÉCTRICA, FACULTAD DE INGENIERÍA - UASLP Periodo 2019-2020I

PRACTICA 8. AMPLIFICACIÓN CON EL JFET.

Escobedo Pinal Luis Gerardo,
{luisger ardo}@live.com
Instructor: Galvan Manuel

I-A2. Amplificador drenador común: La figura 8.3a

I. I NTRODUCCI ÓN
BJETIVO:Conocer las configuraciones del JFET para ser
O usado como amplificador, ası́ como los pasos para el
diseño de un circuito amplificador y sus caracterı́sticas.
muestra un circuito amplificador de drenador común, también
llamado seguidor de fuente. La señal de entrada llega a la
compuerta y la señal de salida está acoplada de la fuente.
Como el seguidor de emisor, el seguidor de fuente tiene una
ganancia de tensión menor que 1. La principal ventaja del
seguidor de fuente es su alta impedancia de entrada.

I-A. Marco teórico

Los amplificadores con transistores de efecto de campo
proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la
caracterı́stica de una alta impedancia de entrada. Además
se trata de configuraciones de bajo consumo de potencia
con un buen rango de frecuencia, tamaño y peso mı́nimos.
Mientras que un dispositivo BJT controla una gran corriente
de salida (colector) por medio de una corriente de entrada
(base) relativamente pequeña, el dispositivo FET controla
una pequeña corriente de salida (drenaje) mediante un
pequeño voltaje de entrada (voltaje de compuerta), pero en
ambos casos se observa que la salida es la corriente controlada.

I-A1. Amplificador fuente común: La figura 8.1a muestra I-A3. Amplificador de compuerta común: La figura 8.4a
un amplificador fuente común. Los condensadores de muestra un circuito amplificador de compuerta común, mien-
acoplamiento y de paso actúan como cortocircuitos para la tras que la 8.4b muestra el circuito equivalente para corriente
señal. Debido a esto, la señal está acoplada directamente a alterna.
la compuerta. Como la fuente está acoplada a masa, toda la
tensión de entrada alterna aparece entre la compuerta y la
fuente. Ésta produce una corriente alterna de drenador. Como
dicha corriente circula por la resistencia de drenador, tenemos
una señal de salida invertida y amplificada. La mencionada
señal de salida se acopla a la resistencia de carga.

II. M ATERIAL UTILIZADO Y R ESUMEN DE ACTIVIDADES

Las actividades a realizar en la práctica se en listan a
continuación:
Actividad 1: Construya el circuito de la figura 8.5
mida los valores de entrada y salida, utilice una señal
El presente documento corresponde a un informe de práctica de laboratorio
de Electrónica presentado en la Universidad Autónoma de San Luis Potosı́ sinusoidal de amplitud de 200mV como entrada y
durante el periodo 2019-2020I.. calcule la ganancia de tensión (A) del circuito, observe
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F recuencia Vent Vsal Desfasamiento A

el desfasamiento de entrada y salida. 20Hz 82 mV 150 mV 4.47 1.83
200Hz 61.6 mV 40 mV 3.70 0.7
Actividad 2: Llenar la tabla 8.1 2kHz 112.75 mV 90 mV 3.70 0.8
4kHz 61.25 mV 30 mV 6.08 0.49
6kHz 61.5 mV 40 mV 6.29 0.65
El material utilizado se muestra en la Tabla I. 8kHz 112.75 mV 90 mV 9.65 0.8
10kHz 20.50 mV 40 mV 12.37 1.95
12kHz 102.5 mV 80 mV 15.98 0.78
Tabla I 14kHz 82 mV 100 mV 19 1.22
M ATERIAL UTILIZADO PR ÁCTICA #8 16kHz 143.5 mV 120 mV 22.61 0.84
18kHz 101.2 mV 100 mV 12.44 0.99
Material Descripción Cantidad 20kHz 102.5 mV 80 mV 12.56 0.78
R1 1 M.Ohm 1
R2 1 M.Ohm 1
RD 3.3 K.Ohm 1
RS 10 K.Ohm 1
RL 10 K.Ohm 1 IV. S IMULACI ÓN
T ransistor Q2N5457 1
T ransf ormadorconderivacioncentral 120V a 10V 1
GeneradordeOndas 1
Osciloscopio 1

III. D ESARROLLO DE LA PR ÁCTICA

III-1. : Construir el circuito de la figura 8.5:

V. P REGUNTAS
8.6.1 Defina Trasconductancia (gm)
La transconductancia (para la conductancia de transferencia),
también llamada con poca frecuencia conductancia mutua, es
III-A. Tabla 8.1 la caracterı́stica eléctrica que relaciona la corriente a través
de la salida de un dispositivo con la Tensión a través de la
PRACTICA entrada de un dispositivo. La conductancia es el recı́proco de
la resistencia.
F recuencia Vent Vsal Desfasamiento A
20Hz 40.8 mV 110 mV 4.42 2.7
200Hz 40.8 mV 277 mV 3.27 6.79 8.6.2 Mencione las caracterı́sticas y dibuje los circuitos
2kHz 41.3 mV 280 mV 3.67 6.79 de las otras configuraciones de amplificación de los JFETs.
4kHz 41.3 mV 288 mV 6.23 6.97
6kHz 41.4 mV 282 mV 6.10 6.81
A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al
8kHz 41.2 mV 274 mV 9.65 6.65 ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no
10kHz 41.1 mV 272 mV 12.49 6.61 necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye
12kHz 41.2 mV 262 mV 15.99 6.36
14kHz 40.8 mV 262 mV 19 6.42
a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se
16kHz 41 mV 269 mV 22.32 6.56 halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión
18kHz 40.7 mV 264 mV 12.55 6.49 eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se .estrecha”de
20kHz 41 mV 265 mV 12.56 6.46
modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica.
Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la
SIMULACION tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero
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(región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en Su estabilización es ligeramente fácil, pues se lo consigue con
módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los resistencias en el emisor con lo que la ganancia se mantiene
terminales D y S crece, entrando ası́ en la región óhmica, o aumenta.
hasta determinado lı́mite cuando deja de conducir y entra en
corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S La impedancia de entrada idealmente es alta lo que permite
(VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal acercarnos a un circuito ideal en el que la impedancia de
D (ID o corriente de drenaje) es una curva caracterı́stica y entrada sea infinita , la amplificación sea alta y no exista
propia de cada JFET. recorte en la señal de salida.
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se
halla frecuentemente en el orden de1010 ohmios), lo cual Una de las principales caracterı́sticas de este tipo de amplificador
significa que tiene un efecto despreciable respecto a los es que pueden amplificarse tanto la tensión como la corriente.
componentes o circuitos externos conectados a su terminal de
puerta. El amplificado en emisor común tiene una impedancia de
entrada alta y de salida alta.
Desventajas:

Una de las grandes desventajas es que la señal de salida se

puede recortar considerablemente por el hecho de tener
una fuente demasiado baja para el diseño, lo que nos crea
problemas.

El circuito depende el B y eso hace al circuito dependiente

de ese valor, considerando que este factor varı́a para cada
transistor ası́ sea del mismo número siempre existe variación;
variaciones bruscas de B implica variaciones de corriente y
voltaje.

Pierde linealidad si se conecta el emisor directamente a tierra,

y para corregir se pone una resistencia en el emisor.

8.6.4 ¿Qué otras aplicaciones tienen los FETs?

Aislador o separador

Amplificador de RF

Mezclador

Amplificador con CAG

Amplificador cascodo

Troceador

Resistor variable por voltaje

Amplificador de baja frecuencia

Oscilador
8.6.3 ¿Cuáles son las desventajas y ventajas de un amplificador
fuente común en comparación a uno de emisor común? Circuito MOS digital
Ventajas.

Ofrece una ganancia alta de voltaje, lo que implica mayor 8.6.5 ¿Qué otro tipo de transistores de efecto de campo
rendimiento del diseño. existen?
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El MOSFET

El JFET

El MESFET

En el HEMT

Los MODFET

Los IGBT

Los FREDFET

Los DNAFET

Los TFT

VI. C ONCLUSIONES
Los transistores de efecto de campo, en este caso el JFET
son elementos que se usan poco para la amplificación de
señales, como se mencionó en la practica 5 el OPAMP o
amplificador operacional desplazó a este tipo de elementos
para esta aplicación, pero es interesante el conocer el funcio-
namiento básico de los amplificadores a base de transistores ya
que mediante redes de estos circuitos sencillos se construyen
los amplificadores operacionales.
R EFERENCIAS
[1] Generador de formulas. http://www.hostmath.com/.
[2] Generador de tablas. https://www.tablesgenerator.com/.