5.

Explique la diferencia entre los FET de potencia y los transistores bipolares de

potencia.
El problema en los transistores bipolares el coeficiente de temperatura negativo de VBE.
Cuando la temperatura interna aumenta, VBE disminuye, lo que incrementa la corriente de
colector, forzando a que la temperatura sea más alta. Pero una temperatura más alta
reduce todavía más VBE. Si no se disipa el calor de la forma apropiada, el transistor bipolar
se calentará de forma descontrolada y resultará destruido. En cambio el FET de potencia
carece de calentamiento descontrolado. La resistencia RDS(on) de un MOSFET tiene un
coeficiente de temperatura positivo. Cuando la temperatura interna aumenta, RDS(on)
aumenta y reduce la corriente de drenador, lo que hace descender la temperatura. En
consecuencia, los FET de potencia son inherentemente estables con la temperatura y no
se calientan de forma descontrolada.
6. Describa las características del uso de los MOSFET de enriquecimiento en
circuitos discretos.
Dispositivos tales como VMOS, TMOS, hexFET, trench MOSFET y waveFET. Todos estos
FET de potencia utilizan geometrías de canal diferentes para aumentar sus valores
máximos permitidos. Estos dispositivos pueden manejar corrientes máximas desde 1 A
hasta más de 200 A, y potencias máximas que van desde 1 W hasta más de 500 W.
Puesto que son dispositivos físicamente grandes, requieren tensiones VGS(on) altas para
garantizar el funcionamiento en la región óhmica, además de que los valores límites de
potencia de estos dispositivos son considerables, por eso son capaces de manejar
aplicaciones como controles en automoción, iluminación y calefacción.
7. Que significa carga activa y carga pasiva en el uso del MOSFET como inversores
en los circuitos de conmutación.
 Carga pasiva. El término pasiva hace referencia a resistencias normales como RD
como se muestra en la figura.

 Carga activa. La idea fundamental fue deshacerse de las resistencias de carga

pasiva. La siguiente figura muestra el invento: la conmutación con carga activa. El
MOSFET inferior se comporta como un conmutador, pero el MOSFET superior se
comporta como una resistencia grande.
8. Liste y explique las principales características de los CMOS en sus aplicaciones
más importantes.

 Consumo de corriente. Un diseñador de circuitos integrados combina transistores

MOSFET de canal n y de canal p, de esta manera se reduce el consumo de
corriente en un circuito digital, estos dispositivos se les conoce como CMOS
(Complementary MOS, MOS complementario). En la siguiente figura se muestra el
circuito CMOS.

La figura muestra el mecanismo. Q1 es un MOSFET de canal p y Q2 es un MOSFET

de canal n. Estos dos dispositivos son complementarios; es decir, los valores de
VGS(umbral), VGS(on),ID(on).etc. son iguales pero de signos opuestos. El circuito es similar
al de un amplificador de clase B, puesto que un MOSFET conduce mientras que el
otro no.
 Bajo consumo de potencia. La ventaja más importante del CMOS es su
extremadamente bajo consumo de potencia. Puesto que ambos MOSFET están
conectados en serie en el circuito de la figura anterior, el consumo de corriente en
reposo viene determinado por el dispositivo que no conduce. Dado que su
resistencia es del orden de los mega ohmios, el consumo de potencia en reposo
(inactividad) se aproxima a cero. De hecho, el consumo medio de potencia es tan
bajo que los circuitos CMOS a menudo se emplean en aplicaciones alimentadas
mediante baterías, como por ejemplo, calculadoras, relojes digitales y audífonos.
9. Explique con ayuda de ejemplos (3) la determinación de algunos parámetros
propios del MOSFET en algunas de sus aplicaciones.
Ejemplo 1.
¿Qué función realiza el circuito de la figura? ¿Cuál es la constante de tiempo RC? ¿Cuál
es la potencia de la lámpara para su intensidad de luz máxima?

-la lámpara enciende gradualmente.

Cuando el interruptor manual se cierra, el condensador se car ga lentamente hasta 10 V.
La resistencia thevenin que ve el condensador.
RTH =2 MΩ║ 1 MΩ=667 kΩ

La constante de tiempo RC es.

RC=( 667 kΩ ) ( 10 μF )=6.67 s

Como para un MTV10N100E la RDS(on) es igual a 1.07 Ω. Entonces la corriente de la

lámpara es.
30 V
I D= =2.71 A
10 Ω+1.07 Ω

La potencia de la lámpara es.

2
P= (2.71 A ) ( 10Ω )=73.4 W

Ejemplo 2.
El circuito de la figura llena automáticamente una piscina cuando el nivel del agua está
bajo. Cuando el nivel de agua está por debajo de las dos sondas metálicas, la tensión de
puerta aumenta hasta +10 V, el FET de potencia conduce y la válvula del agua se abre
para llenar la piscina. Cuando el nivel del agua se eleva por encima de las sondas
metálicas, la resistencia entre las sondas se hace muy baja porque el agua es un buen
conductor. En este caso, la tensión de puerta pasa a nivel bajo, el FET de potencia se
abre y la válvula de agua se cierra. ¿Cuál es la corriente a través de la válvula del agua de
la figura si el FET de potencia trabaja en la región óhmica con una RDS(on) de 0.5 Ω?

La corriente de la válvula es
10 V
I D= =0.952 A
10 Ω+ 0.5Ω

Ejemplo 3.
Durante el día, el fotodiodo del circuito de la figura está conduciendo y la tensión de puerta
es un nivel bajo. Por la noche, el fotodiodo no conduce y la tensión de puerta aumenta
hasta +10 V. Por tanto, el circuito enciende la lámpara automáticamente por la noche.
¿Cuál es la corriente a través de la lámpara?
Para un MTV10N100E los datos proporcionados de las tablas técnicas son: VGS(on) = 10 V,
ID(on) = 5 A y RDS(on) igual a 1,07.
Entonces la corriente de saturación es
30 V
I D (sat)= =3 A
10 Ω
Puesto que es menor que 5 A, quiere decir que el FET de potencia es equivalente a una
resistencia de 1.07 Ω, y la corriente por la lámpara es:
30 V
I D= =2.71 A
10 Ω+1.07 Ω