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Universidad del Cauca

Facultad de Ingeniería Electrónica Y Telecomunicaciones


Laboratorio De Electrónica I
Practica Nº 3

Profesor: Ing. Rafael Rengifo Prado


Estudiantes: Andrés F. Paja
Santiago A. Pérez

Popayán-Colombia
4/Septiembre/2014
Practica No.3 – Detector de luminosidad
En la presente práctica se diseñara e implementara un detector de luminosidad,
el cual reaccionara a diferentes intensidades de luz.

Objetivo General.
Activar un diodo led mediante cambios de luminosidad en el exterior que rodea
al circuito.

Objetivos Específicos.
Visualizar el funcionamiento de un sensor de luz (fotocélula) conjuntamente con
el trabajo del transistor en la zona de conmutación (saturación y corte).
Desarrollo teórico.
El circuito que se implementara es el siguiente:

El funcionamiento de este es como sigue.


-Cuando disminuya el nivel de luminosidad ocurre lo siguiente:
1. Baja el nivel de luz.
2. Sube la R del LRD.
3. Sube la tensión en el LDR.
4. Baja la tensión en el potenciómetro.
5. Baja la V (base-emisor) y si ésta es menor de 0,7V.
6. Transistor en corte (Ic=0).
7. Diodo Led apagado.
-Cuando aumenta el nivel de luminosidad ocurre lo siguiente:
1. Aumenta el nivel de luz.
2. Baja la R del LDR.
3. Baja la tensión en el LDR.
4. Sube la tensión en el potenciómetro.
5. Sube V(base-emisor) y si ésta es mayor de 0,7 V
6. Transistor en saturación (Vce=0)
7. Diodo led encendido.

Analicemos entonces el segundo caso:


1) Diodo encendido

Comenzaremos con imponer una corriente a I 3 de tal forma que para


este caso el diodo LED se polarice e indique la existencia de
luminosidad, así:
I 3=11 mA
Mediante LVK a la malla externa del circuito se tiene:
5 V −I 3 R 3−V CE 2=0
Donde R3se ha impuesto con un valor de 330 Ω para evitar daños al LED
y controlar así la corriente que circula por este, de la anterior ecuación
se obtiene:
V CE 2=0.4 V

Del transistor Q 2se obtiene:


0.4 V +V BC 2−V BE 2=0
V BE 2 =0.8 V (Para garantizar la condición de saturación de Q 2)
Donde:
V BC 2=0.4 V

De nuevo por LVK a la malla C-E y B-C de los transistores Q 1 y Q2


respectivamente se tiene:
V CE 1−V BC 2=0
V CE 1=0.4 V

Con lo que:
V BC 1=V CE1 +V BE 1
V BE 1 =0.8 V (Condición de saturación)
V BC 1=1.2 V

Analicemos ahora las corrientes:


Demos un valor para la corriente de colector para el transistor Q 2
pequeño tal como:
I C 2=15 mA

De donde al aplicar LCK al nodo común entre los dos transistores (


C 1−C2 ) obtenemos:
11mA + I C 1=I C 2
I C 1=4 mA

Con una ganancia de aproximadamente hfe Q 1 , Q 2=110 para ambos


transistores se obtiene la corriente de base para el transistor Q 1:
I C2
I B 2=
hfe
I B 2=36.36 μA

De nuevo la corriente I 1 no debe ser alta, por lo que podemos asignar a


esta un valor pequeño, asi:
I 1=10 mA

De donde se desprende por LCK que:


I 2=I B 2 + I 1
I 2=10.036 mA
Si aplicamos LVK a la malla que comprende al transistor Q 1 , R 2 y R 3 se
puede hallar R2 como sigue:
I 2 R2−330 Ω11mA −0.7 V +1.2V =0

R2=312 Ω

Finalmente se halla R1 tambien por LVK:


V R 1=V BC 1 +V BC 2
V R 1=1.6 V
1.6 V 1.6V
R 1= =
I2 10.036 mA
R1 ≅ 160 Ω
Con esto queda diseñado el circuito donde como se estableció, cuando
la luz incida sobre el LDR hasta el punto de llegar a 312Ω o menor a
este para que los transistores entren en saturación con lo que se obtiene
un V CE muy pequeño con lo que se garantiza la polarización directa del
diodo LED y este encenderá.

2) Diodo LED apagado


El análisis de esta condición es mucho más simple, recordemos que lo que
hace la resistencia LDR( R2), en el momento que disminuye la luz la resistencia
de esta aumenta y llegara a tal punto que el voltaje que cae en esta es mayor
que el que necesitan los transistores para su polarización base-emisor,
sabiendo esto podemos afirmar que para esta condición se debe cumplir que:
V R 2 ≥ 3.6 V

Esto para que el potencial en R1 no sea lo suficientemente grande para


polarizar los transistores.
Un valor de la resistencia muy aproximado al valor real que se necesita en el
LDR se puede encontrar suponiendo entonces un voltaje de acuerdo a la
condición anterior así:
V R 2=3.8 V

En esta condición además como los transistores se encuentran en corte, no


hay corriente de base por ninguno de ellos, por lo que:
I 1=I 2 =I e I 3=0

Mediante LVK a la malla única se tiene:


V f −V R 2−I∗160 Ω=0

I =7.5 mA
I por tanto:
3.8 V
R 2=
7.5 mA
R2 ≅ 507 Ω
Lo que se expuso aquí, se hizo con el fin de dar a conocer el funcionamiento
del circuito detallada bajo ciertas condiciones pero en la práctica debido a que
el rango de variación del LDR solo cuando está completamente iluminado es
de 50 Ωa 1 k Ω y este rango comprende a las resistencias del LDR para
encender y apagar el diodo LED, así que para evitar eso se aumenta el valor
de R1 el cual será un potenciómetro para aumentar así la tensión entre sus
terminales y poder así abarcar un rango más amplio de resistencias para el
LDR, con esto se logra que como el valor de R1será más grande, su tensión en
esta también lo será saturando a los transistores, así el valor de la resistencia
del LDR tendrá que aumentar bastante para lograr un tensión entre sus
terminales mayor a la necesaria por los transistores para su funcionamiento
para que estos entren en corte y el diodo LED se apague, análogamente para
el caso de encendido.
Con esto en mente el circuito a implementar será el que se mostró en un
principio.
2do tipo de detector de luminosidad.
Para este tipo de detector de luminosidad en paralelo solo se agregara una
etapa con varios transistores en paralelo los cuales funcionan de la misma
manera que el circuito anterior (saturación y corte), la primera parte del
esquema se muestra a continuación:

Como se puede observar el único cambio aquí es que se quitó el diodo LED
que iba conectado a la resistencia R1, a continuación se muestra el esquema
de la segunda etapa y se dará la explicación de su funcionamiento:
Las resistencias R4 −¿R ¿ se escogieron de tal forma que se garantice durante la
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saturación de cada transistor el correcto funcionamiento de los diodos, para


este caso la corriente que se desea circule por el C-E de cada uno de los
transistores es de 73 mA por lo que:
5V
R4,6,8,10,12 = ≅ 68 Ω
73mA

MATERIALES.

 1 Resistor de 330Ω
 5 Resistencias de 1KΩ
 5 Resistencias de 68Ω
 10 LED
 1 Preset o potenciómetro de 50kΩ
 1 Fotorresistencia (LDR)
 2 Transistores BC548B
 5 Transistores 2N39036
 Vdc de 5V
 Cables para conexión

BIBLIOGRAFIA.

http://electronicayrobotica.wordpress.com

http://www.arduteka.com

http://www.nxtorm.es