Capítulo 4

Transistores de potencia

Introducción

Los transistores de potencia tienen características controladas de encendido y apagado. Los

transistores, que se utilizan como elementos de conmutación, se operan en la región de
saturación, y producen una pequeña caída de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de
conmutación de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores y se emplean
frecuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para
proporcionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominales de
voltaje y corriente son menores que las de los tiristores, y normalmente los transistores se
emplean en aplicaciones de baja a mediana potencia. Los transistores de potencia se pueden
clasificar, de manera general, en cinco categorías:

 Transistores bipolares de unión (BJT)

 Transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET)
 Transistores de inducción estática (SIT)
 Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
 COOLMOS

Se puede considerar a los BJT, MOSFET, SIT, IGBT o COOLMOS como interruptores ideales para
explicar las técnicas de conversión de potencia. Un transistor se puede operar como un
interruptor.

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

Un transistor bipolar se forma agregando una segunda región pon a un diodo de unión pn. Con dos
regiones n y una p, se forman dos uniones, teniéndose así un transistor NPN, como se muestra en
la figura 4.1a. Con dos regiones p y una región n, se forma lo que se llama transistor PNP, que se
muestra en la figura 4.1b. Las tres terminales son colector, emisor y base. Un transistor bipolar
tiene dos uniones: la unión colector-base (CBJ) y la unión base-emisor (BEJ) [1-5]. En la figura 4.2
aparecen transistores NPN de varios tamaños. Hay dos regiones n+ para el emisor del transistor
NPN de la figura 4.3a, y dos regiones p + para el emisor del transistor PNP de la figura 4.3b. Para
un transistor NPN, la capa n del lado del emisor es ancha, la base p es angosta, y la capa n del lado
del colector es angosta y con un fuerte dopado. Para un transistor PNP, la capa p del lado del
emisor es ancha, la base n es angosta y la capa p del lado del colector es angosta y con un fuerte
dopado.
Características en estado permanente

Hay tres regiones de operación de un transistor: de corte, activa y de saturación. En la región de

corte, el transistor está abierto o apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo, y
las dos uniones están polarizadas inversamente. En la región activa, el transistor actúa como un
amplificador, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje
colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unión colector-base (CBJ) está
polarizada inversamente, y la unión colector-emisor (BEJ) tiene polarización directa. En la región
de saturación, la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje colector-
emisor sea bajo, y el transistor actúa como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen
polarización directa.

El modelo de un transistor NPN se ve en la figura 4.6, en operación a cd a gran señal. La ecuación

que relaciona las corrientes es

La corriente de base es de hecho la de entrada, y la corriente del colector es la de salida. La

relación de la corriente de colector le entre la corriente de base lB se llama ganancia de corriente
en sentido directo, Bf:

La corriente del colector tiene dos componentes: uno debido a la corriente de base y el otro es la
corriente de fuga de la unión CBJ.
donde lCEO es la corriente de fuga de colector a emisor, con la base con circuito abierto, y se
puede considerar despreciable en comparación con BFIB' De las ecuaciones (4.1) y (4.3),

Como BF» 1, la corriente de colector se puede expresar como

donde la constante a.F se relaciona con 13 por

es decir,

La corriente máxima de colector en la región activa se puede obtener igualando VCB = OYVBE =
VCE, es

y el valor correspondiente de la corriente de base es

Entonces el transistor pasa a la saturación. La saturación de un transistor se puede definir como el
punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base no aumenta en forma apreciable la
corriente de colector. En la saturación, la corriente de colector permanece casi constante. Si el
voltaje de saturación de colector a emisor es VCE(sat),la corriente de colector es

y el valor correspondiente de la corriente de base es

En el caso normal, el circuito se diseña para que lB sea mayor que lBS. La relación de lB a lBS se
llama factor de sobresaturación (ODF, de overdrive factor):

y la relación de les a lB se llama 13forzada:

La disipación total de potencia en las dos uniones es

MOSFET DE POTENCIA

Un BJT es un dispositivo controlado por corriente, y requiere corriente de base para que pase
corriente en el colector. Como la corriente de colector es independiente de la corriente de entrada
(o de base), la ganancia de corriente depende de la temperatura de la unión. Un MOSFET de
potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere una pequeña corriente de
entrada. La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos de conmutación son del orden de
nanosegundos. Los MOSFET de potencia están encontrando aplicaciones cada vez más numerosas
en convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Los MOSFET no tienen los problemas de
fenómenos de segunda avalancha, como los BJT.
Características en estado permanente

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy
alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden de los nanoamperes. La
ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de drenaje ID y la corriente de
compuerta IG suele ser del orden de 10^9. Sin embargo, la ganancia de corriente no es un
parámetro importante. La transconductancia, que es la relación de la corriente de drenaje al
voltaje de compuerta, define a las características de transferencia, y es un parámetro muy
importante.

Para los MOSFET de tipo de decremental, el voltaje de compuerta (o de entrada) podría ser
positivo o negativo. Sin embargo, los MOSFET de tipo de incremental responden sólo a un voltaje
de compuerta positivo. En general, los MOSFET de potencia son del tipo de incremental. Sin
embargo, los de tipo decremental tendrían ventajas y simplifican el diseño lógico en algunas
aplicaciones que requieren alguna forma de interruptor de lógica compatible para cd o ea que
permaneciera cerrado cuando la fuente de potencia falla y VGS se vuelve cero. Ya no se
describirán más las características de los MOSFET de tipo de decremental.

COOLMOS

El COOLMOS [9-11], que es una nueva tecnología de MOSFET de potencia para alto voltaje,
implementa una estructura de compensación en la región vertical de desplazamiento de un
MOSFET, para mejorar la resistencia en estado activo. Para un mismo, encapsulado, tiene menor
resistencia en estado activo en comparación con la de otros MOSFET. Las pérdidas de conducción
son cinco veces menores, cuando menos, en comparación con las de la tecnología MOSFET
convencional. El COOLMOS es capaz de manejar de dos a tres veces más potencia de salida que la
de un MOSFET convencional en el mismo encapsulado. El área activa de microcircuito de un
COOLMOS es unas cinco veces menor que la de un MOSFET normal.

Los dispositivos COOLMOS se pueden usar en aplicaciones hasta límites de potencia de 2 kVA,
como los suministros de corriente para estaciones de trabajo y servidor, fuentes ininterrumpibles
de energía (UPS), convertidores de alto voltaje para sistemas de microondas y médicos, hornos de
inducción y equipo de soldadura. Estos dispositivos pueden reemplazar a los MOSFET
convencionales de potencia en todas las aplicaciones, en la mayor parte de los casos sin
adaptación alguna de circuito. A frecuencias de conmutación mayores de 100 kHz, los dispositivos
COOLMOS ofrecen una mejor capacidad de manejo de corriente, como por ejemplo un área
mínima requerida de microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja de tener un
diodo inverso intrínseco. Toda oscilación parásita que pudiera causar disparos negativos del
voltaje entre drenaje y fuente se fija a un valor definido por el diodo.

SIT

Un SIT es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. Desde la invención de los dispositivos
estáticos de inducción, por J.Nishizawa [17] en Japón, la cantidad de dispositivos en esta familia
está creciendo [19]. En esencia, es la versión del tubo triodo al vacío, pero en estado sólido. En la
figura 4.27 se ve el corte transversal de la estructura de silicio de un SIT [15], así como su símbolo.
Es un dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. Así, no está sujeto a limitaciones
de área, y es adecuado para funcionamiento de alta velocidad con alta potencia.
Un SIT es idéntico a un JFET, excepto por la construcción vertical y de compuerta enterrada, que
produce una menor resistencia de canal y causa menor caída de voltaje. Un SIT tiene corta
longitud de canal, baja resistencia de compuerta en serie, baja capacitancia entre compuerta y
fuente y pequeña resistencia térmica. Tiene bajo ruido, baja distorsión y capacidad de alta
potencia en audiofrecuencia. Los tiempos de encendido y apagado son muy pequeños, en forma
típica de 0.25ms

Un SIT, en el caso normal, es un dispositivo encendido, y un voltaje negativo de compuerta lo

mantiene apagado. Los SIT pueden operar con potencias de 100 KVA a 100 kHz, o de 10 VA a 10
GHz. La especificación de corriente de los SIT puede llegar hasta a 1200 V, 300 A, y la velocidad de
conmutación puede ser hasta de 100 kHz.

IGBT

En un IGBT se combinan las ventajas de los BIT y de los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de
entrada, como los MOSFET, y pocas pérdidas por conducción en estado activo, como los BJT. Sin
embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseño y la estructura del
microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, Rvs, para que se
comporte como la de un BJT [13-14].

Los IGBT tienen dos estructuras: de perforación (PT, de punch-through) y de no perforación (NPT,
de non punch-through). En la estructura IGBT PT, el tiempo de conmutación se reduce usando una
capa de acoplamiento n muy dopada, en la región de corrimiento cerca del colector.

Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia. Como en un

MOSFET, para el encendido se hace positiva la compuerta con respecto al emisor, los portadores n
son atraídos al canal p cerca de la región de la compuerta; esto produce una polarización en
directa de la base del transistor npn, que con ello se enciende. Un IGBT sólo se enciende
aplicándole un voltaje de compuerta positivo, para que los portadores n formen el canal, y se
apaga eliminando el voltaje de compuerta, para que el canal desaparezca. Requiere un circuito de
control muy simple. Tiene menores pérdidas de conmutación y de conducción, y al mismo tiempo
comparte muchas de las propiedades adecuadas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de
excitación de compuerta, corriente pico, buenas características y robustez. En forma inherente, un
IGBT es más rápido que un BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutación de los IGBT es menor
que la de los MOSFET.