FUENTES DE LUZ

FUENTES DE LUZ

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 1

 FUENTES DE LUZ

FOTOEMISORES

CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES

• Los átomos al unirse en un sólido producen una

subdivisión en niveles de energía donde se mueven
los electrones: Bandas de Energía del Material.
• Si un electrón se mueve dentro de una misma banda
no emite ni absorbe energía, siempre ha de situarse
en una banda.
• Las bandas más interesantes son las más externas
que caracterizan química, eléctrica y ópticamente a
los materiales:
1. Banda Valencia (BV): Se sitúan los electrones
más lejanos al núcleo y en ausencia de
excitación permanecen en ella
2. Banda Conducción(BC): Exterior a la anterior.
Se disponen los electrones libres que
producen corriente eléctrica
E
BC
EC

Banda
Eg Prohibida

EV
BV Eg= EC- EV

Diagrama de Bandas de un Material

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 2

 FUENTES DE LUZ

FOTOEMISORES

CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES (Cont)

• Entre BV y BC existe una llamada Banda Prohibida

cuyo salto de energía, determina las características
conductivas del material
• Para que un electrón pase de BV a BC debe
suministrarse una energía > Eg. Rompiéndose un
enlace covalente creando un par electrón-hueco
(con movilidad para crear corriente eléctrica)
• Dependiendo de la magnitud de Eg se dice que un
material es aislante (Eg con valores muy altos) o es
conductor (Eg = O, bandas superpuestas)
• Un semiconductor es un material que a bajas
temperaturas se comporta como aislante y que a
temperaturas mayores se convierte en conductor
• Un semiconductor dopado es aquél que se le ha
añadido a su estructura molecular impurezas que
agregan portadores (electrones o huecos)
débilmente ligados al núcleo (que a temperaturas
ambientes están en BC)
• Un semiconductor dopado será mejor conductor
conductor que un semiconductor puro (intrínseco)
• Se llama Nivel de Fermi de un material al máximo
nivel de energía que cualquier electrón de dicho
material puede poseer a 0ºK, puede que esté en la
banda prohibida

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 3

 FUENTES DE LUZ

FOTOEMISORES

PRINCIPIO DE EMISION ESPONTANEA

• Los electrones de un material tienden a permanecer

en su estado de mínima energía
• Cuando a un material se le suministra energía (calor,
luz) los electrones puede que la absorban pasando
de un nivel E1 a otro E2..Para luego volver a su
estado de energía inicial E1 (recombinación),
devolviendo la energía en forma de radiación:
E2 -E1 = hf (Ley de Plank):
h= constante de Plank
f=frecuencia de la radiación
• Este fenómeno es dinámico y ocurre a T>0ºK, pero
no todas las radiaciones de bandas dan como
resultado radiaciones luminosas
• Si un electrón puede pasar de BV a BC sólo
variando su energía potencia, ésto será breve, luego
caerá de BC a BV recombinándose y liberando
energía en forma de luz (Emisión Espontánea)

Bc

Bv

Electrón Emisión
Absorción Emisión
Hueco Espontánea Estimulada
Interacción Electro-óptica en un Semiconductor

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 4

 FUENTES DE LUZ

DIODOS LEDs

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

• Los diodos electroluminiscentes (LEDs) básicamente

consisten en una unión semiconductora P-N
polarizada en directo, lo que proporciona energía
para que se produzca el fenómeno de emisión
espontánea.
• El nivel de potencia lumínica generada (PL) es
proporcional a la corriente que fluye por el diodo
(I) y depende de varios factores:
PL = I ηr p h f /q p = probabilidad escape del
fotón
ηr= eficiencia cuántica material
q = carga del electrón
• Si se quiere saber la eficiencia del dispositivo (ηD)
definida como la relación entre la potencia eléctrica
(PE) consumida y la potencia óptica generada (PL),
se tiene que:
ηD = PL/PE = ηr p h f /(q V)

• Donde V es la tensión aplicada al LED que se rige

por la ecuación del diodo:
I=IS(exp(qV/KT) –1) K = constante de Boltzman
T = temperatura, ºK
IS = corriente inversa saturación

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 5

 FUENTES DE LUZ

DIODOS LEDs

ESTRUCTURAS TIPICAS

LED de Superfície

Zona activa

+ P

Carcaza Metálica

Estructura de un LED de Superfície

• Aprovecha, para el acople con la fibra, la radiación

que sale de un plano perpendicular al de la unión
• La mayor parte de la radiación es producida por la
zona p de la unión. Radianza de 2W/st cm2
• La eficiencia de generación aumenta mientras más
dopada esté la zona p respecto a la zona n
• Existe absorción producida por atravesar la zona n
• Las pérdidas por refracción quedan reducidas
porque la zona n presenta menor índice de
refracción que la p (Eg n > p ya que Eg inversamente
proporcional a n)
• El disipador se pone en contacto con capa p porque
es allí donde se libera la mayor parte de la energía

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 6

 FUENTES DE LUZ

DIODOS LEDs

ESTRUCTURAS TIPICAS

LED Burrus Simple

Fibra óptica

Zona activa

+ P
Metalizació

SiO2

Carcaza Metálica

Estructura de un LED Burrus Simple

• Eleva la radiación óptica concentrando las corrientes

(en un área comparable a la fibra) y mejorando la
disipación calórica en la zona
• Disminuye absorción producida por atravesar la
zona n mediante la talla de una abertura cóncava en
la zona n
• Se elabora sobre un substrato n (donde
posteriormente se tallará la abertura cóncava se
crece una región p y sobre éste se forma una
delgada película de aislante a la cual se perfora
circularmente y metaliza
• Son considerados dispositivos de alta radianza
50W/st cm2

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 7

 FUENTES DE LUZ

DIODOS LEDs

ESTRUCTURAS TIPICAS

LED Burrus con Heterounión

Fibra óptica

+ P+ Zona de
P Emisión
SiO2

Carcaza Metálica
Metalización

Estructura de un LED Burrus con Doble Heterounión

• Utiliza la estructura de doble heterounión para

mejorar sus prestaciones
• La doble heterounión consiste en tres regiones, las
dos extremas de tipo opuesto tienen igual Eg y
mayor que la central
• La doble heterounión (al igual las heterouniones
simples) logran represar los portadores a
recombinarse en la zona central, debido a las
barreras de potenciales creadas. Además se añade
otro efecto de confinamiento por el menor n de las
regiones laterales
• Lóbulo de emisión lambertiano: Pφ= Po Cosφ

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 8

 FUENTES DE LUZ

DIODOS LEDs

ESTRUCTURAS TIPICAS

LED de Borde ELED

100-150 µm

Substrato

Estructura de un LED de Borde (ELED)

• Recoge la radiación emitida por una de las caras

perpendiculares al plano de la unión
• Se logra un guiado y confinamiento de la luz
utilizando la técnica de doble heteroestructura y
disponiendo convenientemente los índices de
refracción de las capas
• Los modos de propagación de la propia capa activa
son fuertemente absorbidos, mientras que las capas
vecinas (por sus índices de refracción) actúan unas
como medio de transmisión y otras como paredes de
un recinto

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 9

 FUENTES DE LUZ

DIODOS LEDs

ESTRUCTURAS TIPICAS

LED de Borde ELED (Cont.)

• La anchura de la zona activa es muy pequeña

(décimas de µm) en cambio las regiones de
confinamiento se dimensionan de acuerdo con el
tamaño del núcleo de la fibra
• La forma del lóbulo emitido no es lambertiano, sino
lóbulo de sección transversal elíptica
• La cara del dispositivo donde se irradia se cubre con
una película antirefractante de espesor λ/4,
elevando notablemente la potencia óptica de salida
• Se pueden encontrar radianzas encima de 100 W/st
cm2 a 100 mA y potencias entre 1-5 mW
• Menor ∆λ por “filtrado” de resonancia y guiado (20-
30nm)

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 10

 FUENTES DE LUZ

LASER

PRINCIPIO DE EMISION ESTIMULADA

E E
Fc

p p

Fv

Diagrama de Bandas para Situación en Equilibrio e Inversión de

Población
• Inversión de población: se logra inyectando
electrones sobre la barrera de potencial de una
heterounión
• Debido a que igual número de huecos se generan
(en la banda de valencia) los niveles en BV están
libres hasta FV. Como la banda de conducción está
llena hasta FC los fotones de energía > Eg y menor
que FC-FV no pueden ser reabsorbidos, pero si
pueden estimular transiciones de BC a BV,
recombinándose con los huecos (Emisión
Estimulada)
• Además la tasa de generación fotones > tasa de
absorción de fotones

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 11

 FUENTES DE LUZ

LASER

DEFINICION

• Consiste en una unión P-N polarizada en directo

suministrando una corriente de excitación (de
bombeo) suficiente como para crear la inversión de
población
• Se requiere existencia de fotones primarios que al
moverse en el recinto activo desencadenen la
transición en masa
• Los fotones secundarios o generados poseen la
misma frecuencia y fase que el fotón primario
(emisión coherente)
• La selección de la dirección de los rayos se hace
utilizando técnicas de cavidades resonantes con
semi-espejos. La onda va y viene y cuando alcanza
cierto nivel emerge por uno de los semi-espejos
• Ventajas (respecto a los LEDs)
-Potencia óptica una década mayor
-lóbulo de emisión más agudo
-Mayor velocidad de respuesta
-Espectro de radiación mas estrecho (1-5 nm)
• Desventajas:
-Envejecimiento (altas densidades de corrientes)
-Dependencia con la temperatura
-Redes de alimentación más complejas
-Costo

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 12

 FUENTES DE LUZ

LASER

ESTRUCTURAS TIPICAS

Láser Guiado por Ganancia

Metal
Óxido SiO2
Capa de Contacto

Confinamiento P

Capa Activa

Confinamiento N

Substrato

Estructura de un Láser Guiado por Ganancia

• Pueden ser de homouniones pero con las
heterouniones se tienen mejores prestaciones, se
baja la corriente umbral
• La concentración de portadores inyectados en la
capa activa crea un índice de refracción virtual, con
un perfil lateral que realiza el confinamiento en ese
plano
• Los espejos que delimitan la cavidad
transversalmente están formados por dos planos de
exfoliación con tratamiento superficial

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 13

 FUENTES DE LUZ

LASER

ESTRUCTURAS TIPICAS

Láser Guiado por Indice

Capa de Contacto

Metal

Confinamiento P

Capa Activa

Confinamiento N

Substrato

Estructura de un Láser Guiado por Indice

• Es un dispositivo de tecnología de cinta, con
estructura más complicada y por lo tanto más
costosos
• Además del confinamiento debido a la
heteroestructura fuerza otro confinamiento lateral
restringiendo la extensión de la capa activa
• También llamados con heteroestructura empotrada
• El índice de refracción de las paredes de
confinamiento debe ser menor que el de la zona
activa

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 14

 FUENTES DE LUZ

LASER

ESTRUCTURAS TIPICAS

Láser de Realimentación Distribuida (DFB)

Capa Activa DFB

DBR

Capa Activa

Estructura de un Láser de Realimentación distribuida

• Consiste en añadir una red de difracción en la capa

activa elevando la selectividad del dispositivo
• Ampliamente utilizados, es similar en lo que a capas
de confinamiento se refiere, pero no posee espejos,
en su lugar una red de difracción de Bragg o
variaciones periódicas del índice de refracción
• Utilizan cubrimientos anti-reflectivos en los extremos

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 15

 FUENTES DE LUZ

PARAMETROS CARACTERISTICOS

• Longitud de Onda de emisión (λg): Longitud de onda

de máxima potencia emitida
• Anchura espectral (∆λ): Ancho de banda espectral al
50% del pico de máxima potencia emitida
• Lóbulo de emisión: magnitud relativa a la potencia
radiada en función de la dirección, a partir del eje
óptico previsto por el fabricante
• Potencia óptica de emisión (PL): Potencia de
radiación óptica emitida para un valor de corriente
inyectada (W)
• Area radiante: Superficie radiante sobre la unión
semiconductora (cm2)
• Emitancia radiante: Potencia óptica emitida por
unida de área radiante (W/cm2)
• Intensidad radiante: Potencia óptica emitida por
ángulo sólido radiante (W/st)
• Radianza: Potencia óptica emitida por unida de área
y ángulo sólido radiante (W/cm2.st)
• Corriente Umbral (Ith): Intensidad de corriente de
inyección sobre la cual se produce el fenómeno de
emisión de luz

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 16

 FUENTES DE LUZ

PARAMETROS CARACTERISTICOS

• Tiempo de Subida (tr): Tiempo de respuesta a un

escalón en que la señal fotoemitida pasa del 10% al
90% de su valor final
• Tiempo de Bajada (tf): Tiempo de respuesta a un
escalón inverso en que la señal fotoemitida pasa del
90% al 10% de su valor inicial
• Tiempo de retardo (td): Diferencia de tiempo entre
los instantes en que la señal eléctrica de entrada y la
óptica de salida alcanzan el 50% de la máxima
amplitud

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 17

 FUENTES DE LUZ

EJEMPLOS COMERCIALES

LED DE DOBLE HETEROESTRUCTURA

Especificaciones Técnicas de un LED de Doble Heteroestructura

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 18

 FUENTES DE LUZ

EJEMPLOS COMERCIALES

LED DE DOBLE HETEROESTRUCTURA

Especificaciones Técnicas de un LED de Doble Heteroestructura

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 19

 FUENTES DE LUZ

EJEMPLOS COMERCIALES

LASER GUIADO POR INDICE

Especificaciones Técnicas de un LASER Guiado por índice

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 20

 FUENTES DE LUZ

EJEMPLOS COMERCIALES

LASER GUIADO POR GANANCIA

Especificaciones Técnicas de un LASER Guiado por índice

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 21

 FUENTES DE LUZ

EJEMPLOS COMERCIALES

LASER GUIADO POR GANANCIA

Especificaciones Técnicas de un LASER Guiado por índice

COMUNICACIONES OPTICAS; UCV 22