UNIVERSIDAD DE CARTAGENA

CENTRO TUTORIAL CERETÉ

INGENIERIA DE SISTEMAS
CIRCUITOS ELÉCTRICOS Y ELECTRÓNICOS
SEMESTRE V
TUTOR: OSCAR IVÁN MONTIEL PETRO
TALLER 5
ACTIVIDAD GRUPAL ( CIPA) Julio Cesar Berrio Terán
Jesús López Izquierdo
Ángel de Jesús López Martínez

1. Leer el material Semiconductores (Material taller 5) y realice una síntesis

(en un procesador de texto) de los siguientes dispositivos semiconductores:
a. Diodo
Este funciona como un interruptor, la curva característica de undiodo (I-
V) consta de dos regiones es como un circuito abierto y la otra es como un
cortocircuito con muy pequeña resistencia eléctrica, se les llama
rectificadores ya que convierten la energía alterna en continua

. Símbolos De Un Diodo Semiconductor

Clases De Diodos
Diodo pn o Unión pn
Se conocen como uniones pn ningunos de los cristales por separado tienen
carga eléctrica ya que las cargas eléctricas son iguales, por esto son
neutros.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n

al p.

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas zona de carga

espacial, de agotamiento, de depleción, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga

espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la unión.

Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de

proteger cables
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se
dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o
inversa.

Polarización Directa E Inversa.

Polarización directa
Se disminuye la barrera de potencial de carga permitiendo el paso de la
corriente

Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que

conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo
negativo al cátodo

Polarización inversa
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p
y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga
espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la
tensión de la batería
Curva característica del diodo

Tensión umbral, de codo o de partida.

La tensión umbral coincide con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
Potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% dela nominal.

Corriente máxima
Corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule

Corriente inversa de saturación

Corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo admitiéndose
que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Corriente que circula por la superficie del diodo esta corriente es función de
la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión
Tensión de ruptura
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha

Efecto avalancha
Si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran que al chocar
con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción, Estos electrones liberados se aceleran por efecto de la tensión,
chocando con más electrones de valencia.

Efecto Zener
Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de
carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de
la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por
tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105
V/cm
Modelos matemáticos
El modelo Shockley permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones.

Diodos De Propósito Especial.

Diodo avalancha
Semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa.

USOS
Protección
La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos
electrónicos contra sobretensiones.
Fuentes de ruido de RF
Los diodos avalancha generan ruido de radio frecuencia; son comúnmente
Utilizados como fuentes de ruido en equipos de radio frecuencia.

Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a
la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente

Diodo Gunn
Solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le
conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas
tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región
intermedia de material ligeramente dopado.
Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de
frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más
altas (hasta Terahertz).
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores
de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar
los 3 Terahertz.

Diodo laser
Dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las
condiciones adecuadas emite luz láser

Algunas aplicaciones
 Comunicaciones de datos por fibra óptica.
 Lectores de CDs, DVDs y formatos derivados.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.

Diodo LED
un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro
reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y
circula por él una corriente eléctrica

Diodo p-i-n
Estructura de tres capas, siendo el intermedio semiconductor intrínseco, y
las externas, una de tipo P y la otra tipo N
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
 Conmutador de RF
 Resistencia variable
 Protector de sobretensiones
  Foto detector

Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky

Dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas
entre los estados de conducción directa e inversa y muy bajas tensiones
umbral

Diodo Shockley
Dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta
impedancia y ON o baja impedancia
Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.

Circuito Equivalente De Un Diodo Ideal

Si el diodo está polarizado directamente, su circuito equivalente es el un
conmutador cerrado, la resistencia es pequeña.

b. Transistor
TRANSISTORES BIPOLARES
Dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales.
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

Tipos De Transistores De Unión Bipolar

NPN
Consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a
la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida
del colector.

PNP
Consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo
de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa.

Transistor Bipolar de Heterounion

Es una mejora del BJT que puede manejar señales de muy altas
frecuencias, de hasta varios cientos de GHz.
Zonas De Trabajo
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de
Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la
de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el
transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado.
De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en
la carga conectada en el Colector.
↑ IB =↑ IC ; Vbat = RC X IC.
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos
corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja
en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.
El transistor de Efecto de Campo
Dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada.

Características generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una señal muy débil puede controlar el componente
La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se consideran tres tipos principales de FET:

1. FET de unión (JFET)
2. FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de
empobrecimiento)
3. FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de
enriquecimiento)

Transistor Efecto De Campo FET (Field Effect Transistor) Tipos De FET

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate),
Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain).

Operación y Construcción del JFET

Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero solo
tiene una unión Pn en vez de dos, como en el BJT. El JFET de canal n se
construye utilizando una cinta de material de tipo n con dos materiales de
tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una
cinta de material de tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella.

Curva Característica De Transferencia

 Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión
de puerta.

Zona lineal
El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión
VGS.
Zona de saturación

A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y

se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que
existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte

La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas:
Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más
utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor
común en los transistores bipolares.
2. Acceda al siguiente enlace:
 https://app.box.com/s/1lhfg61n25nrk3my6m50tckbrc9qhhuv descargue e
instale el software simulador electronics Workbench (acceda a los
tutoriales) y resuelva el siguiente circuito:

a. Encuentre la corriente total y la corriente que baja por cada rama

Aplicando la ley de ohm tenemos

I1=VT/R1
I1= 0.9/3Ω=0.3 Amperios
Aplicando la ley de ohm tenemos
I2=VT/R2
I2= 0.9/6Ω=0.15 Amperios

Aplicando la ley de ohm tenemos

I3=VT/R3
I3= 0.9/1.5Ω =0.6 Amperios
 La corriente total del circuito es de 1.05 Amperios
Recordemos que aplicando las formulas tenemos
1
RT= 1 1 1 =0.8571428571Ω
+ +
3 6 1.5

Luego aplicando la ley de ohm tenemos

IT=VT/RT
IT= 0.9/0.8571428571Ω=1.05 A

b. Verifique si la corriente de la fuente es igual a la suma de las corrientes de

las ramas paralelas
Fácilmente se puede decir que las sumas de las corrientes independientes
es igual a corriente total del circuito por tal razón tenemos
I1 = 0.3 Amperios
I2 = 0.15 Amperios
I3 = 0.6 Amperios
It = 0.3 A + 0.15 A + 0,6 A = 1.05 A entonces se dice que la corriente total
es igual a la suma de las corrientes en cada rama.
c. Encuentre el voltaje en cada resistencia
Para este caso el voltaje debe ser igual en cada una de las resistencias
.
V1= 3Ω * 0.3 = 0.9V

V2= 6Ω * 0.15 = 0.9V

V3= 1.5Ω * 0.6 = 0.9V

Se puede comprobar que en un circuito de resistencias en paralelo el voltaje es igual al

que entra