1-Conceptos Basicos - 2parte

1.
- Conceptos básicos de electrónica y electricidad
7.- Componentes activos.

El Diodo
Un diodo consiste en una unión PN protegida con una envoltura de plástico o metal de la
que salen dos terminales conectados a las regiones P y N, respectivamente.
40
ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

1.- Conceptos básicos de electrónica y electricidad

Polarización directa de un diodo
La polarización directa de un diodo se produce cuando tenemos conectado un diodo a
una fuente y los terminales de ésta están conectados, respectivamente, el positivo al
ánodo y el negativo al cátodo. En ese caso, el diodo conduce y equivale a una pila de
valor VF, además de actuar como un interruptor cerrado.
p n
Cuando la tensión es superior a la necesaria para

romper la barrera de potencial, la corriente
aumenta rápidamente. La tensión necesaria para
romper la barrera de potencial se denomina
tensión de umbral y es aproximadamente entre
0,2 y 0,3 V si el diodo es de germanio, y entre
0,6 y 0,7 V si es de silicio (este es el caso más
frecuente).
41


Polarización inversa de un diodo
En la polarización inversa del diodo, al conectarlo a una fuente, el terminal positivo
de ésta se conecta al cátodo y el negativo al ánodo. En este caso
el diodo no conduce y funciona como un interruptor abierto.
p n
Cuando el diodo se polariza en sentido inverso

y se va aumentando la tensión, la corriente
inversa es muy pequeña y constante e
independiente de la tensión inversa aplicada.
Por esta razón, a I0 se la denomina corriente
inversa de saturación. Si la tensión inversa
aumenta por encima del valor de ruptura,
empieza a circular una gran corriente inversa
capaz de destruir el diodo.
42


Curva característica de un diodo
Las características de los diodos

semiconductores varían grandemente
con la temperatura. De tal forma que,
cuanto mayor sea la temperatura de la
unión, mayor será el número de
electrones libres y, por tanto, aumentará
la corriente de conducción.
En el germanio estas variaciones son
excesivas, por encima de los 75 ºC se
hace difícil su utilización, mientras que el
silicio puede emplearse hasta los 200ºC
aproximadamente. En la actualidad, la
gran mayoría de semiconductores es de
silicio.
43


Tipos de diodos especiales
Diodo Zener
Se caracteriza por trabajar con polarización inversa y en la tensión de ruptura
o tensión zener. Se usa como estabilizador de tensión.
Diodo LED
Se ilumina cuando circula corriente por él. Se usa en señalización.
Diodo varicap
Posee la facultad de cambiar su capacidad en función de su tensión inversa.
Se usa como condensador electrónico en circuitos resonantes.
Fotodiodo
Es un diodo sensible a la luz, es decir, se vuelve conductor cuando recibe luz.
Realiza la función inversa al LED. Se usa como fotodetector.
44


El transistor bipolar
Además, es la base de todos los circuitos integrados que se fabrican.
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

• Amplificación de todo tipo.
• Generación de señal.
• Conmutación, actuando como interruptores.
• Detección de radiación luminosa.
Una aplicación típica de los transistores en telecomunicaciones son los osciladores de

alta frecuencia, para los que son necesarios transistores especiales.
45


Estructura interna de un transistor bipolar
Es un dispositivo de tres terminales, (Emisor, Base y Colector) equivalente a dos diodos
PN unidos en sentido opuesto.
En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La base del transistor está muy poco impurificada. El emisor está fuertemente impurificado y
el colector con una purificación intermedia entre el emisor y la base.
46


Formas de polarizar un transistor
SATURACION
Unión emisor – base en polarización directa

Unión base – colector en polarización directa
CORTE
Unión emisor – base en polarización inversa

Unión base – colector en polarización inversa
Cuando trabaja en "corte y saturación” se dice que trabaja en CONMUTACIÓN.
ACTIVA
Unión emisor – base en polarización directa

Unión base – colector en polarización inversa =
47


Circuitos de polarización en activa
Para que el transistor funcione correctamente como un amplificador, es necesario polarizarlo
correctamente en su región activa, para lo que se emplea uno de los siguientes circuitos en
continua:
1.- Polarización fija, o polarización de base.
2.- Polarización por realimentación del emisor.
3.- Polarización por realimentación de colector.
4.- Polarización universal.
Para todos estos circuitos de polarización utilizaremos el modelo equivalente del transistor
de Ebers-Moll para Corriente Continua para un transistor NPN:
En el colector una fuente de corriente con un valor igual

a IC o lo que es lo mismo β⋅I B , intensidad por el
colector.
Entre base y emisor se encuentra el diodo
correspondiente con una tensión de polarización entre
sus bornes de 0,7 V de polarización directa.
Recordemos que este circuito equivalente es valido
para el transistor tipo NPN polarizado en activa.
48


1.- Polarización fija o de base:
Ecuación de la malla de base:
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 de donde despejando Ib:
𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
𝐼𝐼𝐼𝐼 = sustituyendo valores queda:
𝑅𝑅𝑅𝑅
12 −0,7
𝐼𝐼𝐼𝐼 = = 0,02 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 20 µ𝐴𝐴
560
𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,02 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑚𝑚𝑚𝑚

Ecuación de la malla de salida o recta de carga:
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 de donde despejando Vce nos queda la expresión:
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉 − 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 y sustituyendo valores 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 12 − 1𝑘𝑘Ω ∙ 6 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑣𝑣

Estas dos ecuaciones nos permiten calcular las resistencias de polarización conocido los
valores del punto de trabajo. Este circuito tiene gran inestabilidad térmica.
49


2.- Polarización por realimentación de emisor:
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) como 𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) despejando Ib:
𝑅𝑅𝑅𝑅+(β+1) ∙𝑅𝑅𝑅𝑅
12 −0,7
𝐼𝐼𝐼𝐼 = = 0,018 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 18 µ𝐴𝐴
560+301∙0,18
𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,018 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 5,5 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) de donde despejando Vce nos queda la expresión:
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉 − (𝑅𝑅𝑅𝑅 + 𝑅𝑅𝑅𝑅) ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 y sustituyendo valores 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 12 − 1,18𝑘𝑘Ω ∙ 5,5 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 5,5 𝑣𝑣
50
Este circuito tiene buena estabilidad térmica.

3.- Polarización por realimentación de colector:
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 como 𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 despejando Ib:
12 −0,7
𝐼𝐼𝐼𝐼 =
270+301∙1
= 0,02 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 20 µ𝐴𝐴 ⇒ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,02 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 de donde despejando Vce nos queda la expresión:
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉 − 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 y sustituyendo valores 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 12 − 1𝑘𝑘Ω ∙ 6 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑣𝑣

Este circuito tiene buena estabilidad térmica pero tiene realimentación de señal.
51


4.- Polarización universal:
Aplicando el teorema de Thevenin al circuito de la base
queda el siguiente circuito:
V1 12
Vbb = ∙ R2 = ∙ 1,2 = 1,28 v
R1+R2 10+1,2
R1∙R2 10∙1,2
Rb = = = 1,07 KΩ
R1+R2 10+1,2
El circuito queda entonces similar al de polarización por realimentación de emisor.
52


4.- Polarización universal:
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) como 𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼
𝑉𝑉𝑏𝑏𝑏𝑏 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) despejando Ib:
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉−𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
1,28 −0,7
𝐼𝐼𝐼𝐼 = = 0,018 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 18 µ𝐴𝐴
1,07+301∙0,1
𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,018 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 5,5 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 + 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ (𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝐼𝐼𝐼𝐼) de donde despejando Vce nos queda la expresión:
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉 − (𝑅𝑅𝑅𝑅 + 𝑅𝑅𝑅𝑅) ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 y sustituyendo valores 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 12 − 1,1𝑘𝑘Ω ∙ 5,5 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 5,95 𝑣𝑣
53
Este circuito es el más usado por tener más posibilidades en amplificación.

Tipos de transistores
54


El transistor de efecto de campo
• El primer transistor de efectos de campo, descrito en 1952 por
Shockley, se llamó JFET (Transistor de efecto de campo de unión).
• Más adelante se desarrolló el FET de puerta aislada (IGFET o
MOSFET) que fue el artífice de los circuitos digitales de alta velocidad y
bajo consumo, base de la tecnología CMOS.
• Los avances se han sucedido y en la actualidad se dispone de
transistores de metal semiconductor (MESFET) y de arseniuro de Galio
(GASFET) para aplicaciones de muy alta frecuencia. De igual manera
para aplicaciones de potencia nació el FET de estructura vertical o
VMOS.
• El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en
forma de electrones como de huecos. En un FET de canal N, la
corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal P, se
debe a huecos.
55


Transistor JFET. Estructura:
El JFET de canal N está formado por una sola
capa de semicondutor tipo N- (canal) sobre un
subtrato tipo P-.
Las conexiones al exterior del canal se
denominan drenador y fuente son del tipo N+.
Encima del canal, que conecta drenador y
fuente, se ha difundido una capa adicional de
tipo P+.
Las dos zonas dopadas tipo P se conectan
conjuntamente y se llama terminal de puerta.
El drenador del JFET es equivalente al colector
del BJT, el emisor al surtidor y la puerta a la
base.
56


Transistor JFET. Funcionamiento:
Si con VGS=0, variamos la tensión VDS, entonces variaremos el tamaño de

la zona de agotamiento y con ello el grosor del canal. De esta manera se
podrá controlar la conductividad del canal. En esta situación fluye una
pequeña cantidad de corriente ID a través del canal (ID=VDS / RDS).
57


A medida que la tensión
VDS aumenta, la anchura
de la región espacial de
carga también aumenta y,
en consecuencia, la
resistencia del canal (pues
la sección efectiva de éste
disminuye). Como
resultado final, la corriente
presenta menor pendiente.
Cuando las regiones espaciales de carga superior e inferior se toquen
(punto P), el valor de la tensión de drenador para el cual ocurre el
estrangulamiento del canal (b) se denomina tensión de saturación VD,sat
58


Para este valor de la tensión VDS la corriente se mantiene constante (IDsat)
y se debe a portadores altamente energéticos que son capaces de
atravesar la zona de agotamiento.
Si VDS sigue aumentando (c), el punto P de contacto se desplaza hacia la
zona de la fuente, y la corriente neta no sufre variación apreciable con
respecto al valor IDsat y es independiente de VDS (zona de saturación).
A los valores de IDsat y VDsat para VGS = 0 se les llama IDSS y VP (tensión
de estrangulamiento o "pinch off") respectivamente y son valores
característicos de cada transistor. El valor de Vp es positivo para un
JFET de canal N (como en nuestro caso) y negativo para un JFET de
canal P.
59


Si aplicamos una tensión VGS menor que cero y vamos aumentando la
tensión VDS observamos que estrangulamos el canal a una tensión VDsat
menor que para el caso VGS = 0 ya que aumenta la polarización inversa
de la unión p-n y, por tanto, la anchura de la zona de agotamiento.
60


Ecuaciones y curvas del JFET:
|VDsat| = |Vp| − |VGS| |VGS(OFF)| = Vp
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑉𝑉

En la zona activa se cumple:
2
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼 1 − | |
𝑉𝑉𝑃𝑃
61


Transistor MOSFET de enriquecimiento. Estructura:
Canal N Canal P
Este transistor tiene la puerta aislada mediante una capa de oxido de silicio.
Cuando VGS=0 no existe corriente de drenador cualquiera que sea el valor de VDS
(serie de dos diodos en oposición y resistencia) y el transistor estará en corte.
Cuando VGS va aumentando empieza a atraer portadores minoriarios del sustrato
hasta formar una capa de inversión a una tensión característica del dispositivo y
se habrá inducido un canal.
62


Transistor MOSFET de enriquecimiento:
El valor de VGS requerido para formar esta "capa de inversión" es la llamada
tensión umbral VGS(th) (o VT).
Si VGS aumenta por encima de VT, el canal inducido es de mayor grosor y la
corriente de drenador ID puede ser mayor.
Una vez el canal ha sido inducido el funcionamiento es similar al del JFET
Conforme aumenta VDS el canal es una resistencia (zona ohmica), hasta que se
estrangula por la zona del drenador en cuyo momento deja de aumentar la ID y de
continuar aumentando la VDS el transistor entra en la zona de saturación donde la
ID se mantiene constante y solo depende de la VGS.
En el momento del estrangulamiento del canal se cumple:

Ecuación que delimita las zonas óhmica y de saturación del dispositivo.
63


Transistor MOSFET de enriquecimiento:
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐾𝐾 (𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑉𝑉)2
Característica de transferencia en
Curvas de salida de MOSFET canal N
zona activa de MOSFET canal N
K es una constante característica del transistor y depende de la movilidad de

64
los portadores, del canal y de la superficie de la puerta.

Amplificadores operacionales
Un amplificador operacional es un componente electrónico activo que tiene dos
terminales de entrada y uno de salida.
Es un circuito integrado formado por varias etapas
amplificadoras diferenciales conectadas entre sí,
imprescindible en muchos circuitos electrónicos
analógicos. Básicamente, es un amplificador lineal de
alto rendimiento que presenta unas características
ideales como amplificador de tensión: alto rendimiento,
ganancia de tensión muy grande, impedancia de
entrada elevada e impedancia de salida baja.
Entre las aplicaciones habituales de este tipo de amplificadores encontramos:
• Realización de operaciones matemáticas, tales como sumas, restas...

• Implementación de filtros activos.
• Realización de circuitos rectificadores de alta precisión.
• Convertidores I -V.
• Realización de conversores analógico-digitales.
65


Características ideales y reales
La importancia del amplificador operacional radica en que sus características reales se
aproximan a las ideales que son:
- Ganancia de tensión Infinita.

- Corrientes de entrada cero.
- Impedancia de entrada infinita.
- Impedancia de salida cero.
- Ancho de banda infinito.
- Tensión de offset nula: en ausencia de tensión de entrada, la
tensión de salida es cero.
Una característica se entiende de valor infinito si es tan grande que al hacerla mayor no se
percibe ningún efecto apreciable en las prestaciones del amplificador.
Una característica se entiende de valor cero si es tan pequeña que no produce ningún efecto
si se reduce.
66


Modos de trabajo del amplificador operacional
El amplificador operacional puede trabajar en tres modos distintos:
En lazo abierto, sin realimentación

Cuando la tensión en la entrada inversora aumenta, la tensión en
la salida disminuye. Cuando la tensión en la entrada no inversora
aumenta, la tensión en la salida aumenta. Se utiliza como
comparador de tensión.
En lazo cerrado, con realimentación negativa

Una parte de la señal de salida se aplica a la entrada inversora.
Se utiliza como amplificador de ganancia constante y en todos
los circuitos lineales construidos con operacionales.
En lazo cerrado, con realimentación positiva

Una parte de la señal de salida se aplica a la entrada no
inversora. Con este tipo de realimentación el operacional trabaja
en saturación.
67


Circuitos con amplificador operacional
Amplificador inversor
La señal de entrada se aplica por el terminal inversor del AO.
Despreciando la intensidad que entra al operacional por su
I2
elevada impedancia de entrada:
𝐼𝐼2 = −𝐼𝐼1
+ −
Debido a la elevada ganancia de voltaje 𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉 −𝑉𝑉 ≈ 0 I1
+ −
Por lo que V = 𝑉𝑉 = 0
𝑉𝑉𝑖𝑖 −𝑉𝑉𝑖𝑖 −𝑹𝑹𝟐𝟐

𝐼𝐼1 = 𝑽𝑽𝒐𝒐 = 𝑅𝑅2 · 𝐼𝐼2 = 𝑅𝑅2 · = 𝑽𝑽𝑽𝑽
𝑅𝑅1 𝑅𝑅1 𝑹𝑹𝟏𝟏
Amplificador no inversor
+ −
Debido a la elevada ganancia de voltaje 𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉 −𝑉𝑉 ≈ 0
+ −
Por lo que V = 𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑖𝑖 I
𝑉𝑉𝑖𝑖
𝐼𝐼 =
𝑅𝑅1
𝑉𝑉𝑖𝑖 𝑹𝑹𝟏𝟏+𝑹𝑹𝟐𝟐
𝑽𝑽𝒐𝒐 = 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅1 · 𝐼𝐼 = 𝑅𝑅2 + 𝑅𝑅1 · = 𝑽𝑽𝒊𝒊
𝑅𝑅1 𝑹𝑹𝟏𝟏
68


Amplificador sumador inversor
Se llama también amplificador inversor multicanal.
Despreciando la intensidad que entra al operacional por su elevada impedancia de
entrada: 𝐼𝐼𝑜𝑜 = −𝐼𝐼𝐼𝐼
+ −
+ −
Por lo que V = 𝑉𝑉 = 0
𝑉𝑉1 𝑉𝑉2 𝑉𝑉3 𝑉𝑉 𝑉𝑉2 𝑉𝑉3

𝐼𝐼i = + + 𝑽𝑽𝒐𝒐 = 𝑅𝑅4 · 𝐼𝐼𝐼𝐼 = −𝑅𝑅4 · ( 1 + + )
𝑅𝑅1 𝑅𝑅2 𝑅𝑅3 𝑅𝑅1 𝑅𝑅2 𝑅𝑅3
Si R1=R2=R3=R4
𝑽𝑽𝒐𝒐 = −(V1+V2+V3)
69


Amplificador restador o diferencial
Despreciando la intensidad que entra al operacional por su elevada impedancia de
entrada, existen dos corientes en el circuito: 𝐼𝐼1 𝑒𝑒 𝐼𝐼2
+ −
+ −
Por lo que V = 𝑉𝑉 y si R1=R2=R3=R4=R
+ − 𝑉𝑉2 𝑉𝑉2
V = 𝑉𝑉 = 𝑅𝑅 · 𝐼𝐼2 = R =
2𝑅𝑅 2
− I1
𝑉𝑉1−𝑉𝑉 𝑉𝑉1−𝑉𝑉2⁄2
𝐼𝐼1 = =
𝑅𝑅 𝑅𝑅
− 𝑉𝑉1−𝑉𝑉2⁄2 𝑉𝑉
𝑽𝑽𝒐𝒐 = −𝑅𝑅 · 𝐼𝐼1 + 𝑉𝑉 = −𝑅𝑅 · + 2 = 𝑉𝑉2 − 𝑉𝑉1 Si R1=R2=R3=R4=R
𝑅𝑅 2
𝑽𝑽𝒐𝒐 = V2−V1
I2
70

1-Conceptos Basicos - 2parte

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

1-Conceptos Basicos - 2parte

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

1.

- Conceptos básicos de electrónica y electricidad

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Cuando la tensión es superior a la necesaria para

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Cuando el diodo se polariza en sentido inverso

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Las características de los diodos

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Además, es la base de todos los circuitos integrados que se fabrican.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Una aplicación típica de los transistores en telecomunicaciones son los osciladores de

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Unión emisor – base en polarización directa

Unión emisor – base en polarización inversa

Cuando trabaja en "corte y saturación” se dice que trabaja en CONMUTACIÓN.

Unión emisor – base en polarización directa

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

En el colector una fuente de corriente con un valor igual

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

𝑉𝑉𝑉 = 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 de donde despejando Ib:

𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,02 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉 − 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 y sustituyendo valores 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 12 − 1𝑘𝑘Ω ∙ 6 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑣𝑣

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Ecuación de la malla de base:

𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,018 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 5,5 𝑚𝑚𝑚𝑚

7.- Componentes activos.

Ecuación de la malla de base:

Ecuación de la malla de salida o recta de carga:

𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑉 − 𝑅𝑅𝑅𝑅 ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 y sustituyendo valores 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 12 − 1𝑘𝑘Ω ∙ 6 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 6 𝑣𝑣

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

El circuito queda entonces similar al de polarización por realimentación de emisor.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Ecuación de la malla de base:

𝐼𝐼𝐼𝐼 = β ∙ 𝐼𝐼𝐼𝐼 = 300 ∙ 0,018 𝑚𝑚𝑚𝑚 = 5,5 𝑚𝑚𝑚𝑚

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

Si con VGS=0, variamos la tensión VDS, entonces variaremos el tamaño de

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES

7.- Componentes activos.

ELEMENTOS DE SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES