Universidad Politécnica Salesiana

Sede: Quito Campus: Sur

Carrera: Ingeniería Mecatrónica Asignatura: Electrónica Analógica
Nombre: Josselyn Moreira Nivel: Quinto Grupo: 1
Fecha: 30/11/2019 Tema: Características internas JFET y MOSFET

Características internas de los transistores JFET y MOSFET, para canal N y canal P

1. Estructura interna transistor JFET canal N
 La corriente de drenador se controla mediante voltaje
(a diferencia de los transistores bipolares donde se
controla la corriente de colector mediante la corriente
de base)
 La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y
existe un valor límite de VGS a partir del cual el canal
se cierra y deja de pasar corriente de drenador
 Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una
resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la
tensión VDS.
Fig 1. Estructura interna de transistor JFET canal N

1.1 Funcionamiento de un JFET canal N

 Unión GS polarizada inversamente

 Se forma una zona de transición libre de portadores de
carga
 La sección del canal depende de la carga de tensión USG
 Si se introduce una cierta tensión de D-S la corriente ID
por el canal dependerá de USG

Fig 2. Funcionamiento del JFET

  Entre D y S se tiene una resistencia que varía el funcionamiento de USG

Fig 3. Funcionamiento de USG

 El ancho del canal depende también de la tensión UDS

 Pasado un límite la corriente ID deja de crecer con UDS

Fig 4. Corriente ID vs UDS

1.2 Características eléctricas de un JFET canal N

Fig 5. Característica real de JFET canal N

 Fig 6. Característica línealizada de JFET canal N

2. Estructura interna transistor JFET canal P

Fig 7. Estructura interna de transistor JFET canal P

2.1 Características eléctricas de un JFET canal P

Curvas idénticas al canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto

Fig 8. Característica eléctrica de transistor JFET canal N

3. Estructura interna transistor MOSFET
Los mosfet se construyen sobre un semiconductor (tipo N o P) que se llama sustrato. Sobre
este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un
semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato. En la primera imagen de
abajo puedes ver el sustrato de tipo P y el drenado y la fuente de tipo N.
Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido metálico aislante que hace de
dieléctrico o aislante entre la fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se coloca una
placa de metal conductor. El óxido con el metal forma la tercera patilla o borne de conexión
llamada puerta o gate.

3.1 Estructura interna transistor MOSFET canal N

S y D = semiconductor/es. A un lado está la patilla llamada sumidero o fuente (S). Al otro
lado la patilla llamada Drenaje (D), drenador o salida. Entre estos dos terminales pasa la
corriente cuando activamos G por medio de tensión. La corriente cuando se activa el
transistor entra por S y sale por D, siempre que G tenga una tensión mínima, llamada tensión
Umbral

G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal conductor y la de abajo el óxido.

P = capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de S y D. En la imagen

de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P.

El canal que queda entre S y D es del material del sustrato y se llama canal. Es la zona que
hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos tensión entre S y D.

Fig 9. Estructura interna de transistor MOSFET canal N

3.2 Funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal N

  Los terminales principales del MOSFET son drenador y
surtidor
 Al aplicar tensión UDS la unión drenador-sustrato impide la
circulación de corriente de drenador

Fig 10. Funcionamiento del MOSFET

 Al aplicar tensión positiva UGS los electrones

libres de la zona P (sustrato) son atraídos hacia
el terminal de puerta
 Por edecto del campo eléctrico se forma un
canal de tipo n (zona rica en electrones) que
permite el paso de la corriere entre drenador y
surtidor

Fig 11. Funcionamiento del MOSFET

3.3 Curva característica del MOSFET canal N

 A partir de un cierto valo de UGS se forma el canal entre el drenador y fuente. Por
debajo de este límite el transistor está en corte
 Dependiendo de la tensi;on UDS se puede tener un equivalente resistivo o de fuente
de corriente entre D y S

Fig 12. Curva característica del MOSFET

4. Estructura interna transistor MOSFET canal P

Debido a que no existe un canal físico entre las terminales drenaje y fuente, la conducción de
corriente es nula para una polarización VDS. Una vez que ajustamos un voltaje positivo a la
entrada de la compuerta de un transistor canal N, tenemos que VGS=+V. El potencial
positivo en la compuerta, ejerce presión en los huecos en el material p. Esto para que se alejen
de el material dieléctrico. Los portadores minoritarios, en este caso electrones, son atraídos
al material dieléctrico, atracción derivada de la polarización positiva de la compuerta. A
medida que se incrementa VGS, también lo hacen los portadores minoritarios en la región
más cercana al dieléctrico. A partir de que comienza a haber conducción, se determina que
ese VGS es igual a VTH, o voltaje de umbral.

Fig 13. Estructura interna de transistor MOSFET canal P

4.1 Curva característica de MOSFET canal P

 Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los
sentidos y corrientes invertidos.

Fig 14. Curva característica del MOSFET canal P

Bibliografía
 Bakshi, U.A.; Godse, A.P. (2007) The depletion mode MOSFET». Electronic
Circuits ISBN 978-81-8431-284-3.
 Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated: John Atalla and
Dawon Kahng fabricate working transistors and demonstrate the first successful MOS
field-effect amplifier