Transistores de potencia

Convertidores cd ca cd cd

Ventajas con respecto a los tiristores

manejan mayores
Frecuencias de conmutación

Desventajas con respecto a los tiristores

Se emplean en bajas potencias

Transistores de potencia
1 BTT Corriente
2 MOSFET Tensión
3 IGBT
Siempre deben operar en las regiones de corte saturación

No operan amplificación

BIT Potencia
Generalmente hte ó p no son muy grandes en comparación a
los Bst de pequeña señal

Configuración de trabajo es la de emisor común

Corte saturación
f IBIVBB
Y
Rt
VB.EE RB

RB Ic PIB ke 0
Kc
M t KE Vac Icrc
VB IB
f
VBE
Icmax Ve
Rc
Icmax IBmax Icmax
Icsativat g

µ
1

IKE
Sat KE
La relación de Icsat e IBI se conoce como BForzada

pr Icsat
IBF
Donde Irse
a
magnitud
la corriente
de
de
corriente
base de
de base
saturación
mayor
Los circuitos se diseñan de tal forma que IBF sea mayor a
IBsat La relación entre ellas se conoce como Factor de
sobre exitación
ODFIIBFIBs.at

Perdidas de Potencia en el transistor

PT VBFIB.tlcEIc
Ejemplo
Se tiene un BIT con p B Rc RVccr 200VVB.BE
0VSiVcElsatI
lVBElsat Datos fabricante

a Colocar el valor de RB que resulta de un Factor de

sobreexitación debo

b Calcular
BF
c Calcular las perdidas de potencia Pi en el transistor

Solución

Icsatisat Icsat
Rc 200ft 18.0909A

IBsat I
psatIBs.at 1809
2.26lAIBF
0DrIBsat IBF 5 2.611 11.306A

RB VBB VBECso.tl 10 15 0.7512

IBI
Pp Iccsatf 18.711.3 1.67
Ipsp
Pts VBEsat.IBFTVBE.at Icsat
Pi su II3 1 Iv 180909 35.04 U
Circuito termico equivalente del transistor
Donde
Dijo Rcs Ti Temperatura unión
ó ó To Temperatura cubierta
Roja Roos Í Rsa Ts Temperatura del disipador
Z ó TA Temperatura ambiente
Roja

de la unión a la cubierta
w
Roja Resistencia tecnica
al disipador termico 04W
Ro as Resistencia tecnica de la cubierta
Roja Resistencia tecnica del disipador termico al ambiente 0
de cubierta
Temperatura
Tca Tj Pr Roja
La temperatura del disipador de calor es
Ts Tc Pt Recs
La temperatura ambiente es PT perdidas de la
TA aTs Pi Roja potencia

Tj TAI Pil Rojo 1Roast 1Roja

La temperatura máxima de unión de un transistor es Tj bote
y
la temperatura ambiente TAI
25C si las impedancias termicas son
Rojo 0.404W y Roos 0.104W y Roja i0.504W
calcule

a Disipación máxima de potencia del dispositivo Pt

b Temperatura en la cubierta To Pri
150025cL
0.410.110.53
12GW TITAR Te q
Rojo Roast t ROJA

Parámetros a considerar al seleccionar transistores de potencia BTT

Icmáx NO pasar Cortesaturación

Fra
Kelsat µ
Ése
va

P Potencia de disipación máxima Iosatva

ton jge.at
I Icmaxp
t off Fmax
ton t toff f F
kesat ke
ke ruptura 7k