Está en la página 1de 7

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

GRADO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y AUTOMÁTICA


EJERCICIOS PRÁCTICOS. CURSO 2013-14

Dpto. de Ing. Electrónica y Comunicaciones


Área de Tecnología Electrónica

EJERCICIOS PRÁCTICOS: ETAPAS CON BJT

8) Diseño de interruptores.
Construir un interruptor serie (con carga a masa) para la conmutación de una tensión de 20V sobre
una carga de 20Ω, controlado mediante una tensión digital con valores 0-5V. Considerar los casos
de utilizar como interruptor un transistor PNP o NPN. Se dispone de transistores de pequeña señal y
de media potencia.

 Existe una multiplicidad de situaciones reales de interés en


las que una tensión debe conmutarse de forma controlada, a
través de un interruptor transistorizado, sobre un circuito o VC
carga conectado a masa. Considerando una tensión continua
de entrada, Vi>0, y una carga resistiva, RL, la situación Vi >0
genérica se muestra en la figura 1. +
 Debe resaltarse que en esta configuración interruptor-carga, RL V0
el control del interruptor presenta aspectos distintivos y de
mayor dificultad que en la configuración carga-interruptor.
En esta última resulta muy directo por la conexión a masa de
uno de los terminales del componente (el emisor, en el caso Figura 1
de un transistor bipolar).

Criterios básicos de diseño:


Si se hace uso de un transistor bipolar como interruptor, puede utilizarse un NPN o un PNP, siendo
obvio que los terminales a realizar esa función deben ser colector y emisor. Con un NPN, la
conducción interna es de colector a emisor; con un PNP, de emisor a colector. Por tanto, a tenor del
sentido de la corriente por el circuito asociado a una tensión de entrada positiva (Vi>0), queda del
todo clara la disposición necesaria de terminales del transistor. En ambos casos, el control del
interruptor se realizará a través del terminal de base.
Dado que con este tipo de interruptores se pretende controlar el suministro de potencia a cargas, se
utilizarán en ambos casos transistores de media potencia. El resto de transistores considerados para
el diseño serán de pequeña señal, dada su función de control.

A) Configuración con transistor PNP.


La configuración del interruptor serie con transistor PNP se muestra en la figura 2, donde, en
principio, no se incluye la resistencia R3. En este caso, el procedimiento básico de control del
transistor principal que realiza la función de interruptor, T, resulta bastante inmediato, tal y como se
describe a continuación para los estados permanentes (diseño estático).

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 1 


Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

I0
Vi T
+
R3
RL V0

R2 I2
R1
VC T1
I1
 
Figura 2

En efecto, puesto que la corriente de base tiene sentido de salida, I2, bastará utilizar un transistor de
pequeña señal, T1, que, actuando como interruptor a masa, habilite o no el camino para esa
corriente. Por otra parte, la configuración permite la saturación del transistor principal, T, a través
de la condición I2>I0/β, para lo que basta elegir adecuadamente el valor de R2.

 VC=0V  T1 en corte  I1 = I2= 0  T en corte  I0 = 0  V0 = 0  interruptor abierto.

 VC=5V  T1 en saturación  I2 habilitada  T en saturación  V0  Vi  VEC T sat


 Vi 
 interruptor cerrado.

Hay que imponer, por tanto, la operación en saturación de los transistores como condición de
diseño, lo que se realizará mediante las resistencias involucradas.

a) Saturación del transistor T conT1 saturado:

Vi  VEB  VCE T 1 sat Vi  VEB Vi  1V Vi


 I2    
T T
 IB T
R2 R2 R2 R2

V0 Vi  VEC Vi
 I0   
T sat
 IC T
RL RL RL

IC Vi Vi
 IB  T
   R2    R L  100  20  2k  R2  1k
T
 R2   R L

Cuanto menor sea R2, y, por tanto, más elevada la corriente de base, mayor será la entrada en
saturación del transistor T, pues mejor se cumplirá la condición al respecto IB>IC/β. De este modo,
la tensión en conducción emisor-colector resultará menor y, en consecuencia, la potencia disipada,
pero a costa de un mayor tiempo en la posterior conmutación a corte. Por tanto, se hace necesario
introducir alguna modificación en el circuito que, sin alterar su operación básica, redunde en una
mejora de los tiempos de conmutación. Esto se lleva a cabo mediante la resistencia R3, como se
analizará con posterioridad (diseño dinámico).

2 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 


Ejercicios prácticos: etapas con BJT

b) Saturación del transistor T1 con T saturado:

VC  V BE (5  0.7)V 4.3V
 IB T1
 I1  T1
 
R1 R1 R1

Vi 20V
 IC  I2    20mA
T 1 sat
R2 1k 

IC 4.3V 20mA 20mA


 IB  T1
    R1  64.5k  R1  20k
T1
1 R1 1 300

c) Inclusión de R3:
La introducción de la resistencia R3 tiene por objeto mejorar la conmutación del transistor principal,
T, a través de la reducción del tiempo de conmutación de saturación a corte. En efecto, la
conmutación a corte de un transistor bipolar se realiza con corriente transitoria inversa de base,
encargada de la descarga e inversión de polaridad de las capacidades equivalentes Ccb y Cbe, tal
como se explica, de forma diáfana, en el punto 6 del tema 6. De no ser posible esa corriente por la
propia estructura del circuito, como sucede en el presente caso, la eliminación de la carga
excedentaria en las regiones semiconductoras se realizaría a través de un proceso de recombinación,
lo que conlleva una mayor duración temporal.

En este sentido, la inclusión de R3 proporciona ese camino, con lo que el mantenimiento de la


polarización directa de la unión emisor-base durante la conmutación a corte del par IC-VCE establece
la corriente transitoria inversa de base (sentido de entrada):
V EB 1V
Transitori o saturación  corte : I B  
R3 R3

De este modo, cuanto menor sea el valor de R3, mayor será esa corriente y, por tanto, más rápida la
descarga de las capacidades equivalentes y, por tanto, la conmutación a corte. Sin embargo, es
preciso tener en cuenta que esa resistencia puede modificar por completo la operación global
cuando los transistores deben conducir, en correspondencia con VC=5V. En efecto, constatando que
la tensión en R3 no puede superar en ningún caso el valor típico de conducción de la unión PN
emisor-base de T, del orden de 1V, caben dos situaciones:

a) Que la corriente por R3, con VEB≈1V, sea compatible con la corriente I2 determinada por la
conducción de T y el valor de R2.
b) Que no lo sea, en cuyo caso, asociado a valores bajos de R3, el transistor T no puede entrar en
conducción, por quedar la tensión VEB por debajo de su valor umbral, y V0=0V de forma
permanente.

Estas situaciones se explican muy bien utilizando los valores numéricos derivados del diseño. Así,
despreciando la tensión colector-emisor de T1 en saturación, resulta:

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 3 


Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

 Conducción de T en saturación:
I0 1A 19V 1V 1V 1V
IB    10mA ; I B  I R 2  I R 3    19mA   10mA  R3   110
 100 R2 R3 R3 9mA

A este respecto, debe observarse, como planteamiento verdaderamente importante, que el efecto
positivo de la inclusión de R3 es doble. Por una parte, habilita el camino para la corriente inversa de
base, como ya se ha explicado, pero, por otra, reduce el valor de la corriente directa de base en
saturación, lo que determina una menor profundización en este estado, con el resultado global de un
menor tiempo de conmutación a corte.

 Imposibilidad de conducción de T:
20V R 1k  R 3 0
VEB  1V , I B  0 : VR 3  I R 3  R3  R3  1V  R3  2   50 ; VR 3   0V
R3  R2 19 19

En consecuencia, el mantenimiento de la conducción saturada del transistor principal, T, al incluir


la resistencia R3, exige un valor de esta superior a 110Ω. Por el contrario, un valor inferior a 50Ω
lleva, indefectiblemente al corte permanente de T. Para valores comprendidos entre ambos límites,
T conducirá en activo, lo que en modo alguno resulta deseable por la función como interruptor a
desempeñar por el transistor.

B) Configuración con transistor NPN.


La configuración del interruptor serie con transistor NPN se muestra en la figura 3. Dado el sentido
de conducción del transistor, de colector a emisor, el primero de estos terminales se conectará a la
tensión de entrada Vi y el segundo a la carga. Por otra parte, puesto que la corriente de base tiene
sentido de entrada, deberá posibilitarse su inyección desde la entrada Vi, lo que se lleva a cabo
mediante la inclusión de una resistencia entre colector y base (R4). En cuanto a habilitar el corte del
transistor, bastará el cortocircuito a masa del terminal de base, lo que se lleva a cabo a través de un
transistor de pequeña señal, T2, como interruptor controlado entre corte y saturación.

I0
Vi T
+
RL V0
R4 I7
VX
R2 I3
I6 I5
R3
V1 T2
R1 I2 I4
VC T1
I1
 
Figura 3
4 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 
Ejercicios prácticos: etapas con BJT

En esta configuración, debe constatarse, como cuestión verdaderamente relevante, que el transistor
T (NPN) trabaja siempre en modo activo y no en saturación como en el caso anterior:

VCE  VCB  V BE  V R 4  V BE  I 6  R4  V BE  V BE

 VC=0V  T1 en corte  I1 = I2= 0  I3 = I4  T2 en saturación  V X  VCE T2


0 
VB T
 0  V BE T
 0.7V  T en corte  I0 = 0  V0 = 0  interruptor abierto.

 VC=5V  T1 en saturación  V1  VCE T1


 0  T2 en corte  I4 = I5= 0  I 6  I 7  I B T

 T en modo activo  V0  Vi  VCE T


 interruptor cerrado.

En el caso de que el interruptor está cerrado, interesa que V0 sea lo más próximo posible a Vi, lo
que significa que el transistor opere en las proximidades de saturación. La ventaja que presenta esta
estructura es que la conmutación a corte es más rápida al no estar saturado el transistor, aunque la
potencia disipada en este caso es mayor.

a) T en modo activo pero minimizando en lo posible su caída de tensión.

 Vi  I 6  R4  VBE T
 V0  V0  Vi  VBE T
 I 6  R4  I 0  R L

 T en modo activo:
IC IE I0 V0 V0
I6  I7  IB      V0  Vi  V BE   R4 
T T
T
     RL T
  RL

 R  Vi  VBE T
 V0 1    Vi  VBE  V0 
4

   R L 
T
1
R4
  RL

 Por tanto, si se verifica R4    RL  V0  Vi  VBE T


 Vi

Es decir, hay que minimizar R4 para perder la menor tensión posible en T (reducir VCE lo máximo
posible), a costa de una mayor corriente por T2 cuando se sature y T esté en corte. Por tanto, T2 se
elegirá también como transistor de media potencia ( V BE T  1V ). Visto de otro modo, se trata de
minimizar la caída de tensión en R4 para que la tensión en base del transistor T sea lo más próxima
posible a Vi. En este caso, considerando los valores indicados en el enunciado:

V0 20V I0
 I0    1A ; I 6  I 7  I B   10mA
RL 20 T

 R4    RL  100  20  2k ; eligiendo R4  100  VR4=10mA100=1V 


V0  Vi  VBE T
 VR 4  ( 20  1  1)V  18V , valor real de tensión en la salida V0.

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 5 


Fundamentos de Electrónica – Grado de Ingeniería Electrónica y Automática

Es importante observar que la obtención de una tensión de salida lo más próxima posible a la de
entrada conlleva utilizar valores de R4 suficientemente bajos, pero ello supone derivar una corriente
por T2 en saturación, tan absurda como innecesariamente alta, en un transistor cuya única misión es
un control ON-OFF y que, por tanto, debe realizarse con la menor corriente posible.

Así, en el caso presente, la elección de R4=100Ω significa perder solo un voltio en esa resistencia,
con lo que se obtiene una tensión de salida de 18V, lo cual es aceptable. Al mismo tiempo, se está
derivando a masa, con T2 en saturación y T en corte, una corriente de 200mA, lo que carece de todo
sentido. La forma de salvar esta contradicción es utilizar un transistor PNP en lugar de la resistencia
R4, tal como se expone al final.

b) Saturación del transistor T2 con T1 y T en corte:

Dado que R2 limita por sí misma la corriente por el colector de T1 y la base de T2, puede
considerarse, sin ningún problema, R3=0.

Vi  VBE Vi  VBE Vi
 IB  I3  I4  T2
 T2

T2
R2  R3 R 3 0 R2 R2

Vi  VCE T 2 sat Vi
 IC T2
 I5  I6  
R4 R4

IC Vi Vi
 IB  T2
   R2   2  R4  100  100  10k  R2  2k
T2
2 R2  2  R4

c) Saturación del transistor T1 con T2 en corte y T en modo activo:

VC  VBE (5  0.7)V 4.3V


 IB T1
 I1  T1
 
R1 R1 R1

Vi  VCE T 1 sat Vi 20V


 IC  I2  I3     10mA
T1
R2 R2 2k 

IC 4.3V 10mA
 IB  T1
   R1  129k  R1  33k
T1
1 R1 300

De nuevo, cabe el comentario, tantas veces reiterado, de que una mayor corriente de base, lo que se
lleva a cabo reduciendo la resistencia asociada al camino correspondiente, supone una saturación
más profunda, pero a costa de un mayor tiempo en la conmutación posterior a corte. Esto implica
una limitación en la frecuencia de operación, pues resulta del todo ineludible la completitud de los
transitorios y el alcance pleno de los regímenes permanentes de corte y saturación en la operación
del transistor en estados extremos.
6 Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 
Ejercicios prácticos: etapas con BJT

d) Inclusión de un transistor PNP en lugar de la resistencia R4:

Como se ha indicado previamente, la existencia de condiciones contradictorias en la elección de la


resistencia R4 puede solventarse mediante su sustitución por un transistor PNP de pequeña señal, tal
como se muestra en la figura 4. En este caso, no hace falta la etapa inversora previa para mantener
la lógica digital en el control de ese transistor PNP y, por tanto, de la configuración global. La idea
básica para la sustitución es muy simple y consiste en utilizar un interruptor PNP controlado, del
tipo indicado en la figura 2, para la habilitación o no de la corriente de base del transistor principal.

I0
Vi T
+
T2 RL V0
I3
I2 R2
R1
VC T1
I1
 
Figura 4

 VC=0V  T1 en corte  I1 = I2= 0  T2 en corte  I3 = 0  T en corte  I0 = 0 V0 = 0   


 interruptor abierto.

 VC=5V  T1 en saturación  T2 en saturación  inyección de corriente en la base de T 


 I 3  I B T  T en modo activo pero al borde mismo de saturación  interruptor cerrado:

V0  Vi  VCE T 
 Vi  VEC T 2 sat .
 VBE T   V V
i BE T  Vi  1V  19V

Con esta estrategia, el transistor está en modo activo pero al borde de la saturación, reduciendo de
este modo la caída de tensión que se tenía anteriormente en la resistencia R4 y el consumo por esta
en el estado de corte del transistor principal. En cuanto al diseño, se siguen exactamente las mismas
pautas que en la configuración de la figura 2, incluyendo la resistencia entre emisor y base de T2.

Depósito Legal Z-1748-2005, ISBN: 84-96214-54-0 7 

También podría gustarte