SEMICONDUCTORES

Los buenos conductores eléctricos contienen una alta densidad de portadores de

carga, en tanto que la densidad de portadores de carga en aislantes es casi cero.
Los semiconductores son una clase de materiales tecnológicamente importantes
en los cuales las densidades de portadores de carga son intermedias entre las de
los aislantes y las de los conductores.

1.- Semiconductores

Los semiconductores tienen el mismo tipo de estructura de banda que un aislante,

pero la brecha de energía es mucho menor, del orden 1 eV. La tabla de abajo
muestra las brechas de energía para algunos materiales representativos. La
estructura de banda de un semiconductor se ilustra en la figura de abajo. Como el
nivel de Fermi está situado cerca de la mitad de la brecha para un semiconductor
y Eg es pequeña, un considerable número de electrones son térmicamente
excitados de la banda de valencia a la banda de conducción. Debido a que hay
muchos niveles vacíos arriba de los niveles térmicamente llenos en la banda de
conducción, una pequeña diferencia de potencial aplicada puede elevar fácilmente
la energía de los electrones de la banda de conducción, lo cual resulta en una
corriente moderada.
A T = 0 K todos los electrones en estos materiales están en la banda de valencia y
no hay energía que los excite a cruzar la banda de energía. Por lo tanto, los
semiconductores son malos conductores a temperaturas muy bajas. Como la
excitación térmica de los electrones al otro lado de la brecha angosta es más
probable a temperaturas más altas, la conductividad de los semiconductores
aumenta rápidamente con la temperatura. Eso contrasta claramente con la
conductividad de los metales, que disminuye poco a poco al aumentar la
temperatura.

Los portadores de carga de un semiconductor pueden ser negativos, positivos o

ambos. Cuando un electrón se mueve de la banda de valencia y entra a la banda
de conducción, deja tras de sí un sitio vacío, llamado hueco, en la banda de
valencia que de otro modo estaría llena. Este hueco (deficiente en electrones)
actúa como portador de carga en el sentido de que un electrón libre de un lugar
cercano puede entrar en el hueco. Siempre que un electrón ingresa en un hueco,
crea un nuevo hueco en el lugar que abandono. Por lo tanto, el efecto neto se
puede ser como el hueco por el que emigra el material en dirección opuesta a la
del movimiento de electrones. El hueco se comporta como si fuera una partícula
con una carga positiva +e.

En un cristal puro que contiene solo un elemento o compuesto, hay igual número
de hoyos y electrones de conducción. Tales combinaciones de cargas reciben el
nombre de pares electrón-hoyo, y un semiconductor puro que contiene dichos
pares se denomina semiconductor intrínseco el cual se muestra en la figura de
abajo. En presencia de un campo eléctrico externo, los hoyos se mueven en la
dirección del campo y los electrones de conducción se mueven en la dirección
opuesta al campo.
2.- Semiconductores que contienen impurezas (dopados)

Cuando se añaden impurezas a semiconductores, tanto su estructura de bandas

como su resistividad se modifican. El proceso de agregar impurezas, denominado
dopaje, es importante al fabricar dispositivos y semiconductores que tengan
regiones bien definidas de diferente conductividad. Por ejemplo, cuando un átomo
que contiene cinco electrones en la capa exterior, como el arsénico, se añade a un
semiconductor, cuatro de los electrones participan en los enlaces covalentes con
átomos del semiconductor y uno queda afuera (Figura de abajo). El electrón
adicional está casi libre de su átomo padre y tienen un nivel de energía que se
encuentra en la brecha de energía, justo debajo de la banda de conducción
(Figura de abajo).
El átomo pentavalente dona en efecto un electrón a la estructura y, en
consecuencia, se conoce como átomo donador. Puesto que los espaciamientos
entre los niveles de energía del electrón del átomo donador y la parte inferior de la
banda de conducción son muy pequeños (por lo común, casi 0.05 eV), solo una
pequeña cantidad de excitación térmica se necesita para hacer que este electrón
se mueva dentro de la banda de conducción (la energía promedio de un electrón a
temperatura ambiente es aproximadamente Kb T ≈ 0.025 eV). Los
semiconductores dopados con átomos donadores reciben el nombre de
semiconductores tipo n ya que la mayoría de los portadores de cargas son
electrones, los cuales tienen carga negativa.

Si el semiconductor se dopa con átomos que contienen tres electrones en la capa

exterior, como indio y aluminio, los tres forman enlaces covalentes con sus átomos
semiconductores vecinos, dejando una deficiencia -un hoyo- de electrón, donde
estaría el cuarto en lace si un electrón de átomo impuro estuviese disponible para
formarlo (figura 43.28 a). Esta situación puede modelarse colocando un nivel de
energía en la brecha de energía, justo por encima de la banda de valencia (figura
43.28 b). Un electrón de la banda de valencia tiene suficiente energía a
temperatura ambiente para llenar estos niveles de impurezas, dejando atrás un
hoyo en la banda de valencia. Ya que un átomo trivalente acepta en efecto un
electro de la banda de valencia, estas impurezas se conocen como átomos
aceptores. Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes (aceptor) se
conoce como semiconductor tipo p porque la mayoría de los portadores de
carga son hoyos con carga positiva.

Cuando la conducción en un semiconductor es el resultado de impurezas de

aceptor o donador, el material dse denomina semiconductor extrínseco. El
intervalos normal de densidades de dopaje para semiconductores extrínsecos es
de 10˄13 a 10˄19 cm˄-3, mientras la densidad de electrones en un
semiconductor común es de aproximadamente 10˄21 cm˄-3.

3.2.- El diodo de unión (La unión p-n)

Una unidad fundamental de un dispositivo semiconductor se forma cuando un

semiconductor tipo p se une a un semiconductor tipo n para formar una unión p–n.
Un diodo de unión es un dispositivo que está a partir de una sola unión p–n. La
función de un diodo de cualquier tipo es pasar corriente en una dirección, pero no
en la otra. Por lo tanto, actúa como válvula unidireccional para la corriente.

La unión p-n se ilustra en la figura 43.28a y consiste de tres regiones diferentes:

una región p, una región n y una pequeña área que se extiende varios
micrómetros de lado a lado de la interfase, llamada región de agotamiento. La
región de agotamiento se puede visualizar tal como surgen cuando las dos
mitades de la unión se unen. Los electrones donadores móviles del lado n más
cercanos a la unión (área de color azul oscuro de la figura 43.28a) se difunden al
lado p y llenan huecos ahí localizados, dejando tras de sí iones positivos
inmóviles. Cuando esto sucede, es posible modelar los huecos que son llenados
tal como si se extendiera al lado n, dejando detrás una región (área de color café
en la figura 43.28a) de iones negativos fijos.

Debido a que los dos lados de la región de agotamiento llevan cada uno una
carga neta, existe un campo eléctrico interno del orden de 104 a 106 V/cm en la
región de agotamiento (véase la figura 43.28b). Este campo produce una fuerza
eléctrica sobre porta- dores de carga móviles cualesquiera restantes que
despejan la región de agotamiento. La región de agotamiento recibe ese nombre
porque está agotada de portadores de carga móviles. Este campo eléctrico
interno produce una diferencia de potencial interno ΔV0 que impide más difusión
de huecos y electrones por la unión y, por tanto, asegura una corriente cero en
la unión cuando no se aplica diferencia de potencial.
La operación de la unión como diodo es más
fácil de comprender en términos de la gráfica de
diferencia de potencial que se ilustra en la figura
43.28c. Si se aplica un voltaje ΔV a la unión, tal
que el lado p se conecte a la terminal positiva de
una fuente de voltaje, como se ve en la figura
43.29a, se reduce la diferencia de potencial
interna V0 en las terminales de la unión; la
disminución resulta en una corriente que
aumenta exponencialmente con un voltaje
directo en aumento, o polarización directa.
Para polarización inversa (donde el lado n de la
unión se conecta a la terminal positiva de una
fuente de voltaje), la diferencia de potencial
interna ΔV0 aumenta con una polarización
inversa creciente; el aumento resulta en una
corriente inversa muy pequeña que rápidamente
llega al valor de saturación I0.

La relación corriente-voltaje para un diodo ideal es

I = I0 (eeΔV/KT-1)
donde la primera e es la base de los logaritmos naturales, la segunda e representa
la mag- nitud de la carga electrónica, kB es la constante de Boltzmann y T es la
temperatura abso- luta. La figura 43.28b muestra un diagrama del circuito para un
diodo bajo polarización directa y la figura 43.29c muestra una gráfica I-ΔV
característica de una unión p–n real que demuestra el comportamiento del diodo.

3.3.- Diodos emisores de luz y de absorción de luz

Los diodos emisores de luz (LED, light-emitting diodes) y los láser

semiconductores son ejem- plos comunes de dispositivos que dependen del
comportamiento de los semiconductores. Los LED se emplean en pantallas de
televisión LCD, iluminación del hogar, linternas y el flash de una cámara. Los
láser semiconductores se usan con frecuencia como apuntadores en
presentaciones y en equipos reproductores de información grabada digitalmente.

La emisión y la absorción de luz en los semiconductores es semejante a la de

los átomos gaseosos, excepto que en la explicación de los primeros se debe
incorporar el concepto de bandas de energía en lugar de niveles discretos de
energía en átomos individuales. Como se ve en la figura 43.30a, un electrón
excitado eléctricamente para entrar en la banda de conducción puede
recombinarse con facilidad en un hueco (en especial si el electrón se inyecta
hacia una región p). Cuando tiene lugar esta recombinación se emite un fotón
de energía Eg. Con un diseño apropiado del semiconductor y la envoltura plástica
asociada o espejos la luz de un gran número de estas transiciones servirá como
fuente de un LED o un láser semiconductor.
Por el contrario, un electrón de la banda de valencia puede absorber un fotón de
luz que está por llegar y ser promovido a la banda de conducción, dejando un
hueco detrás (figura 43.30b). Esta energía absorbida se puede usar para operar
un circuito eléctrico. Un dispositivo que opera bajo este principio es la celda
solar fotovoltaica, que aparece en muchas calculadoras de mano. Una
aplicación inicial a gran escala de un arreglo de celdas fotovoltaicas es el
suministro de energía para naves espaciales en órbita. Los paneles solares del
telescopio espacial Hubble como ejemplo.

4.- El transistor

Un transistor de unión está formado por un material semiconductor en el que una

región n muy angosta se intercala entre dos regiones p o una región p se intercala
entre dos regiones n. En cualquier caso, el transistor se forma de dos uniones p–n.
Estos tipos de transistores tuvieron un uso generalizado en los primeros días de
la electrónica con los semiconductores.

La figura 43.31a muestra la estructura de un dispositivo muy común, el MOSFET o

transistor de efecto de campo de semiconductor metal óxido. Es probable que
usted utilice millones de dispositivos MOSFET cuando trabaja en su computadora.

Hay tres conexiones metálicas (la M de MOSFET) en el transistor: fuente, dren y

compuerta. La fuente y el dren están conectados a regiones semiconductoras
tipo n (la S de MOSFET) a ambos lados de la estructura. Estas regiones están
conectadas por un angosto canal de material adicional tipo n, el canal n. Las
regiones de la fuente, el dren y el canal n están incrustados en un material de
sustrato de tipo p, que forman una región de agotamiento, igual que en el diodo
de unión, por la parte inferior del canal n. (Las regiones de agotamiento también
existen en las uniones bajo las regiones de la fuente y el dren, pero se ignoran
porque la operación del dispositivo depende básicamente del comportamiento en
el canal.)

La compuerta está separada del canal n por una capa aislante de dióxido de silicio
(la O de MOSFET, por el óxido). En consecuencia, no tiene contacto eléctrico con
el resto del material semiconductor.

Imagine que se aplica un voltaje de fuente ΔVSD en las terminales de la fuente y

el dren, como se muestra en la figura 43.31b. Con esta situación, f luirán
electrones por la región superior del canal n. No pueden fluir electrones por la
región de agotamiento en la parte inferior del canal n porque esta región está
agotada de portadores de carga.
Ahora se aplica un segundo voltaje ΔV SG en las terminales de la fuente y la
compuerta, como se muestra en la figura 43.31c. El potencial positivo en el
electrodo de la compuerta resulta en un campo eléctrico por debajo de la
compuerta que está dirigido hacia abajo en el canal n (el campo en “efecto de
campo”). Este campo eléctrico ejerce fuerzas hacia arriba sobre los electrones
que están abajo de la compuerta, haciendo que ingresen en el canal n. Esto
provoca que la región de agotamiento se haga más pequeña, ensanchando

el área en donde hay corriente entre la parte superior del canal n y la región de
agotamiento. Cuando el área se hace más ancha, el valor de la corriente
aumenta.

Si se aplica un voltaje variable a la compuerta, por ejemplo el que se genera a

causa de música almacenada en un disco compacto, el área por la que atraviesa
la corriente fuente– dren varía en tamaño, de acuerdo con el voltaje variable de la
compuerta. Una pequeña variación en el voltaje de la compuerta resulta en una
gran variación de corriente y, por consiguiente, un gran voltaje en las terminales
del resistor de la figura 43.31c. Por lo tanto, el MOSFET actúa como amplificador
de voltaje. Un circuito formado por una cadena de estos transistores puede hacer
que una señal inicial muy pequeña se amplifique desde un micrófono lo suficiente
para accionar los potentes altavoces en un concierto al aire libre.