Yefry Alexander Pacheco Cuervo

Resumen

semiconductores
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el silicio,
que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros semiconductores son
el germanio y el selenio.Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red cristalina, en la que
cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente
energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina,
convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.Un semiconductor tiene una
resistividad eléctrica intermedia entre las de los buenos conductores y las de los buenos aislantes. La
enorme importancia de los semiconduc-tores en la electrónica actual se debe, en parte, al hecho de
que sus propiedades eléctricas son muy sensibles a concentraciones muy pequeñas de impurezas.
Describiremos los conceptos básicos, usando como ejemplos de elementos semiconductores al silicio
(Si) y al germanio (Ge).
Cuando un electrón sale de un enlace covalente, deja tras de sí una vacante. Un electrón de un átomo
vecino puede pasar a esa vacante y el átomo vecino se queda con la vacante. De esta forma, la
vacante, llamada hueco, puede viajar por el material y servir como un portador adicional de corriente.
Es como describir el movimiento de una burbuja en un líquido. En un semiconductor puro, o
intrínseco, los huecos en banda de valencia, y los electrones en banda de conducción, siempre existen
en cantidades iguales. Cuando se aplica un campo eléctrico, se mueven en direcciones contrarias .
Así, un hueco en la banda de valencia se comporta como una partícula con carga positiva, aun cuando
las cargas en movimiento en esa banda sean electrones. La conductividad que acabamos de describir,
en un semiconductor puro, se llama conductividad intrínseca. Otra clase de conductividad, que
describiremos en la siguiente sección, se debe a las impurezas.
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar
impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como
intrinseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es
llamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de
átomos dopantes (en el orden de 1 cada 10000000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es
bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10000 átomos)
entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
El quinto electrón de valencia está enlazado muy flojamente ; no participa en los enlaces covalentes y
está apantallado de la carga nuclear de 133e por los 32 electrones, quedando una carga efectiva neta
aproximada de 1e. Podríamos adivinar que la energía de enlace tendría el mismo orden de magnitud
que la del nivel n 5 4 en el átomo de hidrógeno, esto es, A 14 B 2 1 13.6 eV 2 5 0.85 eV. De hecho, es
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mucho menor, sólo de aproximadamente 0.01 eV, porque la distribución de probabilidad electrónica
se extiende en realidad por muchos diámetros atómicos, y la polarización de los átomos que
participan brinda un apantallamiento adicional. El nivel de energía de este quinto electrón
corresponde en la representación debandas a un nivel aislado de energía en el intervalo vacío, a 0.01
eV aproximadamente abajo del fondo de la banda de conducción . Este nivel se llama nivel donador, y
el átomo de impureza responsable del mismo se llama donador. Todos los elementos del grupo V,
incluyendo N, P, As, Sb y Bi pueden servir como donadores. A temperatura ambiente, kT es de unos
0.025 eV. Esto es bastante mayor que 0.01 eV, por lo que a temperaturas ordinarias, la mayoría de
los electrones pueden ganar la energía suficiente como para saltar de los niveles del donador a la
banda de conducción, donde quedan en libertad para vagar por el material. El donador ionizado
queda en su sitio en la estructura, y no participa en la conducción.