República Bolivariana de Venezuela.

Ministerio del Poder Popular para la Educación.

Instituto Técnico “Jesús Obrero”.
Los Flores de Catia
Laboratorio de electrónica

Amplificador fuente común

Alumnos:
Docente:
Acosta Deivis #1
Petruzzella Miguel
Chirinos Moisés #6
Ramírez Alfonso

Caracas,
Mayo del 2020
 Objetivos:
 Determinar experimentalmente los parámetros de la ecuación de transferencia de un
JFET.
 Calcular los componentes de un amplificador fuente común con JFET para que éste
cumpla con ciertas especificaciones.
 Evaluar experimentalmente las características del amplificador diseñado.
 Marco Teórico:
Transistor efecto de campo:

También llamado JFET, es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que

puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia
controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o
compuerta (G) y fuente (S).

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material
p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n.

Canal N Canal P
Características del JFET:

 Impedancia de entrada extremadamente alta.

 La tensión de entrada controla la tensión de salida.
 La corriente del drenador es igual a la corriente del surtidor (ID=IS) y ambas se
expresan como ID.
 Por la alta impedancia de entrada que posee el transistor se considera IB=0.

Configuraciones:

Los JFET pueden utilizarse en tres configuraciones fundamentales: surtidor Común

y drenador común. De igual comportamiento que las tres respectivas configuraciones del
transistor bipolar, sirven para los transistores de efecto decampo con graduador aislado o
IGFET.

 Amplificador de surtidor común: Impedancia de entrada extremadamente alta,

resistencia de salida modera, alta ganancia de tensión, ganancia de corriente
extremadamente alta, ganancia de potencia extremadamente alta, 180° de relación
fase

entrada/salida, comúnmente usado como amplificador de tensión.

 Amplificador de drenador común: Impedancia de entrada extremadamente alta,

resistencia de salida baja, ganancia de tensión inferior a 1, ganancia de corriente
extremadamente alta, ganancia de potencia extremadamente alta, 0° de relación fase
entrada/salida, comúnmente usado para acoplamiento de impedancias (alta-baja).
  Amplificador compuerta común: Impedancia de entrada muy baja, resistencia de
salida modera, moderada ganancia de tensión, ganancia de corriente inferior a 1,
ganancia de potencia moderada, 0° de relación fase entrada/salida, comúnmente
usado como amplificador de alta frecuencia estable.

Regiones de operación del transistor:

En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las

regiones lineal y de saturación. En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente
crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta
llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS.

Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la
región
activa
normal
de los
transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de
base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del
JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las
regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.

Punto de operación:

Para amplificadores con transistores la corriente y el voltaje de cd resultantes

establecen un punto de operación en las características que definen la región que se
empleara para amplificar la señal aplicada. El punto de operación también puede variar
según la temperatura, este se expresa de la siguiente forma:

Q: (VDS ; ID)
 Pre-
Laboratorio:
2.- Dado el siguiente
circuito:

2.1.- Determine en la Hoja de datos del transistor los valores de IDSS y VP.

2.2.- Con el interruptor abierto calcule: IDSQ, VGSQ y VDSQ.

2.3.- La impedancia de entrada y salida del amplificador.

2.4.- La ganancia del amplificador.

2.5.- Determine gmQ.

2.6.-Trace la curva de transferencia y la recta de carga. Indique el punto de operación
estático.

2.7.- Cierre el interruptor y repita los puntos 2.2 hasta 2.6.

Soluciones:
2.1.-

Hoja de datos del transistor.

3IDSS= 2mA 9mA Datos sacados de la

datasheet del
Vp= -7V transistor 2N5458

2.2.-

IDSQ, VGSQ y VDSQ.

Imagen 1: Procedimiento para obtener la ecuación cuadrática de VGS

Imagen 2: Valores de VGS

Entre las dos opciones esta es la
que posee un valor entre 0 y Vp
(-7V)
VGS1= -3,19V

Imagen 3: Valor de IDSS

 Nota: como el valor de IDSS del transistor varia desde 2mA hasta 9mA de determinó el
IDSS utilizado en el diseño del circuito de forma que IDSS sea la máxima corriente del
circuito y considerando la escala dada por la datasheet del dispositivo.

Imagen 4: Valor de ID

Imagen 5: Valor de VDS

Imagen 6: Valor de gm

Resultados:

IDQ= 7,83x10 ^-4 A Q: (8,47V ; 2,66mA)

VDSQ= 8,47V

VGSQ= -3,19V

gmQ= 1,278x10^-4 ᶷ

2.3.-

Impedancia de entrada y salida del amplificador.

Zi= 330K

Zo= 3,3K

2.4.-

Ganancia del amplificador:

2.5.-
Imagen 7: Circuito con Modelo
El valor gmQ fue determinado en la actividad 2.2 con el resto de datos del amplificador ya
que este dato era necesario para la obtención de Av en la actividad 2.4.
Imagen 8: valor de Av

gmQ= 1,278x10^-4 ᶷ

2.7.-

Interruptor cerrado.

Con el interruptor cerrado los cálculos de las actividades 2.2, 2.5 y las gráficas de la
actividad 2.6 siguen aplicando para el nuevo circuito, estas actividades mencionadas son de
análisis DC por lo que cerrando el interruptor cuando se realice dicho análisis C3 se
abrirá quedando exactamente el mismo circuito trabajado en las actividades 2.2, 2.5 y 2.6.
Al cerrar el interruptor la modificación afectará únicamente a los análisis AC, actividades
2.3 y 2.4.

Zi= 330K Son los mismos valores que en la actividad 2.3 ya que al
cerrar el interruptor no se ven afectados estos valores.
Zo= 3,3K

Imagen 11 valor de Av= -0,4217

Laboratorio:
1.- Determine experimentalmente los valores de IDSS y VP del transistor.
Cálculos:

Imagen 12

IDSS= 1,95mA; VP= -4,7V

Imagen 13: Medición práctica

IDSS= 1,956mA; VP= -4,7V

Imagen 14: Porcentaje de error

Tabla #1: Comparación de valores en Vp e IDSS

Parámetro Valor teórico Valor medido Error porcentual

VP -4,8V -4,5V 4,26%
IDSS 1,91mA 1,956mA 2,40%

Para realizar la medición se usó una fuente variable entre los terminales Gate y tierra, con
el negativo en Gate y el positivo en tierra para modificar el valor de VGS para, a su vez,
poder hacer la medición correcta de VP e IDSS. Teniendo en cuenta la definición de IDSS, la
misma siendo la corriente por el drenador cuando la tensión VGS=0, y VP siendo la tensión
VGS cuando la corriente por el drenador ID=0. Se usa la fuente variable para manejar la
tensión VGS, visualizando que cuando VGS=0 pasa una corriente por el drenador que es
igual a la del surtidor, la misma arroja un valor en el multímetro de 1,956mA. Poco a poco
se va subiendo la tensión de la fuente variable, hasta llegar a 4,5V, que es cuando la
corriente se hace tan pequeña que llega a microamperio y podemos deducir que VP=VGS=
-4,7V.

2.- Monte el circuito del prelaboratorio. Conecte la entrada de señal a tierra. Alimente el
circuito y mida IDSQ, VGSQ y VDSQ.

Imagen 15.1: Cálculos

Imagen 15.2: Cálculos

 Imagen 15.3: Cálculos

Resultados Teóricos:

VGSQ= -1,26V

IDQ= 1,05A

VDSQ= 7,3125V

Imagen 16: Medición

Resultados Medidos:

VGSQ= -1,3V

IDQ= 1,09mA

VDSQ= 7,1V

Imagen 17: Porcentaje de Error

Tabla #2: Comparación de valores en VGSQ, IDQ y VDSQ

Variable Valor teórico Valor práctico Error porcentual

VGSQ -1,26V -1,3V 3.17%
IDQ 1,05mA 1,09mA 3,81%
VDSQ 7,3125V 7,1V 2,91%
Ante la ausencia de un transistor JFET 2N5458 en el simulador Multisim 14.0 y en Proteus
8, se toma un transistor JFET 2N5486, que tiene algunas similitudes y funciona de
maravilla para el diseño dado del amplificador. Esto se demuestra debido a que, al hacer la
medición, se denota que el 2N5486 se encuentra en una región activa de la hoja de datos, ya
que la corriente que atraviesa el drenador (que es aproximada a la del surtidor) es un poco
mayor a la mitad que la IDSS , eso significa que tiene un balance, pues no es tan pequeña ni
tan alta, lo mismo pasa con la tensión entre el drenador y el surtidor, pues se mantiene con
el mismo balance de no ser tan alta ni tan baja a lo que indica Vp.

Se determinó el valor de la tensión VGS mediante la caída de tensión en la resistencias Rs,

debido a que así se minimiza el error por impedancia del voltímetro y dio un valor más
acertado y cercano a lo deseado, pues solo hubo un error de 4%. Al medir la tensión VDS
se puso entre los terminales del drenador y del surtidor, lo ideal, así se logró un valor muy
cercano al esperado. Para ver la corriente ID se abrió el circuito en el drenador y se colocó
el multímetro en serie al drenador del transistor y la resistencia de 3,3kΩ; para comprobar
si IG= 0 e ID=IS se vio la corriente del surtidor, al hacerlo se mostró una diferencia muy
mínima entre ambos, tanto que ni era reflejada en el multímetro.

3.- Ajuste la tensión CC del generador de funciones a 0 V. Introduzca al circuito una

señal sinusoidal. Visualice simultáneamente las tensiones de entrada y de salida.
Ajuste la amplitud de la señal de entrada hasta el punto en que la señal de salida
comienza a cortarse. Dibuje las ondas de entrada y de salida.

Imagen 18: Cálculos teórico

Av= -0,44
 Imagen 18: Medición

Gráfica #1: Tensión de salida con respecto a la tensión de entrada cuando Vi = 1.25V

Time/Div: 200us/div; Channel A: Volts/Div: Vi= 1V/div; Channel B: Volts/Div: Vo=

1V/div

Vo= 573mV; Av=Vo/Vi

Av= 573mV/1,25V
En la gráfica #1 se muestra cómo se
Av= 0,46 invierte la señal --> Av= -0,46

Av= -0,46
 Imagen 19: Porcentaje de error

Tabla #3: Comparación de valores de la ganancia

Variable Valor teórico Valor práctico Error porcentual

Av -0,44 -0,46 4,55%

Para que la salida no tuviera una componente DC, se le añadió una resistencia de carga de
1kΩ, cuya salida sería la caída de tensión en dicha resistencia y pasando por un
condensador de acoplamiento DC, eliminando el peldaño en que quedaba la sinusoide de
salida.

Se fue incrementando poco a poco la señal de entrada antes de entrar en corte, cuando
llegaba a 1,3V ya la señal se cortaba, entonces se tomó 1,25V para hacer el cálculo. Como
era de esperarse de un JFET, no tiene una ganancia favorable, pese a que la resistencia de la
compuerta es muy alta, dándonos una aproximación de que la impedancia de entrada será
alta independientemente de lo que reste, una de las mejores virtudes del JFET.

Se nota en la gráfica #1 cómo es mucho menor la señal de salida (sinusoide azul) con
respecto a la entrada (sinusoide blanca), y esto nos da a entender que el amplificador no es
de ganancia alta, pero es bueno para comenzar un amplificador en cascada por su
impedancia interna tan alta. Los valores de la ganancia son comparados teóricamente y
prácticamente y la comparación es reflejada en la tabla #3, donde es notorio que no hay
tanta diferencia entre lo teórico y lo práctico.
4.- Disminuya la amplitud de la señal de entrada hasta el punto en que los semiciclos
positivos, y negativos de la señal de salida sean de la misma amplitud. Dibuje las ondas
de entrada y de salida. Determine Av.

En el simulador usado para la práctica no hay un punto en el que Vo = -Vi, Esto se debe a
que esto solo se manifiesta en físico, debido a que el simulador está recogiendo las
amplitudes de las señales de los valores picos recogidos por la fórmula que involucra Vrms,
siendo los mismos valores eficaces que determinan la ganancia en una función lineal
f(x)=mx+b, adaptado al circuito, Vo(vi)= A.Vi. La amplitud de salida, se podría decir que
siempre a veces la amplitud de entrada.

5.- Obtenga las frecuencias f1 y f2 a las cuales 𝐴𝑣=𝐴𝑣𝑜/√2, donde Avo es la ganancia
obtenida en el punto 3. Determine el ancho de banda del amplificador.

El docente recomienda hacer el cálculo de Av usando Avo y ajustar la señal de entrada

hasta que la ganancia sea 𝐴𝑣=𝐴𝑣𝑜/√2

Avo es la ganancia del circuito en la salida abierto, debido a que la carga tiende a infinito.
Ya que no se puede deducir que la ganancia obtenida en el punto 3 sea una ganancia en
circuito abierto, debido a que la carga es de 1kΩ y no tiende a infinito, esto quiere decir que
la ganancia en el circuito nunca será Avo, la única forma de que esto ocurra es que la carga
tienda a infinito, cosa que no es nuestro caso. El cálculo respectivo de Avo, haciendo el
despeje, será:

𝐴𝑣√2=𝐴𝑣𝑜  𝐴𝑣𝑜= -0,44*√2

𝐴𝑣𝑜= -0,62
 Conclusión:
El trabajo no se pudo realizar de la manera adecuada debido a las dificultades que se
encontraron en las aplicaciones de simulación. Sin embargo. Se pudo cumplir algunos de
los objetivos sin ningún tipo de inconveniente
 Referencias Bibliográficas:

 [Artículo en línea]. Disponible en:

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
(Consultado 2020, Mayo 8).

 [Artículo en línea]. Disponible en:

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html
(Consultado 2020, Mayo 10).

 [Artículo en línea]. Disponible en:

https://www.ecured.cu/Transistor_de_efecto_campo
(Consultado 2020, Mayo 10).

 [Artículo en línea]. Disponible en:

https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet
(Consultado 2020, Mayo 10).