Laboratorio de electrónica – EIE 445

Experiencia #3

Alumnos: Mauricio Galdames

Joaquín Maturana

Profesor: Daniel Yunge Sepúlveda

Fecha: 10 de mayo de 2018

 Índice

Contenido
Índice ................................................................................................................................................... 2
Experiencia 2: Circuitos de polarización de transistores FET .............................................................. 3
Objetivos ......................................................................................................................................... 3
Desarrollo ........................................................................................................................................ 3
Materiales, componentes e instrumentos: ................................................................................. 3
Síntesis del experimento: ............................................................................................................ 3
Conclusiones y comentarios:............................................................................................................... 5
 Experiencia 2: Circuitos de polarización de transistores FET

Objetivos
Diseñar dos circuitos de polarización JFET/MOSFET a la vez de observar su estabilidad ante
variaciones en la fuente de alimentación y características del transistor.

Desarrollo
Materiales, componentes e instrumentos:
- Resistencia de 100Ω -Potenciómetro 10kΩ -Multitester
- Resistencia de 470Ω -MOSFET tipo N [VN0610]

Síntesis del experimento:

𝑅𝐷 = 470 Ω

𝑅𝑆 = 100Ω

𝑉𝑆 = 5𝑉, 9𝑉, 12𝑉

Se armo el circuito de polarización con divisor de tensión tal como

lo indica la figura 2.1 y con Vs en 5V se ajustó el potenciómetro
hasta tener un valor de 2mA en la corriente de drenado. Luego se
midió el punto de trabajo para 5,9 y 12V sin variar el
potenciómetro, estos datos están plasmados en la siguiente tabla:

Vs[V] Vgs[V] Id[mA]

5 0,721 2
9 0,625 6 Figura 2.1
12,04 0,5 8,9
Estos datos se comparan con los obtenidos con el MOSFET de
nuestros compañeros, que, al momento de intercambiarlos, se obtuvieron los siguientes
datos:

Vs[V] Vgs[V] Id[mA]

5 0,75 2
9 0,65 5,8
12,04 0,48 8,9
 El mismo procedimiento se llevo a cabo con el circuito de
polarización con retroalimentación. Tal como lo muestra la
figura 2.2 y los datos están presentes en la siguiente tabla:

Vs[V] Vgs[V] Id[mA]

5 0,737 2
9 0,67 5,6
12 0,55 8,2

Y nuevamente al hacer la medición con el MOSFET de nuestros compañeros se obtuvo:

Vs[V] Vgs[V] Id[mA]

5 0,74 2
9 0,68 5,55
12 0,59 8,2

Preguntas: ¿Qué circuito de polarización varió más su punto de trabajo al cambiar la

tensión de la fuente?

Fue el circuito con polarización de divisor de tensión. Al variar en

la misma cantidad Vs, el voltaje compuerta-fuente varió mucho
mas que en el de polarización con retroalimentación.

¿Qué circuito de polarización varió más su punto de trabajo al

cambiar de transistor?

Nuevamente el que más varió fue el circuito de polarización por

división de tensión. Lo que revela que el circuito con
Figura 2.2
retroalimentación puede ser eventualmente más estable.
 Conclusiones y comentarios:
El MOSFET de enriquecimiento requiere una tensión positiva
entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por
la acción de una tensión positiva compuerta a fuente, VGS, que atrae a los electrones de la
región del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una
VGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de
óxido. Cuando la tensión alcanza el valor de umbral, VT, han sido atraídos a esta región de
los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habrá una
corriente apreciable ID hasta que VGS excede VT.

Figura 2.3

-Los transistores FET realizan la función de control de la corriente, común a todos los
transistores por ser característica básica, mediante una tensión aplicada en uno de sus
terminales.
-Están construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres
terminales.
-El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas
características en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenador en
función de la tensión aplicada entre éste y la Fuente.
-Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a la de
los bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las más
utilizadas en la práctica.
-En época reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnología de fabricación de
transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de
sus diferentes regiones semiconductoras.
-Se emplean en amplificadores de potencia, así como en conmutación, haciendo la función
de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen.