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Identificación general
Docente
Felipe Cid Burgos Docentes colaboradores
responsable
felipe.cid@uach.cl Correo electrónico
Correo electrónico
Horario y El día lunes desde las 09:50 a las 11:20 hrs. en la sala 8104, y el dia viernes desde las 09:50 a las 11:20 hrs. en la
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Programa de Asignatura aprobado por Vicerrectoría Académica, Resolución N°140, 2014.
Antecedentes de la asignatura, según proyecto curricular de la carrera
Asignaturas- requisito
ELEL 187 - Ondas, Electrones y Sólidos Créditos SCT-Chile 5
(con código)
Vinculante-profesi
Área de formación Especialidad X General Optativa
onal
Evaluaciones
Clases Expositivas -
Desempeño competencia Formativas: 9 14
Específica Activas, que integran Informes en formato
la resolución de IEEE conferences con
Prof. responsable: C4.D1 problemas y Discusión presentaciones de un
grupal. tema relacionado a la
C4.D2
-Dr. Felipe Cid Burgos. unidad 3, con rubricas
para evaluar. ( 7 %)
Desempeño Competencia Clases prácticas
Semana 11 a 13.
Genérica -guiadas, a través del
Unidad 3 desarrollo de Evaluación sumativa,
C1.D1
diferentes trabajos de por medio de un
C1.D2
investigación. trabajo de
El Transistor de Juntura. C2.D1
investigación en
C2.D2
parejas, con el uso de
3.1.- Equilibrio electrostático y C3.D1
una pauta de
térmico del transistor.. C3.D2
evaluación. ( 10 %)
3.2.- Corriente a través de las Desempeño Competencia
junturas con el transistor Sello
polarizado.
C1.D1
C1.D2
C2.D1
C2.D2
C3.D1
C3.D2
C4.D1
C4.D2
C5.D1
C5.D2
C6.D1
C6.D2
12 18
Desempeño competencia Clases Expositivas - Evaluación sumativa,
Específica Activas, que integran por medio de un
la resolución de trabajo de
C4.D1 problemas y Discusión investigación en
Prof. responsable: parejas, con el uso de
C4.D2 grupal.
una pauta de
-Dr. Felipe Cid Burgos. evaluación. ( 10 %)
Desempeño Competencia Clases prácticas
Genérica
Semana 14 a 17. -guiadas, a través del
C1.D1 desarrollo de
Unidad 4 C1.D2 diferentes trabajos de
C2.D1 investigación.
Transistor de Efecto de Campo C2.D2
(FET) y dispositivos electrónicos C3.D1
C3.D2
diversos.
Desempeño Competencia
4.1.- Características Corriente - Sello
tensión de un transistor de Efecto
de Campo de juntura (JFET) C1.D1
C1.D2
C2.D1
4.2.- Comportamiento Electrónico
C2.D2
de un transistor de Unión Metal - C3.D1
Semiconductor (MESFET). C3.D2
C4.D1
4.3.- Comportamiento Electrónico C4.D2
de un transistor de efecto de campo C5.D1
Metal - Óxido - Semiconductor C5.D2
C6.D1
(MOSFET).
C6.D2
Requisitos de aprobación
- 70 % de asistencia
- Evaluaciones (fechas y ponderaciones)
- Primera Prueba - Unidad 1, 24 de septiembre del 2018 - ( 30 %).
- Primera Prueba - Unidad 2, 22 de octubre del 2018 - ( 30 %).
- Presentación con informe al final de cada Unidad - ( 20 %).
- Trabajo final del curso (sesión 1) - 29 octubre al 02 de noviembre del 2018 - ( 10 %).
- Trabajo final del curso (sesión 2) - 26 de noviembre al 1 de diciembre del 2018 - ( 10 %).
- Prueba recuperativa - 3 de diciembre del 2018.
- Prueba de Segunda Oportunidad - 10 de diciembre del 2018.
- Otros.
o En caso de obtener un promedio entre 3.0 y 3.9 el estudiante tendrá derecho a rendir una segunda oportunidad de
evaluación. La calificación final que el estudiante obtenga corresponderá a la mayor de las dos calificaciones anteriores,
siendo como máximo posible la nota 4.0.
Es responsabilidad del estudiante conocer todas las fechas y horas de exámenes, pruebas, prácticos, entrega de trabajos y evaluaciones.
Como también la puntualidad en cada actividad.
En este Módulo no se consideran otras oportunidades que no estén establecidas en el calendario de actividades. Se exigirá una asistencia
del 100% a las clases prácticas y de un 70% a las clases teóricas de acuerdo a lo establecido en el RAE.
No tendrá derecho a rendir un examen, prueba, presentación, entrega de trabajos y evaluación a quien tenga un atraso de 15 minutos. En
el caso de los prácticos, se aceptará un atraso de hasta 10 minutos.
La atención de las consultas de los estudiantes en forma individual, se realizará en la oficina del Profesor previa inscripción en cada clase.
El horario de atención para estos alumnos son los martes de 9:50 a 11:20 hrs. en mi despacho.
Las fechas de las evaluaciones están sujetas a cambios (máx. tiempo de postergación de una semana y media). Ya sea por parte del
profesor o por el alumno, mientras exista una disponibilidad de salas.
Dentro de las evaluaciones, aquella secciones que estén rayadas o sean ilegibles no serán revisadas.
Recursos de aprendizaje
Bibliografía
- Obligatoria:
- Alonso M. & Finn E. (1967). Física – Vol III, “Fundamentos Cuánticos y Estadísticos”. Massachusetts: Addison-Wesley.
- Kano K. (1972), “Physical, and Solid State electronics”, Massachusetts : Addison-Wesley.
- Singh J. (1997). “Dispositivos Semiconductores”. México: McGraw Hill.
- Complementaria:
- Shur M. (2002), “The quantum dots”, New Jersey : World Scientific.
- Sugerida.
http://nanohub.org/
Otros recursos
Plantillas del formato IEEE para manuscritos:
http://www.ieee.org/conferences_events/conferences/publishing/templates.html
(Opcional) Editores online de LaTeX que integran plantillas en el formato IEEE.
https://www.sharelatex.com/
https://www.overleaf.com/
Sistema de preparación de documentos - LaTeX.
http://www.latex-project.org/