TEMA 6

Tecnologa y fabricacin de CIs

F. Procesos de grabado y litografa

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa

Los procesos de grabado, limpieza y litografa estn presentes en muchos momentos del
proceso de fabricacin de microcircuitos.
Los procesos de grabado junto con los de litografa se utilizan fundamentalmente para
los siguientes propsitos:

Abrir ventanas en las capas protectoras

depositadas:

De ese modo se realizan difusiones o

implantes en regiones selectivas del
semiconductor.

Grabado en el substrato de Si para

realizar pozos de aislamiento
Crear las diferentes formas de las capas
de metalizacin.
Creacin de capas protectoras.
Formacin de ventanas para acceso a las
conexiones de los cables de metalizacin
de los circuitos (bondig pads).
mjmm@usal.es

Esquema de proceso general de grabado y litografa:

deposicin de pelcula y de la fotoresina, aplicacin de la
mscara en el proceso litogrfico, grabado de la mascara,
grabado de la pelcula, y eliminacin final de la fotoresina

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa
Stress-free silicon in photonics application

Vamos a estudiar:
Transferencia de diseos
Grabado

Tipos de grabado (histricamente)

Conceptos bsicos del grabado

Grabado qumico hmedo:

Definicin de parmetros: Velocidad,

uniformidad, anisotropa, selectividad,
bias, etc.
Caractersticas. Ejemplos
Ventajas y desventajas del grabado
hmedo.

Grabado seco.

Caractersticas.
Proceso IBE
Ejemplos
Silicon Anisotropic Etching. Deep
silicon etch to full wafer
thickness, leaving a 1m
membrane. Wall angle = 54.

mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa

Transferencia de diseos: indica de qu manera un diseo (definido mediante una

mscara) se transfiere a un substrato mediante mtodos qumicos o fsicos.

Existen mtodos aditivos y substractivos

Mtodos substractivos:

En primer lugar se deposita la pelcula sobre

un substrato

Posteriormente se realiza una capa de

mscara con una forma adecuada de manera
litogrfica

Las regiones que no estn cubiertas por la

mscara son eliminadas mediante grabado
Mtodos aditivos o lift-off:

En primer lugar se genera la mscara

Posteriormente se deposita la pelcula sobre la

mscara y el substrato

Finalmente se eliminan las porciones de la

pelcula que recaen sobre la mscara
mediante una disolucin selectiva de la
mscara en un lquido apropiado
mjmm@usal.es

Ilustracin esquemtica de los mtodos

substractivo (a) y aditivo (b) de
transferencia de diseos

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa
Grabado: El trmino grabado se utiliza para describir todas las tcnicas mediante las
cuales el material se elimina uniformemente de una obleaEl grabado es el proceso
contrario a la deposicin

Despus de realizar una deposicin, las capas

depositadas se eliminan=graban de manera selectiva
para formar una forma o un diseo deseados.

La mscara para realizar el grabado es

usualmente:

Una fotoresina
El SiO2 o Si3N4 se utilizan como mscaras ms
resistentes.

Fundamentalmente se realiza el grabado:

De capas delgadas depositadas

Algunas veces del substrato de Si para realizar pozos
de aislamiento ver Figuras
mjmm@usal.es

Perfiles de pozos (grabado SiO2, Si3N4 y

posterior oxidacin)

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa

Grabado:

Ejemplo de grabado ideal de pozos

profundos de aislamientos

mjmm@usal.es

Transistor CMOS aislado mediante pozos

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa

Histricamente el Grabado:

El grabado puede realizarse en un entorno seco o hmedo, histricamente:

Hasta hace unos aos la mayora de la fabricacin de dispositivos se llevaba a

cabo mediante el grabado qumico o grabado hmedo (wet etching) se basa
en sumergir la oblea en una solucin que tiene un disolvente lquido es un
proceso qumico.

En los ltimos aos han sido desarrollados y denominados con el trmino

genrico de grabado seco o grabado asistido por plasma (dry etching) nuevos
procesos de grabado en fase gaseosa Se utilizan disolventes en fase
gaseosa proveniente de un plasma son procesos qumicos y fsicos
Principalmente estudiaremos los procesos de grabado seco siguientes:

Molido inico (ion milling)

Pulverizacin (sputtering)

Grabado inico reactivo (reactive ion etching: RIE)

mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa

Conceptos bsicos del Grabado (I):

Diferentes parmetros que controlan la fidelidad de la reproduccin de la

mscara sobre la capa depositada de material:
Parmetro 1: La velocidad de grabado (R): La velocidad de eliminacin de la
pelcula, tpicamente de 1000 /min.

Parmetro 2 : Uniformidad : U= 2. La uniformidad del grabado (U): % de

cambio en la velocidad del grabado de unas obleas a otras obleas (dentro de un
proceso) o comparativa entre runs de fabricacin.

Se define como

Siendo:
Rhigh= Velocidad de grabado mxima
Rlow= Velocidad de grabado mnima
mjmm@usal.es

Rhigh Rlow
Rhigh Rlow

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa
Conceptos bsicos del Grabado (II): El grabado NO da lugar a paredes
perfectamente rectas bajo el lmite de la mscara tiene lugar de manera vertical y
de manera lateral.

Parmetro 3: Anisotropa (A): Medida de la direccionalidad del grabado.

Siendo:
Rvertical= Velocidad de grabado vertical
Rlateral = Velocidad de grabado lateral

Rvertical Rlateral
Rvertical

Caso ideal: el perfil es totalmente anistropo (no hay grabado lateral) Rlateral =0
En general, lo que se desea es que Rlateral << Rvertical
mjmm@usal.es

A=1 :

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa
Conceptos bsicos del Grabado (III):

Tambien se define Bias (B): mide (en unidades

de distancia) la diferencia en dimensiones
laterales de la imagen mscara (dm) y la capa
atacada (df).

Si Bias=0 el perfil vertical coincide con el lmite

de la mscara Rlateral=0 y la mscara se
Bias del grabado: diferencia en dimensiones laterales
transfiere con fidelidad perfecta (grabado extremo
de la imagen mscara (dm) y la capa atacada (df)
anistropo o grabado vertical) por tanto A=1
Si las velocidades de grabado vertical (Rvertical) y
lateral (Rlateral) son iguales o cuando la velocidad de
grabado es independiente de la direccin se
denomina grabado istropo

Perfiles de grabado (a): Totalmente

anistropo (B=0); (b): Totalmente istropo

mjmm@usal.es

Ilustracin de perfiles de grabado istropos,

anisotropos y completamente anistropos

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa
Conceptos bsicos del Grabado (IV):

Parmetro 3:. La selectividad (ratio de las velocidades de grabado de los

materiales que queremos eliminar y mantener).
El reactivo puede atacar tambin al substrato, a la mscara
y no slo a la pelcula depositada.

Por ello se definen dos selectividades, teniendo en cuenta los tres materiales:
substrato (u oblea), pelcula (film) o mscara.

Sfm: Selectividad pelcula depositada - mscara

Sfs: Selectividad pelcula depositada-substrato

Siendo:

Rf : velocidad de grabado de la pelcula

Rm : velocidad de grabado de la mscara

mjmm@usal.es

RS : velocidad de grabado
del substrato

S fm

Rf
Rm

S fs

Rf
Rs

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

I. Introduccin: Grabado y litografa
Requerimientos generales que ha de cumplir un grabado

Obtener el perfil deseado = direccionalidad (con una cierta pendiente o totalmente vertical)
Obtener un ataque mnimo o bias bajo la mscara
Una gran selectividad entre otras capas expuestas y la resina
Ser un proceso uniforme y reproducible
Obtener un dao mnimo en la superficie y en el circuito
Limpieza, seguridad y coste razonables

La figura muestra los

conceptos de direccionalidad
y selectividad

mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Grabado qumico hmedo: Caractersticas

El grabado es similar al proceso CVD de deposicin excepto porque el material es eliminado en

vez de depositado. Por tanto, tambin consta de tres pasos:

El transporte de masa de los reactantes hacia la superficie a ser grabada

La reaccin superficial que tiene lugar entre los reactivos y la capa que va a ser grabada

El transporte de los productos de la reaccin desde la superficie hacia el exterior.

El grabado hmedo se caracteriza por que las obleas se sumergen en unas baeras
qumicas especficas que contienen un disolvente lquido.

La T de la reaccin y el agitado de la
oblea permiten ajustar la velocidad.
Para realizar el grabado se utilizan
normalmente distintos tipos de reactivos:

Reactivos en fase lquida (grabado

hmedo) los productos de la

reaccin deben ser solubles en

disolventes
Grabado con reactivos en fase
gaseosa los productos de la
mjmm@usal.es
reaccin deben ser
gaseosos o tener
una baja T de sublimacin

Proceso bsico de grabado

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Grabado qumico hmedo: Ejemplos de grabado qumico

El grabado qumico hmedo de materiales cristalinos suele tener lugar en dos fases:

Una oxidacin es similar a oxidacin andica (capas nativas) tiene lugar por la accin de la
diferencia de potencial aplicada en las celdas electrolticas y da lugar al flujo de corrientes de corrosin
que forman el xido
Una disolucin qumica del xido (u xidos) se aaden disolventes qumicos adicionales los
cuales deben ser solubles en agua de modo que eliminen el xido de la superficie del semiconductor

Ambos procesos tienen lugar simultneamente mediante una mezcla de agentes en las
misma solucin del grabado

mjmm@usal.es

Grabado con hidrxido potsico

Montaje para grabado con cido hidrofluoridrico

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Grabado qumico hmedo:

Ejemplo: Grabado istropo de Silicio

Los disolventes comnmente utilizados para el Si son mezclas del HNO3 (cido ntrico)
y del HF (fluordrico) - el H+ es un agente oxidante de alta reactividad.

El papel del HNO3 es el de oxidante para

el Si: por lo que da lugar a grandes
cantidades de SiO2 (este 1er proceso
andico es complicado).
El papel del HF es disolver el SiO2.

En realidad ambas reacciones ocurren en

una nica.
Curvas de la mjmm@usal.es
velocidad de grabado (m/min)
constante del Si en agua y cido actico (en un
sistema de disolucin de HF:HNO3)

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Ventajas y desventajas del grabado qumico hmedo:

Las ventajas del grabado hmedo:

Es altamente selectivo debido a que estn basados en procesos

qumicos

Las desventajas del grabado hmedo:

Proceso fundamentalmente istropo falta de anisotropa

Control del proceso muy pobre
Excesiva contaminacin de partculas

Por ello se utiliza el grabado hmedo para procesos de

grabado que pretendan unos diseos poco crticos.

Hoy da, las tecnologas de Si y GaAs que incluyen:

La necesidad de interconectar un gran nmero de elementos para

formar un circuito
La reduccin de las dimensiones de los dispositivos

Hacen que se necesitan grabados selectivos en base al

tipo de impurificacin o concentracin y a la composicin
del material por lo que la resolucin conseguida con el
grabado hmedo no es suficiente DESARROLLO DEL
GRABADO SECO
mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Caractersticas del grabado seco:

El grabado seco elimina el material mediante haces de iones energticos o reacciones

qumicas ayudadas por plasma se bombardea fsicamente el material a eliminar .

Se proporciona energa a los proyectiles que se mueven a gran velocidad cuando colisionan contra el
substrato

Las ventajas del grabado en seco han hecho que haya reemplazado al grabado qumico
hmedo en tecnologas de circuitos integrados (CIs) y su importancia en GaAs:
Es posible realizar un grabado altamente direccional
debido a la presencia de especies inicas en el plasma
y un campo elctrico perpendicular a la oblea

Una gran variedad de tcnicas:

Back-sputtering
Ion milling (IBE) o Molido inico.

Tambin es posible utilizar tcnicas combinadas de

grabado seco con grabado qumico:

Procesos RIE (Reactive on etching)

Fotografa SEM de pozos de
aislamiento de transistores
bipolares BJT de tecnologa IBM

mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Proceso IBE: ion beam etching

Tambin llamado: molido inico (ion milling) en el cul se pueden utilizar gran
variedad de esquemas asistidos por plasma.
El equipamiento necesario para realizar un grabado IBE:

Normalmente se utiliza como plasma el Ar (a)

Un filamento caliente proporciona la fuente
de electrones que viajan hacia el nodo (b)
Un campo magntico solenoidal (c) aumenta
el recorrido de los electrones y por tanto su
energa para ionizar el gas de Ar
Se obtiene un control independiente de la
energa de los iones y de su la densidad.
Los iones de Ar+ acelerados abandonan la
fuente de iones a travs de unas rejillas con
aperturas alineadas (d)
Un filamento caliente (fuera de la fuente de
iones), neutraliza la carga de los iones de
manera que formen un haz altamente
direccionado (e)
Son digiridos hacia la cmara de trabajo
donde las obleas se colocan en una
plataforma mvil (f)
mjmm@usal.es

(a)
(f)
(e) (d
)

(c)

(b)

Equipamiento para la realizacin del Ion milling o grabado IBE

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Proceso IBE: ion beam etching

Mediante esta tcnica IBE se puede:

realizar un molido tanto de conductores como

aislantes debido al carcter del haz
Pueden controlarse de manera independiente:

La energa de los iones

La densidad de los iones
La temperatura del substrato
El ngulo de incidencia del haz

Estas caractersticas que han hecho

que el grabado IBE sea una tcnica
muy atractiva para el uso en aplicaciones
VLSI dada su alta resolucin y anisotropa.

En la tabla mostramos las velocidades

de grabado mediante esta tcnica IBE
para diferentes materiales

mjmm@usal.es

RIE: Deep, smooth, vertical etch.

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Comparacin y ejemplos de grabado fsico, qumico, y quimico-fsico.

Deep vertical oxide etch

La comparacin en las caractersticas principales de los procesos fsicos

(necesitan una mayor energa y producen grabados ms anisotropos) y
qumicos (aunque son normalmente istropos dan lugar a una mayor
selectividad).
mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado
Ejemplos

Grabados de metalizacin de aluminio: grabado de plasma

Grabados istropos en Silicio: grabado de plasma

Grabado de Si: tcnica RIE

mjmm@usal.es

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado

Ejemplos: Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) son la integracin de elementos

mecnicos: sensores, actruadores y electrnica en un substrato de silicio a travs de la
tecnologa de micro-fabricacin. Aplicaciones: robtica, sensores, militares, etc

SEM of a shear-stress microsensor fabricated by surface

Model Microturbine. Fabricated at MIT by ion-etching
micromachining using a single structural layer of
silicon. Diameter is approximatelymjmm@usal.es
2 mm. Research is part of
polysilicon.
the ARO program to power the Army After Next soldier.

Tema 6. Tecnologa y Fabricacin de CIs

II. Grabado

Ejemplos: Aplicaciones en sensores , medicina, etc

Microprueba para sensores tctiles.

mjmm@usal.es

Low-temperature mechanically
released cantilevers