Nombre: Carlos calle Tecnologa mems

Un caro cerca de un grupo de engranajes producidos utilizando MEMS. Cortesa de los Laboratorios Nacionales Sandia (Sandia National Laboratories), tecnologas mems

Sistemas Microelectromecnicos (Microelectromechanical Systems, MEMS) se refieren a la tecnologa electromecnica, micromtrica y sus productos, y a escalas relativamente ms pequeas (escala nanomtrica) se fusionan en sistemas nanoelectromecnicos (Nanoelectromechanical Systems, NEMS) y Nanotecnologa. MEMS tambin se denominan 'Micro Mquinas' (en Japn) o 'Tecnologa de Micro Sistemas' MST (en Europa). Los MEMS son independientes y distintos de la hipottica visin de la nanotecnologa molecular o Electrnica Molecular. MEMS en general varan en tamao desde un micrmetro (una millonsima parte de un metro) a un milmetro (milsima parte de un metro). En este nivel de escala de tamao, las construcciones de la fsica clsica no son siempre ciertas. Debido a la gran superficie en relacin al volumen de los MEMS, los efectos de superficie como electrosttica y viscosidad dominan los efectos de volumen tales como la inercia o masa trmica. El anlisis de elementos finitos es una parte importante del diseo de MEMS. La tecnologa de sensores ha hecho progresos significativos debido a los MEMS. La complejidad y el rendimiento avanzado de los sensores MEMS ha ido evolucionando con las diferentes generaciones de sensores MEMS. El potencial de las mquinas muy pequeas fue apreciado mucho antes de que existiera la tecnologa que pudiera construirlas - vase, por ejemplo, la famosa lectura de 1959 de Feynman "Hay mucho espacio en lo pequeo". Los MEMS se convirtieron en prcticos una vez que pudieran ser fabricados utilizando modificacin de tecnologas de fabricacin de semiconductores, normalmente utilizadas en electrnica. Estos incluyen moldeo y galvanoplastia, grabado hmedo (KOH, TMAH) y grabado en seco (RIE y DRIE), el mecanizado por electro descarga (EDM), y otras tecnologas capaces de fabricar dispositivos muy pequeos.

Existen diferentes tamaos de empresas con importantes programas MEMS. Las empresas ms grandes se especializan en la fabricacin de componentes de bajo costo alto volumen o paquetes de soluciones para los mercados finales como el automotriz, biomedicina, y electrnica. El xito de las pequeas empresas es ofrecer valor en soluciones innovadoras y absorber el costo de fabricacin con altos mrgenes de ventas. Tanto las grandes como las pequeas empresas realizan trabajos de I + D para explorar la tecnologa MEMS. Uno de los mayores problemas de los MEMS autnomos es la ausencia de micro fuentes de energa con alta densidad de corriente, potencia y capacidad elctrica.

Descripcin sistemas mems

Los avances en el campo de los semiconductores estn dando lugar a circuitos integrados con caractersticas tridimensionales e incluso con piezas mviles. Estos dispositivos, llamados Sistemas Micro electromecnicos (MEMS), pueden resolver muchos problemas que un microprocesador ms el software o configuracin no ASIC (Chip integrados de aplicacin especfica) no pueden. La tecnologa MEMS puede aplicarse utilizando un sin nmero de diferentes materiales y tcnicas de fabricacin; la eleccin depender del tipo de dispositivo que se est creando y el sector comercial en el que tiene que operar. Silicio El silicio es el material utilizado para crear la mayora de los circuitos integrados utilizados en la electrnica de consumo en el mundo moderno. Las economas de escala, facilidad de obtencin y el bajo costo de los materiales de alta calidad y la capacidad para incorporar la funcionalidad electrnica hacen al silicio atractivo para una amplia variedad de aplicaciones de MEMS. El silicio tambin tiene ventajas significativas que han surgido a travs de sus propiedades fsicas. En la forma mono cristalina, el silicio es un material Hookeano (cumple la ley de Hooke) casi perfecto, lo que significa que cuando est en flexin prcticamente no hay histresis y, por lo tanto, casi no hay disipacin de energa. As como para hacer movimientos altamente repetibles, esto hace tambin que el silicio sea muy fiable, ya que sufre muy pequea fatiga y puede tener una duracin de vida de servicio en el rango de billones o trillones de ciclos sin romper. Las tcnicas bsicas para la produccin de todos los dispositivos MEMS basados en silicio son la deposicin de capas de material, produciendo un patrn en estas capas por fotolitografa y luego grabando para producir las formas necesarias. Polmeros A pesar de que la industria de la electrnica proporciona una economa de escala para la industria del silicio, el silicio cristalino es todava un material complejo y relativamente costoso de producir. Los polmeros por el contrario se pueden producir en grandes volmenes, con una gran variedad de caractersticas materiales. Los dispositivos MEMS pueden hacerse de polmeros, por los

procesos de moldeo por inyeccin, estampado o estreo litografa y son especialmente adecuados para aplicaciones micro fludicas tales como los cartuchos desechables para anlisis de sangre. Metales Los metales tambin se pueden usar para crear elementos MEMS. Aunque los metales no tienen algunas de las ventajas mostradas por el silicio en trminos de propiedades mecnicas, cuando se utilizan dentro de sus limitaciones, los metales pueden presentar grados muy altos de fiabilidad.

Los metales pueden ser depositados por galvanoplastia, por evaporacin, y mediante procesos de pulverizacin. Los metales comnmente utilizados incluyen al oro, nquel, aluminio, cromo, titanio, tungsteno, plata y platino

Procesos de Deposicin
Uno de los elementos bsicos en el procesamiento de MEMS es la capacidad de depsito de pelculas delgadas de materiales. En este texto asumimos que una fina pelcula puede tener un espesor de entre unos pocos nanmetros a unos 100 micrmetros. Los procesos de deposicin de uso comn son: Electroenchapado (Electroplating), Deposicin pulverizada (Sputter deposition), la deposicin fsica de vapor (PVD) y deposicin qumica de vapor (CVD). Fotolitografa Litografa en el contexto MEMS es, por lo general la transferencia de un patrn a un material fotosensible por exposicin selectiva a una fuente de radiacin, como la luz. Un material fotosensible es un material que experimenta un cambio en sus propiedades fsicas cuando es expuesto a una fuente de radiacin. Si nosotros exponemos selectivamente un material fotosensible a la radiacin (por ejemplo, mediante el enmascaramiento de algo de la radiacin) el patrn de la radiacin sobre el material es transferido al material expuesto, resultando en que las propiedades de las regiones expuestas y no expuestas difieren. Esta regin expuesta puede luego ser eliminada o tratada proveyendo una mscara para el sustrato subyacente. La Fotolitografa es tpicamente usada con metal u otra deposicin de pelcula delgada, en procesos de grabado secos o mojados. Procesos de grabado Hay dos categoras bsicas de procesos de grabado: grabado mojado y seco. En el primer caso, el material se disuelve cuando se sumerge en una solucin qumica. En el ltimo, el material se pulveriza o disuelve utilizando vapor iones reactivos o un grabado de fase vapor. Vase Williams y

Muller o Kovacs, Maluf y Peterson para un poco de visin de conjunto de las tecnologas de grabado MEMS. Grabado hmedo o mojado El grabado por mojado qumico consiste en una eliminacin selectiva de material por inmersin de un sustrato dentro de una solucin que la pueda disolver. La naturaleza qumica de este proceso proporciona una buena selectividad, lo cual significa que la tasa de grabado del material a grabar es considerablemente ms alta que la del material de la mscara si se selecciona cuidadosamente.

Algunos materiales mono cristalinos, como el silicio, tendrn diferentes tasas de grabados dependiendo en la orientacin cristalogrfica del sustrato. Esto se conoce como grabado anisotrpico y uno de los ejemplos ms comunes es el grabado del silicio en KOH (hidrxido de potasio), donde los planos<111> del Silicio se graban aproximadamente 100 veces ms lento que otros planos (orientaciones cristalogrficas). Por lo tanto, grabando un agujero rectangular en un (100)- una oblea de silicio resulta en en un grabado de ranuras en forma de pirmide con paredes en ngulo de 54.7, en lugar de un agujero con paredes curvas como podra ser el caso del grabado isotrpico, donde los procesos de grabado progresan a la misma velocidad en todas las direcciones. Agujeros largos y estrechos en una mscara producirn surcos en el silicio. La superficie de estas ranuras puede ser automticamente suavizada si el grabado se lleva a cabo correctamente, con las dimensiones y los ngulos siendo extremadamente precisos. El grabado Electroqumico (CEPE) para una eliminacin selectiva del dopante del silicio es un mtodo comn para automatizar y controlar selectivamente el grabado. Se requiere un diodo de juntura p-n activo, y cualquier tipo de dopante puede actuar como material resistente al grabado ("detencin del grabado"). El Boro es el dopante ms comn de detencin del grabado. En combinacin con el grabado mojado anisotrpico como se ha descrito anteriormente, el ECE se ha utilizado con xito para el control del espesor del diafragma de silicio en sensores de presin piezo-resistivos de silicio. Las regiones selectivamente dopadas pueden ser creadas tanto por implantacin, difusin, o deposicin epitaxial de silicio. Grabado por iones reactivos (RIE) En el grabado por iones reactivos (RIE), el sustrato se coloca dentro de un reactor en el que se introducen varios gases. El plasma es pulsado en la mezcla de gases utilizando una fuente de energa de RF, rompiendo las molculas del gas en iones. Los iones son acelerados y reaccionan con la superficie del material siendo grabado, formando otro material gaseoso. Esto se conoce como la parte qumica del grabado por iones reactivos. Tambin hay una parte fsica que es de naturaleza similar al proceso de deposicin por pulverizacin. Si los iones poseen energa suficientemente alta, pueden impactar a los tomos fuera del material a ser grabado sin una reaccin qumica. Es una tarea muy compleja desarrollar procesos de grabado en seco que equilibren grabado qumico y fsico, ya que hay muchos parmetros a ajustar. Al cambiar el

equilibrio es posible influir en la anisotropa del grabado, ya que la parte qumica es isotrpica y la parte fsica altamente anisotrpica, la combinacin puede formar paredes laterales, que tienen formas desde redondeadas a verticales. Grabado profundo de iones reactivos (DRIE) Una subclase de la RIE, que contina creciendo rpidamente en popularidad es la RIE profunda (DRIE). En este proceso, las profundidades de grabado de cientos de micrmetros pueden ser alcanzados con paredes casi verticales. La principal tecnologa se basa en el llamado "proceso de Bosch", llamado luego de que la empresa alemana Robert Bosch, presentara la patente original, donde dos composiciones de gases diferentes se alternan en el reactor. Actualmente hay dos variaciones de la DRIE. La primera modificacin consiste en tres pasos (el proceso de Bosch, tal como se utiliza en la herramienta UNAXIS), mientras que la segunda variacin slo consiste en dos pasos (ASE utilizado en la herramienta de STB). En la 1 Modificacin, el ciclo de grabado es el siguiente: SF6 grabado isotrpico; C4F8 pasivacin; SF6 grabado anisoptrpico para limpieza de suelo. En la 2 variacin, los pasos sf6 isotrpico y anisotrpico se combinan.

Ambas variaciones funcionan de manera similar. El C4F8 crea un polmero sobre la superficie del sustrato, y en la segunda, la composicin del gas (SF6 y O2) graba el sustrato. El polmero es inmediatamente pulverizado lejos por la parte fsica del grabado, pero slo en las superficies horizontales y no en las paredes laterales. Desde el polmero slo se disuelve muy lentamente en la parte de la qumica de grabado, se acumula en las paredes laterales y los protege de grabado. Como resultado de ello, el grabado se puede alcanzar relaciones de aspecto de 50 a 1. El proceso puede ser utilizado fcilmente para grabar completamente a travs de un sustrato de silicio, y las tasas de grabado son 3-4 veces ms altas que el grabado mojado

Micromaquinado volumtrico
Micro maquinado volumtrico es el paradigma ms antiguo de los MEMS basado en silicio. Todo el grosor de una oblea de silicio se utiliza para la construccin del micro-estructura mecnico. El silicio es mecanizado utilizando diversos procesos de grabado. La unin andica de placas de vidrio u obleas de silicio adicionales se utilizan para aadir caractersticas tridimensionales y para encapsulacin hermtica. El micromquinado volumtrico ha sido esencial para que los sensores de presin de alto rendimiento y acelermetros que han cambiado la forma de la industria de los sensores en los 80's y 90's.

Micromquinado superficial
El micromquinado superficial utiliza deposicin de capas sobre la superficie de un sustrato como material estructural, en lugar de utilizar el sustrato mismo. El micromaquinado superficial se cre a fines de los 80 para hacer el micromquinado de silicio ms compatible con la tecnologa de circuito integrado plano, con el objetivo de la combinacin de MEMS y circuitos integrados en la

misma oblea de silicio. El concepto original del micromaquinado superficial se basa en delgadas capas de silicio policristalino modelado como estructuras mecnicas mviles y expuestas por grabado de sacrificio de las subcapas de xido. Electrodos en peine interdigital son utilizados para producir fuerzas en plano y detectar movimientos en plano de forma capacitiva. Este paradigma MEMS ha permitido a la manufactura de acelermetros de bajo costo, por ejemplo sistemas de Bolsas de aire para automviles (Air-bags) y otras aplicaciones donde bajos rendimientos y/o altos rangos de "g" son suficientes. Mecanismos Analgicos han sido pioneros en la industrializacin del micromaquinado superficial y han realizado la co-integracin de los MEMS y los circuitos integrados.

Sper capacitores

En un convencional condensador, la energa se almacena moviendo portadores de carga, tpicamente de electrones, de una placa de metal a otra. Esta separacin de la carga crea un potencial entre las dos placas, que pueden ser aprovechadas en un externo circuito. La energa total almacenada de esta manera aumenta tanto con la cantidad de carga almacenada y el potencial entre las placas. La cantidad de carga almacenada por unidad de tensin es esencialmente una funcin del tamao, la distancia y las propiedades del material de las placas y el material entre las placas (el dielctrico), mientras que el potencial entre las placas est limitada por la intensidad de campo desglose del dielctrico. El dielctrico controla el voltaje del capacitor. Optimizacin del material conduce a una mayor densidad de energa para un tamao dado.

EDLCs no tienen un dielctrico convencional. En lugar de dos placas separadas por un intermedio aislante, estos condensadores utilizan placas virtuales formadas por dos capas de un mismo sustrato. Sus propiedades electroqumicas, el llamado "elctrico doble capa ", resultado en la separacin efectiva de la carga a pesar de la infinitamente delgada (del orden de nanmetros separacin fsica) de las capas. La falta de la necesidad de una capa voluminosa de dielctrico y la porosidad del material utilizado, permite que el embalaje de las placas con mucho mayor rea de superficie en un volumen dado, lo que resulta en altas capacitancias en paquetes pequeos.

En una doble capa elctrica, cada capa es muy conductora, pero la fsica en la interfaz entre ellos significa que no hay corriente significativa puede fluir entre las capas. La doble capa puede soportar slo un bajo voltaje, lo que significa que las tensiones superiores se consiguen mediante emparejados conectados en serie EDLCs individuales, al igual que las clulas en serie conectados en bateras de alto voltaje.

EDLCs tienen una densidad mucho mayor de energa que las bateras. La densidad de potencia combina la densidad de energa con la velocidad a la que la energa puede ser entregada a la carga. Las bateras, que se basan en el movimiento de los portadores de carga en un electrolito lquido, tienen de carga relativamente lento y los tiempos de descarga. Los condensadores pueden ser cargados o descargados a una velocidad que habitualmente est limitado por la tolerancia al calor de los electrodos.

Mientras EDLCs existentes tienen densidades de energa que son tal vez 1/10 de una batera convencional, su densidad de energa es por lo general de 10 a 100 veces mayor. Esto hace que sean ms adecuadas para un papel de intermediario entre las bateras electroqumicas y condensadores electrostticos, donde ni la liberacin de energa sostenida ni la demanda de energa inmediata dominan.

Nanotubos
En qumica, se denominan nanotubos a estructuras tubulares cuyo dimetro es del tamao del nanmetro. Existen nanotubos de muchos materiales, tales como silicio o nitruro de boro pero, generalmente, el trmino se aplica a los nanotubos de carbono. Los nanotubos de carbono son una forma alotrpica del carbono, como el diamante, el grafito o los fullerenos. Su estructura puede considerarse procedente de una lmina de grafito enrolladas sobre s misma.1 Dependiendo del grado de enrollamiento, y la manera como se conforma la lmina original, el resultado puede llevar a nanotubos de distinto dimetro y geometra interna.

Estos estn conformados como si los extremos de un folio se uniesen por sus extremos formando el susodicho tubo, se denominan nanotubos monocapa o de pared simple. Existen, tambin, nanotubos cuya estructura se asemeja a la de una serie de tubos concntricos, incluidos unos dentro de otros, a modo de muecas matrioskas y, lgicamente, de dimetros crecientes desde el centro a la periferia. Estos son los nanotubos multicapa. Se conocen derivados en los que el tubo est cerrado por media esfera de fulereno, y otros que no estn cerrados. Estn siendo estudiados activamente, como los fulerenos, por su inters fundamental para la qumica y por sus aplicaciones tecnolgicas. Es, por ejemplo, el primer material conocido por la humanidad capaz, en teora, de sustentar indefinidamente su propio peso suspendido sobre nuestro planeta. Tericamente permitira construir un ascensor espacial, debido a que para ello se necesita un material con una fuerza tensil de 100 GPa y se calcula que los nanotubos de carbono tienen una fuerza tensil de 200 GPa.2

Propiedades mecnicas
Si las propiedades elctricas son, de por s, sorprendentes, las propiedades mecnicas pueden llegar a serlo an ms. La estabilidad y robustez de los enlaces entre los tomos de carbono, del tipo sp2, les proporciona la capacidad de ser la fibra ms resistente que se puede fabricar hoy da. Por otro lado, frente a esfuerzos de deformacin muy intensos son capaces de deformarse notablemente y de mantenerse en un rgimen elstico. El mdulo de Young de los nanotubos podra llegar a oscilar entre 1,3 y 1,8 terapascales, si bien hasta la fecha slo se han podido obtener experimentalmente hasta los 0,8 TPa Adems, estas propiedades mecnicas podran mejorarse: por ejemplo en los SWNTs (Single Walled NanoTubes o Nanotubos de pared simple), uniendo varios nanotubos en haces o cuerdas. De esta forma, aunque se rompiese un nanotubo, como se comportan como unidades independientes, la fractura no se propagara a los otros colindantes. En otros trminos, los nanotubos pueden funcionar como resortes extremadamente firmes ante pequeos esfuerzos y, frente a cargas mayores, pueden deformarse drsticamente y volver posteriormente a su forma original. Diversos estudios han tratado de medir las propiedades mecnicas y la tensin mxima soportada por un nanotubo, con resultados heterogneos, 5 6 7 si bien se podra asumir a modo orientativo que la tensin mxima podra rondar los 150 GPa.8 Este dato implica que un cable de 1 cm de grosor formado por nanotubos podra aguantar un peso de unas 1.500 toneladas. Por comparacin, un cable equivalente del mejor acero conocido puede soportar 20 toneladas. No obstante, no todos los estudios han mostrado unos valores tan optimistas: en general es comnmente aceptada la afirmacin de que los nanotubos son 100 veces ms resistentes que el acero, y 6 veces ms ligeros,9 aunque se trate de un material poco conocido, estos valores podran variar.

Propiedades elctricas
Los nanotubos se caracterizan por presentar una gran complejidad electrnica, si tenemos en cuenta las reglas cunticas que rigen la conductividad elctrica con el tamao y la geometra de stos. Estas estructuras pueden comportarse, desde un punto de vista elctrico, en un amplio margen de formas, comenzando por el comportamiento semiconductor hasta presentar, en algunos casos, superconductividad. Este amplio margen de conductividades viene dado por relaciones fundamentalmente geomtricas, es decir, en funcin de su dimetro, torsin (quiralidad) y el nmero de capas de su composicin. As, por ejemplo, existen nanotubos rectos (armchair y zigzag) en los que las disposiciones hexagonales, en las partes extremas del tubo, son siempre paralelas al eje. Esta distribucin, en funcin del dimetro, permite que dos tercios de los nanotubos no quirales sean conductores y el resto semiconductores. En el caso de los nanotubos quirales, los hexgonos tienen un cierto ngulo con respecto al eje del tubo, es decir, la distribucin de los hexgonos laterales que conforman la estructura presenta con respecto al eje central del tubo un enrollamiento de carcter helicoide. Este tipo de conformacin dificulta el paso de los electrones a los estados o bandas de conduccin, por lo que, aproximadamente, tan slo un tercio de los nanotubos presenta conduccin apreciable y siempre en funcin del ngulo de torsin. Hay que destacar que los nanotubos superconductores se podran utilizar para el estudio de efectos cunticos fundamentales en una dimensin, as como para la bsqueda de aplicaciones prcticas en la informtica cuntica molecular. Esto es debido a que pueden actuar como conductores cunticos, es decir, si se representa el voltaje, o diferencia de potencial frente a la intensidad de corriente no se obtiene una lnea recta, sino escalonada. Como se ha dejado entrever, estas estructuras tienen multitud de propiedades elctricas. En cuanto a la capacidad para transportar corriente, se sabe que puede llegar a cantidades de, aproximadamente, mil millones de A/cm2, mientras que los alambres de cobre convencionales se funden al llegar a densidades de corriente del orden del milln de A/cm2. Conviene precisar que todas estas propiedades no dependen del largo del tubo, a diferencia de lo que ocurre en los cables de uso cotidiano