Diodos de barrera Schottky SiC

Toshiba ofrece una amplia gama de diodos de barrera Schottky de carburo de silicio y 650-
V de 2ª generación (SiC SBD) con una corriente nominal de 2 A a 10 A, en encapsulados
de inserción (TO-220).
La serie SiC SBD de 2ª generación proporciona un 30 % menos factor de mérito (VF*QC)*1
y un aumento de la corriente directa de pico (IFSM) en comparación con la serie SiC SBD de
1ª generación y, por lo tanto, ayuda a mejorar la eficacia y reduce el tamaño de las fuentes
de alimentación.

Gamas

Tensión
 650 V

Encapsulado
 Tipo inserción

Introducción
 Aumento de la corriente directa de pico (IFSM): Aproximadamente entre 7 y 9 veces la
corriente nominal, IF(DC)
 Bajo factor de mérito (VF*QC)*1: Proporciona aproximadamente un 30 % menos de factor
de mérito que las unidades de la serie SiC SBD de 1ª generación y, por lo tanto, ofrece
una mayor eficacia.
 Amplia gama de opciones de encapsulado, entre las que se incluyen los encapsulados
aislados y de montaje superficial: Atiende a varios requisitos de diseño
 Finalidad
Las unidades SiC SBD son aptas para la corrección de circuitos de factor de potencia
(PFC) en fuentes de alimentación de alta eficacia, choppers y diodos antirretorno integrado
en dispositivos de conmutación.
 Electrónica de consumo y equipamiento de oficina: Televisores LCD de 4K, proyectores,
copiadoras multifunción, etc.
 Equipos industriales: Estaciones base de comunicación, servidores informáticos, etc.
 Fuentes de alimentación CA-CC
 Fuentes de alimentación CC-CC
*1
VF・QC : El producto de tensión directa y carga total (VF*QC) indica la pérdida de
rendimiento de los diodos de barrera Schottky SiC. Si comparamos los dispositivos con la
misma intensidad de corriente nominal, un dispositivo con un VF*QC inferior ofrece una
pérdida menor.
Diodo Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el diodo
schottky tiene una unión Metal-N.
Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutación, una baja caída
de voltaje cuando están polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4
voltios).

El diodo Schottky está más cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor
común pero tiene algunas características que hacen imposible su utilización en
aplicaciones de potencia.

Estas son:

1 – El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en

directo (en sentido de la flecha). Esta característica no permite que sea
utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo
fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente que tienen que
conducir en sentido directo es bastante grande y supera la capacidad del diodo
Schottky.
2 – El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
(VCRR).

El proceso de rectificación antes mensionado también requiere que la tensión

inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.

Símbolo del diodo Schottky

Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se
necesitan grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en
directo causa poco gasto de energía.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, se llama así en honor del físico
alemán Walter H. Schottky.
Resumen
Es de capital importancia en la electrónica desde sus inicios el diodo en todas sus variantes
y tipos. Fue el primer dispositivo que llevó a la electrónica un paso más adelante en la
conquista del mundo tecnológico y aún hoy en día sigue siendo uno de los principales
elementos dentro de ella, por no decir que el de más amplio uso y aplicación junto a los
transistores. Se conocen muchos tipos de ellos cada uno con una aplicación y un
comportamiento específico bastante conocidos, sin embargo es mucho más frecuentes
encontrarnos con diodos rectificadores, varactores y hasta diodos Zéner en nuestro
trabajodiario, que con diodos de barrera o diodos Schottky , por lo cual resulta muy
necesario hacer una aproximación especial a este dispositivo, puesto que en las aplicaciones
de altas frecuencias a las que vamos dirigidos en comunicaciones es éste un elemento
indispensable y no son utilizables los diodos convencionales. Se presenta por esto, una
breve descripción del funcionamiento, construcción y curvas características de este
dispositivo tan especial.
ABSTRACT
From the beginnings of electronics the diode has been very important in its whole kinds and
types. It was the first element than took the electronics one step beyond in the conquest of
the technology and today still being one of the main elements inside of it, and the most used
with the transistors. There are many types of diodes everyone with known specifical
aplications and behavior, however most frecuently we can find rectificators, varactors and
Zener diodes in our daily work. Schottky diode is more unusual. This is one of the most
important reasons to learn about it because in RF aplications in communications we need
to know it and it is an indispensable element in these areas and the common diodes are
uselles. Then a brief description is presented in the present paper.
Palabras claves: Knee, voltaje de ruptura, pinch off, TTL, fast recovery.

Diodo Schottky o de barrera

Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3
V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de
alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación
rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.
FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material
semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la
resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace
entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente
baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un
efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en
contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°2. El metal se
deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los
portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el
cátodo.

Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo Schottky.

En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del
semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la
ensambladura.
 Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo Schottky.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos
materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos
bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la
barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto,
a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este
tipo de diodo está alrededor de los 100V.

Figura 3. Curva característica.

En los anexos podremos ver algunas características y curvas específicas de funcionamiento
del diodo Schottky ante diferentes parámetros tales como temperatura, capacitancia, etc.

Aplicaciones
 En fuentes de baja tensión en la cuales las caídas en los rectificadores son significativas.
 Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades
de conmutación y
mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.
 Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no
pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
 El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL. Por
ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los
transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño
por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite
mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de
velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
 TTL-S (schottky) : Serie rápida (usa diodos Schottky)
 TTL-AS (advanced schottky) : Versión mejorada de la serie anterior
 TTL-LS (low power schottky) : Combinación de las tecnologías L y S (es la familia
más extendida)
 TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versión mejorada de la serie AS
 TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky)
 TTL-AF (advanced FAST) : Versión mejorada de la serie F
Desventajas
Las dos principales desventajas del diodo Schottky son:
 El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en
sentido de la flecha).
Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos
de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente
que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande.
 El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión inversa que
tiene que soportar el diodo sea grande.

Conclusión
Nos podemos dar cuenta que el diodo Schottky tiene un segmento muy especial dentro de la
electrónica y sus aplicaciones y es específicamente el de trabajar a altas frecuencias de hasta
300MHz, eliminando picos de corriente y en conmutación altísima, con bajos niveles de
tensión, umbral bajo y, debido a su construcción, tiempos de respuesta mucho más rápidos.
Diodo Schottky
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Diodo Schottky

Varios diodos Schottky

Tipo Elemento pasivo, semiconductor

Principio de funcionamiento Barrera Schottky

Invención Walter H. Schottky

Símbolo electrónico

Terminales Ánodo y Cátodo

[editar datos en Wikidata]

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán
Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy
rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos
pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como
tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La
tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe
como conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la región Zener, que es
cuando existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de
estar polarizado en inversa éste opere de forma similar a como lo haría regularmente.
Funcionamiento[editar]
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky),
en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los
diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario".
Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N,
solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo
en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores
tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación
del dispositivo será mucho más rápida.

Características[editar]
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy alta frecuencia y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor
de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos Schottky
tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo,
como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias
inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el
diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad
para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante
su poca caída de voltaje en directo permite su operación con un reducido gasto de
energía. Otra aplicación del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) y
circuitos controladores de motores paso a paso, cuando el circuito controlador efectua la
desconexión de los bobinados del motor estos diodos se encargan de drenar los picos de
corriente inductiva que regresan de los bobinados de un motor y devolverlos al bus de
continua para que estos no quemen los transistores IGBT del chopper, destruyendo el
dispositivo. Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus
de continua a través de los diodos y no es absorbida por los IGBTs.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL. Por ejemplo los
tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean
mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da
una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor
velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky
TTL con la misma potencia.