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Est Cristalinas OCW
Est Cristalinas OCW
= R V
tomos
3
3
4
=
R
V
celda
68 , 0
)
3
4
(
)
3
4
( 2
3
3
= = =
R
R
celda la de Volumen
celda la de tomos los de Volumen
iento empaquetam Factor
El 68 % del volumen de la celda est ocupado
Ref. J .F. Shackelford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice Hall
1 1
/ /
8 8
1 1
Estructura cbica centrada en el cuerpo
(a=b=c)
== =90
a
2
+ a
2
=d
2
a
2
+ d
2
= (4R)
2
3 a
2
= (4R)
2
3 a
a 2
a
T1/14
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
N tomos =8
1
/
8
+6
1
/
2
= 4
N de coordinacin= 12
V
celda
=a
3 ,
4R= 2 a
4
3
4
3
= R V
tomos
3
2
4
=
R
V
celda
74 , 0
)
2
4
(
)
3
4
( 4
celda la de Volumen
celda la de tomos los de Volumen
iento empaquetam Factor
3
3
= = =
R
R
El 74 % del volumen de la celda est ocupado
Estructura Cbica Centrada en las Caras
(a=b=c)
== =90
a
2
+ a
2
=d
2
= (4R)
2
2 a
2
= (4R)
2
Ref. J .F. Shackelford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice Hall
T1/15
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
N tomos
= 2[6
1
/
6
]+2
1
/
2
+3 =6
Nmero de coordinacin: 12
Factor empaquet.: 0, 74
El 74 % del volumen de la celda est ocupado
Estructura Hexagonal Compacta HCP
T1/16
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Hay diferentes tipos de huecos:
OCTADRICOS (N Coord. 6) hueco
situado en el centro de un octaedro regular.
TETRAEDRICOS (N Coord. 4) hueco
situado en el centro de un tetraedro regular.
N huecos tetradricos = 2n
N huecos Octadricos = n
Estrc. COMPACTAS se verifica
que
En las estructuras cristalinas espacios vacos INTERSTICIOS dnde pueden alojarse tomos
Siendo
n: N de tomos/celdilla
Posiciones Intersticiales: Huecos
T1/20
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Posiciones atmicas, direcciones y planos (I)
Posiciones atmicas: :
Sistema de ejes x, y, z
x
y
(0,1,1)
(0,1,0)
(0,0,1)
Direcciones:
Las prop. de los materiales dependen de la direccin en la que se miden se deforman en direcciones
en las que los tomos estn en contacto ms estrecho.
Direcciones individuales: [uvw] vectores // mismos ndices
Direcciones equivalentes en la red: : <uvw> Cuando los espaciamientos a lo largo de cada
direccin son los mismos
Arista del cubo: [100],[010],[001],[010],[001],[100]=100
Diagonales del cubo : 111
Diagonales caras : 110
z
x
y
[110]
[1 0
0]
z
x
y
[111]
z
x
y
[210]
z
x
y [110]
T1/21
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Posiciones atmicas, direcciones y planos (II)
Planos : se utilizan los ndices de Miller
recprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes x,y,z"
x=
y=1
z=
(210)
x=1
y=1
z=
(110)
x=1
y=1
z= 1
(111)
x=1
y=
z=
(100)
Procedimiento :
1. Escoger un plano que no pase por el origen
2. Determinar las intersecciones con los 3 ejes
3. Obtener los recprocos de las intersecciones
4. Determinar el conjunto ms pequeo de enteros
que estn en la misma razn que las intersecciones
5. Notacin: entre parntesis sin comas (h k l)
Ref. J.F. Shackelford Introduccin a la Ciencia de Materiales para Ingenieros. Prentice Hall
T1/22
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
BCC vs FCC: Solubilidad C en Fe
factor empaquetamiento: f
bcc
=0.68 y f
fcc
=0.74
V
sin ocupar
(bcc) > V
sin ocupar
(fcc), pero V
hueco
(fcc)> V
hueco
(bcc)
Este hecho permite explicar la solubilidad de C en Fe:
T
amb.
Aceros: Fe- ferrita ( estructura bcc) Solubilidad: 0.02-0.05%C
T Aceros: Fe- o austenita ( estructura fcc) Solubilidad: 2%C
T bruscamente (trat. Trmico: temple) existencia de Fe (bcc) con altos
contenidos en C ( distorsin red (tetragonal)) martensita
prop.mecnicas aceros templados.
Ref. William F. Smith Fundamentos de la Ciencia e Ingeniera de Materiales. MacGrawHill
FCC: V
ho
= 0.414 r
BCC: V
ho
= 0.291 r
T1/23
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Anisotropa-Isotropa
Material Anistropo Prop. dependen de la direccin cristalogrfica en la que se miden
Material Istropo Prop. idnticas en todas las direcciones
Mdulo Elstico E (GPa)
Mdulo Elstico E (GPa)
5.3 4.7 6.3 NaCl (FCC)
45.0 48.7 35.5 MgO
59.2 59.2 59.2 W (BCC)
30.0 40.4 19.1
Fe- (BCC)
18.1 27.8 9.7 Cu (FCC)
10.0 11.0 9.2 Al (FCC)
Direccin cristalogrfica
aleatoria
Direccin cristalogrfica
[111]
Direccin cristalogrfica
[100]
Material
T1/24
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
unidad celdilla volumen
tomo masa unidad celdilla tomos n
=
unidad celda volumen
unidad celda masa
=
V
A C
N V
M n
=
n: n tomos/celda unidad
M: peso atmico
V
C
: volumen celda unidad
N
A
: nmero de Avogadro
(6.023x10
23
tomos/mol)
Densidad volumtrica
Considerando el Modelo de las esferas rgidas
T1/25
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Densidad de los materiales
Metales:
Empaquetamiento compacto (enlace
metlico)
Masa atmica alta
Cermicos
Empaquetamiento menos compacto
(inico mixto)
Elementos ligeros
Polmeros
Empaquetamiento poco denso
Elementos principales: C, H, N, O, S....c
T1/26
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Densidad atmica lineal:
Densidad atmica planar:
BCC BCC
2
da selecciona rea
rea el por dos intersecta tomos N
m
tomos
= =
p
2 2
p
m
tomos
a
2
=
a 2 a
vrtices
4
1
4 centro tomo 1
=
: Ejemplo
+
m
tomos
= =
l
long.lnea
lnea la por dos intersecta diametral. .tomos N
m
tomos
a
=
a
= Ejemplo
3
3 2
3
2
1
2 centro tomo 1
:
] 111 [
+
BCC BCC
T1/27
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Por qu son los planos importantes (I)
Deformacin Plstica
La deformacin plstica tiene lugar cuando los tomos deslizan entre ellos.
El deslizamiento ocurre a lo largo de planos cristalogrficos especficos
(fraccin atmica planar mas elevada) y a lo largo de direcciones
preferentes (fraccin atmica lineal mas elevada)
13 = 3 <1120> {0001} HCP
(Cd, Mg, Zn, Ti-)
43=12 <110> {111} FCC
(Fe-, Cu, Ni, Al)
62=12 <111> {110} BCC
(Fe-, Mo, W)
Nmero Direcciones
compactas
Planos
compactos
Estructura cristalina
Sistemas de Deslizamiento
-
T1/28
Tema 2.-
Estructuras Cristalinas
Por qu son los planos importantes (II)
Propiedades de Transporte
En algunos materiales, la estructura atmica produce un transporte rpido
de e
-
y/o calor en un plano y relativamente lento fuera de l. Ejemplo:
Grafito.
La conductividad trmica es ms rpida en los planos con enlace covalente
sp
2
que en la direccin perpendicular a ellos. Ejemplo: YBa
2
Cu
3
O
7
superconductores
Algunas redes contienen planos cristalogrficos de Cu y O. Estos planos
conducen pares de e
-
(pares de Cooper) que son los responsables de la
superconductividad. Estos materiales son aislantes elctricos en las
direcciones perpendiculares a los planos Cu-O.