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Prctica3:Transistores:polarizacinyaplicaciones

PRCTICA3
Transistores:polarizacinyaplicaciones

El objetivo de esta prctica es observar las caractersticas corriente tensin de un transistor bipolar,
comprobar su punto de operacin estacionario y mostrar su aplicacin en la realizacin de circuitos
amplificadores.

Un transistor bipolar (BJT) est formado por tres regiones de semiconductor dopadas alternativamente, en
cadaunadelascualesseestableceuncontactometlico.Existendostipos:

TransistorpnpTransistornpn

Tomaremoscomoreferenciaparaaplicarlastensioneselterminaldeemisor.Cuandolastensionesaplicadas
alabaseyalcolectorsonnegativasenlostransistorespnpopositivasenlostransistoresnpn,decimosqueel
transistor est trabajando/polarizado en la zona activa directa. En estas condiciones de polarizacin, al estar la
unin baseemisor en directa y la basecolector en inversa, se cumple que la corriente de colector, I
C
,
prcticamentenodependedelatensinaplicadaalcolectoryesproporcionalalacorrientedebase,I
B
:
I
C
=
F
I
B

siendo
F
lagananciaencorrientedeltransistor.
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Prctica3:Transistores:polarizacinyaplicaciones

Silacorrientedebasenoessuficientementealtaeltransistornoconducir(I
C
=0),esloquesellamaregin
decorte,mientrasqueparapequeastensionesaplicadasalcolectorestamosenlaregindesaturacin(I
C
noes
constanteconV
CE
)

En esta prctica utilizaremos el transistor bipolar 2N2222, de tipo npn cuyas caractersticas de salida y
configuracindeterminalessemuestranenlafigurasiguiente.

Prctica3:Transistores:polarizacinyaplicaciones

Con este circuito, utilizando dos generadores de funciones, uno para la barrer la polarizacin de colector y
otroparaladelabase(amuybajafrecuencia),sepuedeobservalaformadelascaractersticasdesalidaI
C
V
CE
del
transistor.DadoqueelCH1delosciloscopionosepuedeinvertir,estassemostrarancomosiV
CE
fuesenegativo.

Montarestecircuitoutilizandounadelasfuentesdealimentacinvariablesdelentrenador.Conayudade
las caractersticas del transistor de la Figura anterior y sabiendo que la diferencia de tensin en la unin
baseemisor (polarizada en directa) es alrededor de V
BE
=0.6 V, calcular grficamente el punto de operacin
estacionario y comprobarlo con las medidas de V
BE
V
CE
, I
B
e I
C
(calcular las corrientes a partir de los valores de
tensinproporcionadosporelmultmetroentrelosextremosdelasresistenciasR
B
yR
C
).
Calcularfinalmenteelvalorde
F

Siahoraaplicamosunatensinvariablealabasedeltransistor(atravsdeuncondensadorqueslodeja
pasarlasvariacionesdetensin)podemosutilizarestecircuitocomoamplificadordetensionesAC(dealterna)si
tomamoscomosalidalatensinenelcolectordeltransistor.

R
C
=390
Transistor
2N2222
B
V
CC
=6.6V
R
B
=120K
C
E
R
C

Transistor
2N2222
B
R
B
C
E
V
BB

V
CC
+

CH2=V
Rc
=I
C
R
C
Tierrasdel
osciloscopio
CH1=V
CE
+

I
B
I
C

Prctica3:Transistores:polarizacinyaplicaciones

Paracalcularelvalordelagananciaentensinv
o
/v
i
delcircuitoesnecesarioutilizarelcircuitoequivalente
deltransistorparasealesalternas.Deestaformaseobtiene
v
o
v
i

F
R
C
/r

Utilizar una seal sinusoidal de frecuencia 1 KHz en el generador de funciones para proporcionar la entrada y
observar que la salida est invertida con respecto a la entrada (ganancia negativa). Medir con el osciloscopio la
gananciaentensinv
o
/v
i
comococientedelasamplitudesdelassealesdesalidayentradayestimarelvalorde
lar

deltransistor.
Paramejorapreciarlasamplitudesdelassealesvariable,utilizarelacoplamientoACdelosciloscopio.
v
i

B
E
C
R
C

i
c

i
b

v
o

i
b

F
r

i
c
=i
b

v
o
i
c
R
C
v
i
i
b
r

v
o
v
i

F
R
C
/r

Circuitoequivalente
parasealesalternas
SALIDAv
o
:
CH2del
osciloscopio
V
+

R
C
=390
B
V
CC
=6.6V
R
B
=120K
C
E
ENTRADAv
i
:
CH1delosciloscopio
C=5F
R=10K