UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

CENTRO REGIONAL DE CHIRIQUÍ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Capíutulo 1. Diodos

Profesor: Ing. Nicanor A. Ortega MSc.

Celular: 6466-5839
Email: nicanor.ortega2@utp.ac.pa
Oficina: 2do piso /Facultad de Ing. Elect.
MATERIAL
ES
ELÉCTRIC
OS
ESTRUCTUR
A ATÓMICA
DE LOS
MATERIALE
S
Capa de Valencia
LEY DE COULOMB
•Ion positivio -
Ion negatgivo
Estructura
atómica del
cobre
Estructura
atómica del
Germanio
 Estructura
atómica del
Silicio
Cristal de
silicio
 Enlaces
covalentes
Semiconductores
intrínsecos y
extrínsecos
 Estructura
atómica del
Arsénico
 Estructura
atómica del
Fósforo
 Estructura
atómica del Boro
 Estructura
atómica del
Aluminio
 Estructura
atómica del Galio
SEMICONDUCTOR
INTRÍNSECO

• Semiconductor Intrínseco: Es un
semiconductor puro. A temperatura
ambiente se comporta como un aislante
porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la
energía térmica.
SEMICONDUCTOR
EXTRÍNSECO

• Conductor Extrinseco: se caracterizan,

porque tienen un pequeño porcentaje
de impurezas, respecto a
los intrínsecos; esto es, posee
elementos trivalentes o
pentavalentes, o lo que es lo mismo,
se dice que el elemento está dopado.
 • Impurezas donadoras
• Material semiconductor tipo N
IMPUREZAS • Antimonio (Sb), Arsénico (As), Fósforo (P)
PENTAVALENTE • Resistencia baja
 • Impurezas aceptoras
• Material semiconductor tipo P
IMPUREZAS • Boro (B), Aluminio (Au), Galio (Ga)
TRIVALENTES • Resistencia alta
SEMICONDU
CTOR TIPO
PY
SEMICONDU
CTOR TIPO N
POLARIZACIÓN DEL
SEMICONDUCTOR
TIPO N

• Los elecrrones son atraídos

por la terminal positiva.
• Los huecos serán atraídos a
la terminal negativa.
• Los electrones de la fuente
entran al material
semiconductor y ocupan los
huecos.
• Se forma un material
extrínseco puro.
• El semiconductor se
comportará como un aislante
perfecto.
 POLARIZACIÓN DEL
SEMICONDUCTOR
TIPO P

• Los huecos serán atraídos a la

terminal negativa.
• Los electrones de la fuente entran
al material semiconductor y
ocupan los huecos.
• La terminal positiva de la batería
atrae a los electrones y permitirá el
paso de ellos.
• El semiconductor se comportará
como un Conductor.
UNIÓN P-
N
• Se forma una línea de unión.
• Algunos electrones pasan la linea de union al material P. Portadores minoritarios.
• Los electrones libres ocupan los huecos cercanos a la línea de union para
convertirse en electrones de valencia.
• Se forman una zona de deplexión y las zonas de agotamiento.
ZONAS DE
AGOTAMI
ENTO
• Los electrones que atarviezan la zona de deplexión dejan al átomo
cargado positivamente.
• La zona del lado P queda cargada negativamente.
• Esta formación de iones forman un potencial que se le conoce como
potencial de barrera.
• El potencial de barrera depende de la temperatura, de la cantidad de
dopado y del material semiconductor.
POLARIZA
CIÓN DE
LA UNIÓN
PN-
DIRECTA
(DIODO)
Habrá conducción eléctrica
o corriente si el potencial
de la batería es mayor que
el potencial de barrera.
 POLARIZA
CIÓN DE
LA UNIÓN
PN-
INVERSA
(DIODO)
• Los electrones libre del material
N se ven atraídos por la terminal
positiva de la batería creando una
pequeña corriente eléctrica.
• Aumentan los iones positivos y
negativos de las regiones de
agotamiento aumentando el
potencial de barrera hasta
alcanzar el voltaje de la fuente.
BIBLIOGRAFÍA

1. Neamen, Donald. Análisis y

Diseño de Circuitos
Electrónicos. Editorial Mc
Graw Hill.
2. Hambley, Allan. Electrónica.
Editorial Prentice Hall
3. Boylestad, Robert;
Nashelsky, Louis.
Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos
Electrónicos. Editorial
Pearson.